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公开(公告)号：CN117665382A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202410136451.1
申请日：2024-01-31
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请提供了一种功率检测电路及功率检测PCB板，涉及功率检测技术领域。本申请通过寄生电容和第一电容进行电容分压得到采样电压信号，根据电流互感器二次侧的感应电流及采样电阻电路得到采样电流信号，从而可以实现采样电压信号和采样电流信号几乎无畸变，且采样电压信号和采样电流信号之间的干扰小，具有很好的独立性，随着功率的变化，采样电流信号和采样电压信号均具有良好的线性度，从而提高功率检测的精准度和可靠性。
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公开(公告)号：CN117411447A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311400897.2
申请日：2023-10-26
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于电子通信技术领域，公开了一种采用LDMOS器件的射频功率放大器，采用LDMOS场效应晶体管组成推挽电路，提高了射频功率放大器对瞬时高功率输入和高驻波比的承受能力，并能够提高输出稳定性和输出功率水平；此外，通过输入变压器、阻抗匹配电路和传输线变压器对LDMOS场效应晶体管的源端和负载端进行阻抗匹配，能够减少功率传输过程中产生的回波损耗，进一步提高输出稳定性和输出功率水平；而且，该射频功率放大器的拓扑结构简单，器件精简。
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公开(公告)号：CN116679532A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310567849.6
申请日：2023-05-18
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种光刻机动态大面积调焦调平方式，掩膜台承载掩膜版从初始位移动至曝光对准位的过程中，以匀速运动的方式经过第一测量区域，并在第一测量区域完成对掩膜版的全局调焦调平工作，工作台承载工件从上片位移动至曝光位的过程中，以匀速运动的方式经过第二测量区域，并在第二测量区域完成对工件的i个曝光场的调焦调平工作，工件上的i个曝光场逐一进入曝光位进行微调焦调平，使得每个曝光场到达物镜的最佳焦面后再进行曝光。本发明提供的光刻机动态大面积调焦调平方式，实现掩膜版至曝光对准位的过程中进行动态调焦调平工作和工件移动至曝光位的过程中进行动态大面积调焦调平工作，缩短曝光前的整体调焦调平时间，提高了曝光精度。
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公开(公告)号：CN116184029A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310472152.0
申请日：2023-04-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种阻抗检测电路、方法、阻抗匹配器及匹配调节方法，其中，阻抗检测电路用于检测阻抗匹配器中负载端的相位信息和幅值信息，阻抗检测电路包括二极管相位检测电路和二极管幅值检测电路，二极管相位检测电路用于获取相位信息，二极管幅值检测电路用于获取幅值信息，在阻抗匹配过程中，实时测量相位信息输出电阻的电压以及幅值信息输出电阻的电压，当测得的相位信息和幅值信息均为0时，则表示匹配完成，该检测方式无需对阻抗进行实时测量，仅需测量相位信息输出电阻的电压以及幅值信息输出电阻的电压即可，从而降低检测难度，提高检测效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115020180A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210647899.0
申请日：2022-06-09
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种自动阻抗匹配方法、装置、系统、电子设备及存储介质，用于匹配反应腔室中的阻抗，所述一种自动阻抗匹配方法包括以下步骤：获取所述等离子体的阻抗信息；获取所述等离子体的阻抗标准表，所述阻抗标准表包括多个根据所述等离子体阻抗变化情况划分的工作状态区间，所述阻抗标准表为根据所述等离子体的在前活化过程生成；根据所述阻抗标准表及所述阻抗信息获取所述等离子体的当前工作状态；根据所述当前工作状态调节阻抗匹配箱的阻抗以进行阻抗匹配，本申请通过先采集后匹配的方法，实现阻抗的自适应快速匹配，同时该自适应匹配方法可适用于多个平台。
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公开(公告)号：CN111020693A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911379922.7
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅外延生长设备的进气装置，包括进气装置主体，进气装置主体的前部设置有混合腔、后部设置有冷却腔；混合腔的前侧设置有进气管、后侧设置有多根出气管，出气管穿过所述冷却腔；还包括插接在进气装置主体前部并与冷却腔连通的冷却液入口管和冷却液出口管，以及多根穿设在进气装置主体上、下部的吹扫管；所述进气装置主体的后部穿过碳化硅外延生长设备的过渡区域。该进气装置可抑制反应气体的预反应。
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公开(公告)号：CN117434350B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311761201.9
申请日：2023-12-20
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及阻抗检测领域，具体而言，涉及一种阻抗相位获取方法、阻抗检测方法、芯片、设备和介质，其中阻抗相位获取方法包括：获取采样电压信号和采样电流信号；对采样电压信号进行正交化处理，对采样电流信号进行正交化处理；提取两个相互正交的电压正交分量信息，提取两个相互正交的电流正交分量信息；进行反正切或反余切运算，获取电压相位信息和电流相位信息；根据电压相位信息和电流相位信息的差值获取阻抗相位信息。本申请的阻抗相位获取方法能解决二极管相位检测电路和二极管幅值检测电路对电路中的元件限制多，导致该两种电路普适性低的问题，对电路中的元件限制少且普适性高。
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公开(公告)号：CN116661254B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202310477896.1
申请日：2023-04-27
Applicant: 季华实验室
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种掩膜版变形控制装置，包括掩膜台、调节组件、变形检测组件和运输组件，调节组件设于掩膜台上，调节组件包括可滑动地设于掩膜台上的滑台、安装在掩膜台上的第一平移机构、与滑台转动连接的手指基座和安装在手指基座上的压力传感器，第一平移机构与滑台连接，手指基座滑动连接有吸附滑块，吸附滑块内设有电容传感器，手指基座与滑台之间设有弹片，变形检测组件和运输组件设于掩膜台上方，运输组件设有吸附手指。本发明提供的膜版变形控制装置，实现对掩膜版的变形进行控制的功能，使掩膜版调整至相对平整的状态。另外本发明还公开了一种采用掩膜版变形控制装置的控制方法。
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公开(公告)号：CN116184029B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310472152.0
申请日：2023-04-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种阻抗检测电路、方法、阻抗匹配器及匹配调节方法，其中，阻抗检测电路用于检测阻抗匹配器中负载端的相位信息和幅值信息，阻抗检测电路包括二极管相位检测电路和二极管幅值检测电路，二极管相位检测电路用于获取相位信息，二极管幅值检测电路用于获取幅值信息，在阻抗匹配过程中，实时测量相位信息输出电阻的电压以及幅值信息输出电阻的电压，当测得的相位信息和幅值信息均为0时，则表示匹配完成，该检测方式无需对阻抗进行实时测量，仅需测量相位信息输出电阻的电压以及幅值信息输出电阻的电压即可，从而降低检测难度，提高检测效率。
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