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公开(公告)号：CN111182767A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201911426098.6
申请日：2019-12-31
Applicant: 季华实验室
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明公开了一种散热器，该散热器包括壳体、传动机构以及散热基板，壳体形成有进液口、出液口及连通进液口和出液口的冷却剂通道，传动机构设于壳体内，用于在动作时带动进液口的冷却剂沿冷却剂通道向出液口流动，散热基板供发热元件安装，散热基板贴靠安装于壳体位于进液口和出液口之间的外壁上。本发明的散热器改进了散热结构，提高了散热能力，满足了高热流密度元件散热要求，并实现了散热器低负载下的节能降耗。
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公开(公告)号：CN111074342A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911379924.6
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法，包括步骤：A.把石墨载盘放入碳化硅外延生长设备的外延生长室；B.把石墨载盘升温至第一预设温度，保持外延生长室压力为第一预设压力，以氢气为载气通入硅源和碳源，使之在石墨载盘上发生化合反应并沉积形成SiC涂层；第一预设温度为1550℃～1750℃，第一预设压力为150托～250托；C.保持通入氢气并关闭硅源和碳源，将温度降低至第二预设温度，该第二预设温度为600℃～800℃；D.重复预设次数的步骤B、C；E.将温度降至第二预设温度以下时关闭氢气，继续降温至室温；F.取出石墨载盘。该方法可降低涂层的制备成本并提高石墨载盘的使用寿命。
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公开(公告)号：CN111020693A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911379922.7
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅外延生长设备的进气装置，包括进气装置主体，进气装置主体的前部设置有混合腔、后部设置有冷却腔；混合腔的前侧设置有进气管、后侧设置有多根出气管，出气管穿过所述冷却腔；还包括插接在进气装置主体前部并与冷却腔连通的冷却液入口管和冷却液出口管，以及多根穿设在进气装置主体上、下部的吹扫管；所述进气装置主体的后部穿过碳化硅外延生长设备的过渡区域。该进气装置可抑制反应气体的预反应。
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公开(公告)号：CN117477196A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311556344.6
申请日：2023-11-21
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及合路器电路技术领域，具体公开了一种合路器及射频电源，其中，合路器包括：PCB板，其中部设有合路输出端口以及以合路输出端口为中心圆周阵列的三个或以上的射频输入端口；合路模组，每个射频输入端口均基于一个合路模组与合路输出端口连接；平衡电阻，两两相邻的合路模组之间均设有平衡电阻；该合路器在PCB板上以合路输出端口为中心圆周阵列设置射频输入端口，并通过对应的合路模组连接射频输入端口和合路输出端口，以构成多个输入通路，有效减少了整个合路器的面积，该合路器提高了各个输入通路之间的隔离度，且各个输入通路输入的射频信号的幅值、相位一致性好，有效减少了射频输入端口到合路输出端口的插损及频率偏差。
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公开(公告)号：CN111162743B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN201911382855.4
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请提供一种误差放大器及开关电源，所述误差放大器包括：一偏置电路；一第一级放大电路，其与所述偏置电路连接以获取第一偏置电流，其两个输入端输入差分信号，其输出端输出误差电压信号；一第二级放大电路，其包括第四PMOS管、第七PMOS管以及第一电容、第七NMOS管，所述第七PMOS管的栅极与偏置电路连接以获取预设偏置电压使得所述第七PMOS管处于线性区，第七PMOS管的源极与所述第一级放大电路的输出端连接以获取所述误差电压信号，第七PMOS管的漏极与所述第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端与所述第七NMOS管的漏极以及所述第四MOS管的漏极连接于第一公共节点并以第一公共节点作为所述第二级放大电路的输出端；保证了系统稳定性且降低了功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111748777B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202010514554.9
申请日：2020-06-08
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C14/32
Abstract: 本发明提供一种可变角度变径磁过滤阴极电弧薄膜沉积设备和方法，包括阴极电弧生成系统、等离子传输系统、真空镀膜腔体以及电源；阴极电弧生成系统包括电弧生成器和靶材；等离子传输系统包括变径磁过滤管道、电磁线圈以及扫描电磁线圈，电磁线圈绕设在所述变径磁过滤管道的外部，变径磁过滤管道为两头大中间小的双喇叭型。本发明通过设置在阴极电弧沉积设备中设计两头大中间小的双喇叭型的变径磁过滤管道，配合绕设在变径磁过滤管道上的电磁线圈，聚焦和偏斜电磁场可以向着基板导向等离子流，而不受电磁场影响的中性宏观粒子则继续从阴极沿着直线行进从而被过滤，通过简洁的磁过滤管道的设计，可以得到致密的均匀的阴极电弧薄膜。
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公开(公告)号：CN111093347B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201911379925.0
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明公开了一种自循环高效散热器，采用封闭式管道，无需外连冷却水进行外循环，有利于降低冷却成本，操作方便；通过采用TiO2‑水纳米流体作为冷却剂，在TiO2‑水纳米流体中，TiO2的浓度在0.2%‑0.5%范围内最佳，相较于常规散热器采用的自来水冷却剂可将换热系数提高25%左右；同时，散热基板内设有可自旋转的螺旋形旋转轴，螺旋形旋转轴的持续自旋转加强了管路内TiO2‑水纳米流体的扰动，将TiO2‑水纳米流体由层流变成紊流，将很大程度上提高散热能力，换热系数将提高50%。
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公开(公告)号：CN111088526B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201911379938.8
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种多片装载的碳化硅外延生长设备，包括基座，设置在基座上的反应室，设置在反应室左侧的进气机构，设置在反应室右侧的出气机构，设置在反应室底部的加热线圈，可转动地设置在反应室中部的托盘架，以及用于驱动托盘架转动的驱动机构；所述托盘架包括一根竖直的旋转杆，以及多个水平地串接在旋转杆上的石墨托盘；每个石墨托盘上表面均匀设置有多个用于放置衬底的定位凹槽。该碳化硅外延生长设备可一次生产多个外延片且结构紧凑、节能环保。
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公开(公告)号：CN111020693B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201911379922.7
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅外延生长设备的进气装置，包括进气装置主体，进气装置主体的前部设置有混合腔、后部设置有冷却腔；混合腔的前侧设置有进气管、后侧设置有多根出气管，出气管穿过所述冷却腔；还包括插接在进气装置主体前部并与冷却腔连通的冷却液入口管和冷却液出口管，以及多根穿设在进气装置主体上、下部的吹扫管；所述进气装置主体的后部穿过碳化硅外延生长设备的过渡区域。该进气装置可抑制反应气体的预反应。
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