一种电流驱动光场调控装置及其使用方法

    公开(公告)号:CN115295718A

    公开(公告)日:2022-11-04

    申请号:CN202210979827.6

    申请日:2022-08-16

    Abstract: 本发明公开了一种电流驱动光场调控装置,包括磁绝缘体异质结薄膜以及与磁绝缘体异质结薄膜的电极区域接触的重金属电极,重金属电极与电流注入模块的输出端电性连接,电流注入模块的输入端与用于输出正负脉冲的脉冲电源电性连接。本发明采用上述结构的电流驱动光场调控装置,无需外部强磁场的供给,因此可以大大减小体积,利于模块化的集成;并且调控驱动能量来自于外加的弱脉冲电流,主要磁调控反应是发生在样品内部,因此不存在磁场外泄造成干扰的问题;最后由于自旋轨道转矩的响应速度非常快(小于20ms),且由于脉冲电流方向的高可控性,因此光场调控速度与施加电流脉冲的速度几乎一致。

    一种溶液浓度测量装置、方法及溶液传感灵敏度测量方法

    公开(公告)号:CN110672525A

    公开(公告)日:2020-01-10

    申请号:CN201911009370.0

    申请日:2019-10-23

    Abstract: 本发明公开了一种溶液浓度测量装置、方法及溶液传感灵敏度测量方法。激光器用于生成不同波长的激光光源,激光器产生的激光经半波片、第一透镜、第一偏振镜进入携带微流体芯片的棱镜,以反射出A光束和B光束;A光束和B光束经光阑、第二偏振镜、第二透镜进入CCD图像传感器;第一透镜为聚焦透镜;棱镜斜面依次贴合设置有样品、微流体芯片;永磁体设置在棱镜下方和/或上方,磁场方向与棱镜竖轴平行。本发明的有益效果为通过在棱镜和第二偏振镜之间增加光阑,提高了光斑的成像质量;通过设置永磁体,增加与棱镜竖轴平行的磁场方向,不仅可以消除背景噪音,且提高了测量的精度;测量出来的磁光光自旋霍尔效应的值相比于光自旋霍尔效应的值更大、更准确。

    一种基于激基复合物体系的发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN110335969A

    公开(公告)日:2019-10-15

    申请号:CN201910622049.3

    申请日:2019-07-10

    Abstract: 本发明提供一种基于激基复合物体系的发光二极管及其制备方法,由基板、阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极构成,发光层由电子给体2,6-二咔唑-1,5-吡啶和电子受体2,5,8-三(2,4-二氟苯基)-1,3,4,6,7,9,9b-庚嗪组成。本发明所提供的这种激基复合物体系有机发光二极管有望逐步产业化并降低当前有机发光器件的成本。此外采用本发明所提供的这种激基复合物体系有机发光二极管可通过器件结构化,进一步提高发光器件的外量子效率。

    基于VO2的偏振调制器、偏振特性分析方法及调制方法

    公开(公告)号:CN119882276A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202510114400.3

    申请日:2025-01-24

    Abstract: 本发明公开了基于VO2的偏振调制器、偏振特性分析方法及调制方法,属于光学器件领域,包括金属基底层、Si介质层以及周期设置于Si介质层顶端的超表面单元,超表面单元为由VO2与金属复合形成的手性结构;超表面单元包括由第一中间金属框架和第二中间金属框架组成的中间结构以及设置于中间结构两侧的侧部金属条,第一中间金属框架和第二中间金属框架的相背侧的中间位置均镶嵌有VO2,第一中间金属框架和第二中间金属框架的相对侧的中间位置均连接有金属凸起。采用上述基于VO2的偏振调制器、偏振特性分析方法及调制方法,实现了通过调整二氧化钒的电导率,使超表面能够调节入射光的偏振状态,实现动态可调谐的功能。

    基于VO2薄膜的热光调控光自旋霍尔效应的验证方法

    公开(公告)号:CN118731016B

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN202410718351.X

    申请日:2024-06-04

    Abstract: 本发明公开了基于VO2薄膜的热光调控光自旋霍尔效应的验证方法,属于光自旋霍尔效应调控领域,包括以下步骤:S1、仿真实验验证:S11、制备VO2薄膜样品;S12、求解样品的反射系数;S13、求解相变前后VO2薄膜样品表面光自旋霍尔效应的横移值;S2、实验验证:S21、搭建实验平台;S22、预热后,设定此时的光斑质心位置为初始位置;S23、绘制了光斑质心位置随温度变化的曲线;S3、交叉验证:判断利用温度调控VO2薄膜的光自旋霍尔效应的可行性。本发明采用上述基于VO2薄膜的热光调控光自旋霍尔效应的验证方法,通过仿真、实验交叉验证了热光调控光自旋霍尔效应,为利用热致相变材料调控光学性质提供了新的途径。

    一种基于相变材料的双偏振超表面相控阵及其应用

    公开(公告)号:CN118487046B

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202410703196.4

    申请日:2024-05-31

    Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料的双偏振超表面相控阵及其应用,属于超表面雷达领域,包括反射型超表面相控阵,反射型超表面相控阵包括多个呈周期性排列的Sb2S3超表面单元,Sb2S3超表面单元包括依次设置的金属贴片层、三明治型介质层以及金属反射基板层;三明治型介质层包括上层SiO2材料层、中层Sb2S3相变材料层、下层SiO2材料层。本发明采用上述基于相变材料的双偏振超表面相控阵及其应用,实现了双偏振波束扫描的功能,且具有大相移、双偏振扫描、单元反射系数高等优点。

    一种基于相变材料的双偏振超表面相控阵及其应用

    公开(公告)号:CN118487046A

    公开(公告)日:2024-08-13

    申请号:CN202410703196.4

    申请日:2024-05-31

    Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料的双偏振超表面相控阵及其应用,属于超表面雷达领域,包括反射型超表面相控阵,反射型超表面相控阵包括多个呈周期性排列的Sb2S3超表面单元,Sb2S3超表面单元包括依次设置的金属贴片层、三明治型介质层以及金属反射基板层;三明治型介质层包括上层SiO2材料层、中层Sb2S3相变材料层、下层SiO2材料层。本发明采用上述基于相变材料的双偏振超表面相控阵及其应用,实现了双偏振波束扫描的功能,且具有大相移、双偏振扫描、单元反射系数高等优点。

    一种Kretschmann结构及其角谱分量计算方法

    公开(公告)号:CN118033930A

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202410169163.6

    申请日:2024-02-06

    Abstract: 本发明公开了一种Kretschmann结构及其角谱分量计算方法,属于磁光光自旋霍尔效应领域,包括Kretschmann结构本体、入射光源和反射光收集器,Kretschmann结构本体包括由上到下依次设置的棱镜、多层石墨烯薄膜和二氧化硅衬底,Kretschmann结构的上方和下方均设置有电磁线圈;入射光源和反射光收集器分置于棱镜的两侧,用于向棱镜发射涡旋光束。本发明采用上述结构的Kretschmann结构及其角谱分量计算方法,使用涡旋光束代替传统高斯光束为入射光,利用涡旋光束的光子具有螺旋轨道角动量的特性,实现对Kretschmann结构的磁光光自旋霍尔效应的调控。

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