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公开(公告)号：CN101037586A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710107442.6
申请日：2003-05-29
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 一种研磨液，含有金属的氧化剂，金属防蚀剂、氧化金属溶解剂，以及水。该氧化金属溶解剂选自第一可解离酸基的解离常数(PKa)大于等于3.5的酸，这些酸的铵盐及这些酸的有机酸酯中1种或1种以上。该研磨液的pH值在3～4间，且该金属氧化剂的浓度为0.01～3重量％。在半导体元件的配线形成工序中，使用低研粒浓度、低金属防蚀剂浓度的研磨液，因而能够以高研磨速度研磨屏障层使用的导体。
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公开(公告)号：CN1966548A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610141890.3
申请日：2000-08-17
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C08J5/14 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供的化学机械研磨用研磨剂，含有导体氧化剂、金属表面的保护膜形成剂、酸和水，pH低于3，氧化剂浓度为0.01－3重量％，或含有平均粒径在50nm以下、粒径分布的标准偏差值大于5nm的磨料。
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公开(公告)号：CN1680511A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200510068160.0
申请日：1999-08-31
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 株式会社日立制作所
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , C23F3/00 , C23F3/06 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供金属用研磨液及研磨方法，该金属用研磨液含有(1)金属的氧化剂，(2)氧化金属溶解剂，(3)通过在金属膜表面形成物理吸附和/或化学结合而形成称为氨基酸或唑类的保护膜的第1保护膜形成剂、(4)辅助第1保护膜形成剂形成称为聚丙烯酸、聚酰胺酸或者其盐的第2保护膜形成剂，以及(5)水。
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公开(公告)号：CN1524917A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN03119818.X
申请日：1997-09-30
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C01F17/0043 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C09G1/02 , C09K3/1409 , H01L21/02024 , H01L21/02065 , H01L21/31053
Abstract: 本发明涉及氧化铈研磨剂及基板的研磨方法，提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的一次颗粒粒径为10～600纳米，一次颗粒粒径中央值为30～250纳米，颗粒粒径中央值为150～600纳米，颗粒最大粒径在3000纳米以下。
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公开(公告)号：CN1325540A
公开(公告)日：2001-12-05
申请号：CN99812776.0
申请日：1999-08-31
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 株式会社日立制作所
IPC: H01L21/304 , H01L21/308 , C23F1/16
CPC classification number: C09G1/02 , C23F3/00 , C23F3/06 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供金属用研磨液及研磨方法,该金属用研磨液含有(1)金属的氧化剂,(2)氧化金属溶解剂,(3)通过在金属膜表面形成物理吸附和/或化学结合而形成称为氨基酸或唑类的保护膜的第1保护膜形成剂、(4)辅助第1保护膜形成剂形成称为聚丙烯酸、聚酰胺酸或者其盐的第2保护膜形成剂,以及(5)水。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1235698A
公开(公告)日：1999-11-17
申请号：CN97199370.X
申请日：1997-09-30
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/321 , B24B37/00
CPC classification number: C09K3/1463 , C01F17/0043 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C09G1/02 , C09K3/1409 , H01L21/02024 , H01L21/02065 , H01L21/31053
Abstract: 本发明提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料,其中该氧化铈颗粒的一次颗粒粒径为10～600纳米,一次颗粒粒径中央值为30～250纳米,颗粒粒径中央值为150～600纳米,颗粒最大粒径在3000纳米以下。
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公开(公告)号：CN1803964B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200610000318.5
申请日：1999-12-28
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09G1/04 , C09G1/02 , C09K13/00 , C23F3/00 , C23F3/04 , C23F3/06 , H01L21/3212
Abstract: 本发明可以提供一种含有氧化剂、氧化金属溶解剂、保护膜形成剂、该保护膜形成剂助剂和水的金属研磨液，其制造方法及使用其的研磨方法。而且作为这种金属研磨液的制备材料，本发明还可以提供一种含有氧化金属溶解剂、保护膜形成剂和该保护膜形成剂助剂的金属研磨液材料。
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公开(公告)号：CN1935927B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200610142509.5
申请日：1997-09-30
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的初级颗粒粒径为10～600纳米，初级颗粒粒径中央值为30～250纳米，颗粒粒径中央值为150～600纳米，颗粒最大粒径在3000纳米以下。
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公开(公告)号：CN101343510A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810212485.5
申请日：2005-04-12
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/321
Abstract: 一种金属用研磨液以及使用该研磨液的研磨方法，能够以高Cu研磨速度实现高平坦化，并减少研磨后残留在被研磨面的研磨粒子。该金属用研磨液包含研磨粒子及化学成分，由所述化学成分形成在作为该金属用研磨液的研磨对象的被研磨金属上的反应层或吸附层或它们的混合层的表面电位的电荷与所述研磨粒子的表面电位的电荷符号相同。
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公开(公告)号：CN1282226C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN97199370.X
申请日：1997-09-30
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C01F17/0043 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C09G1/02 , C09K3/1409 , H01L21/02024 , H01L21/02065 , H01L21/31053
Abstract: 本发明提供了一种能够在不划伤SiO2绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的初级颗粒粒径为50-500纳米，初级颗粒粒径中央值为50-190纳米，颗粒粒径中央值为200-510纳米，颗粒最大粒径在1430纳米以下。
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