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公开(公告)号：CN117488283A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311504264.6
申请日：2023-11-13
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/511 , C23C16/27 , C23C16/02
Abstract: 本申请涉及光电领域，公开了一种异质外延生长高导热防护金刚石薄膜及其制备方法，包括以下步骤：将基片放置在脉冲激光沉积系统的样品台上，将靶材放置在靶托，在基片表面脉冲激光沉积保护层；将沉积后的基片放置在微波等离子体化学气相沉积系统的样品台上，通入氢气和氩气，对保护层表面进行等离子体清洗；停止通入氩气，通入甲烷气体和氧气气体，在保护层表面生长金刚石；停止通入甲烷和氧气，降低氢气流量、气压、微波功率，降温速率低于每秒钟1℃，破真空后取出具有高导热防护金刚石薄膜的基片。通过脉冲激光沉积的保护层对所保护的基片的损伤非常低，并且在保护层成功的异质外延生长金刚石层，可以大幅降低金刚石和基片间直接的界面热阻。
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公开(公告)号：CN117165915A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311194736.2
申请日：2023-09-15
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/27 , C23C16/511 , C23C16/02
Abstract: 本申请属于光电技术领域，公开了一种高透过率金刚石微结构制备方法，该方法包括：步骤S1，利用金刚石纳米粉的无水乙醇悬浊液和无水乙醇溶液，对第一基材进行超声处理和清洗，得到第二基材，步骤S2，通过激光，对第二基材进行表面刻蚀，以使第二基材表面形成设计需求的金刚石生长区域和抑制金刚石生长区域，得到第三基材，步骤S3，运用氢气、氩气和甲烷气体，基于金刚石生长区域和抑制金刚石生长区域，在第三基材表面进行金刚石生长，得到高透过率金刚石微结构，通过超声技术和激光，结合氢气、氩气和甲烷气体，基于金刚石生长区域和抑制金刚石生长区域，制备得到高透过率金刚石微结构，提高了高透过率金刚石微结构制备的效率。
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公开(公告)号：CN113774348B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202111107898.9
申请日：2021-09-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及超导材料领域，公开了一种具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体及其制备方法和高温超导线圈，包括以下步骤：以高温超导体为基底，将高温超导体放入高能脉冲磁控溅射设备的腔体内，以金属钒为靶材；腔体抽真空，不加热基底；通入氩气，调整气压，设置高能脉冲电源功率、脉冲频率、脉宽；通入氧气，在高温超导体表面沉积薄膜；通入氮气卸去真空，得到所述具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体。本申请的所述具有非晶氧化钒薄膜的高温超导体的制备方法，利用高能脉冲磁控溅射技术具有高离化率的特点，实现了在室温不加热的条件下在高温超导体表面沉积具有电阻可调性能的非晶氧化钒薄膜，所述非晶氧化钒薄膜用于高温超导材料的失超保护。
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公开(公告)号：CN114571125B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210492279.4
申请日：2022-05-07
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及测量仪器技术领域，具体公开了一种电容式薄膜真空计的薄膜焊接方法，该方法包括以下步骤：按照预设温度加热中心膜片，预设温度根据中心膜片的张紧力要求及材质特性进行设定；组合电容式薄膜真空计的下腔体、中心膜片和上腔体并进行保温，以使下腔体和上腔体夹持处于预设温度的中心膜片的边缘；焊接固定下腔体、中心膜片及上腔体以形成组合体；静置冷却组合体；该方法利用中心膜片的热胀冷缩的特性对加热后的中心膜片进行焊接，使得静置冷却后的组合体中的中心膜片具有满足张紧力要求的张紧力，免去了张紧设备的张紧处理，使得中心膜片满足电容式薄膜真空计的加工质量要求，有效提高产品合格率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114571125A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210492279.4
申请日：2022-05-07
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及测量仪器技术领域，具体公开了一种电容式薄膜真空计的薄膜焊接方法，该方法包括以下步骤：按照预设温度加热中心膜片，预设温度根据中心膜片的张紧力要求及材质特性进行设定；组合电容式薄膜真空计的下腔体、中心膜片和上腔体并进行保温，以使下腔体和上腔体夹持处于预设温度的中心膜片的边缘；焊接固定下腔体、中心膜片及上腔体以形成组合体；静置冷却组合体；该方法利用中心膜片的热胀冷缩的特性对加热后的中心膜片进行焊接，使得静置冷却后的组合体中的中心膜片具有满足张紧力要求的张紧力，免去了张紧设备的张紧处理，使得中心膜片满足电容式薄膜真空计的加工质量要求，有效提高产品合格率。
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公开(公告)号：CN114236658B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210170247.2
申请日：2022-02-24
Applicant: 季华实验室
IPC: G02B5/08 , G03F1/80 , G03F1/78 , G03F7/30 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23C16/27 , C23C28/00
Abstract: 本申请涉及激光光学领域，公开了一种高激光损伤阈值金刚石镜片及其制备方法，高激光损伤阈值金刚石镜片的制备方法包括以下步骤：在单晶金刚石衬底上沉积一层单晶金刚石薄膜；利用有限元方法设计微柱状结构阵列；在所述单晶金刚石薄膜上镀制一层金属膜；将所述微柱状结构阵列的顶面轮廓图案光刻到所述金属膜上，显影；对所述金属膜表面进行垂直刻蚀；对所述单晶金刚石衬底进行倾斜旋转刻蚀；去除所述微柱状结构上的金属膜。采用本申请制备方法制备得到的高激光损伤阈值金刚石镜片为全金刚石镜片，具有较高的激光损伤阈值，且制备方法简单。
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公开(公告)号：CN114561617A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210204583.4
申请日：2022-03-03
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及溅射镀膜领域，公开了一种金属氧化物薄膜的制备方法及金属氧化物薄膜，所述金属氧化物薄膜的制备方法采用反应磁控溅射制备金属氧化物薄膜，其中，包括以下步骤：采用微波远程等离子体源对氧气进行活化处理，微波功率为1000‑2000W；向磁控溅射腔体内导入经过活化处理的氧气，以金属为靶材，在基底上沉积所述金属氧化物薄膜。本申请提供的金属氧化物薄膜的制备方法，基于反应磁控溅射工艺，并利用微波远程等离子体源对氧气预先进行活化处理，可以提高金属氧化物薄膜的结晶度和性能。
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公开(公告)号：CN114236658A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202210170247.2
申请日：2022-02-24
Applicant: 季华实验室
IPC: G02B5/08 , G03F1/80 , G03F1/78 , G03F7/30 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23C16/27 , C23C28/00
Abstract: 本申请涉及激光光学领域，公开了一种高激光损伤阈值金刚石镜片及其制备方法，高激光损伤阈值金刚石镜片的制备方法包括以下步骤：在单晶金刚石衬底上沉积一层单晶金刚石薄膜；利用有限元方法设计微柱状结构阵列；在所述单晶金刚石薄膜上镀制一层金属膜；将所述微柱状结构阵列的顶面轮廓图案光刻到所述金属膜上，显影；对所述金属膜表面进行垂直刻蚀；对所述单晶金刚石衬底进行倾斜旋转刻蚀；去除所述微柱状结构上的金属膜。采用本申请制备方法制备得到的高激光损伤阈值金刚石镜片为全金刚石镜片，具有较高的激光损伤阈值，且制备方法简单。
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公开(公告)号：CN114228181A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202210170273.5
申请日：2022-02-24
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及测量仪器技术领域，具体公开了一种电容薄膜真空计的膜片预紧装置、预紧系统及预紧方法，其中，预紧装置包括：工作台，用于承托中心膜片；夹具组件，用于夹持中心膜片，多个夹具组件滑动安装在工作台上，且能沿中心膜片径向滑动；驱动组件，与工作台连接，用于驱动夹具组件相对于中心膜片同步进行径向滑动；该预紧装置能利用驱动组件同步驱动夹具组件进行相对于中心膜片中心位置的径向滑动而对中心膜片施加多个方向的径向向外的拉力，实现中心膜片的周向性张紧，不会对中心膜片施加竖直方向的剪切力，故不会产生应力集中的问题，能确保中心膜片顺利地被张紧的同时，能对中心膜片施加更强的张紧作用。
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