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公开(公告)号：CN104465337A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410729054.1
申请日：2014-12-03
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/027 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L21/0337 , B82Y40/00 , H01L21/0334
Abstract: 本发明属于半导体纳米工艺技术领域，具体为一种使用双层胶制作金属纳米狭缝的方法。其步骤包括：在半导体衬底上旋涂上PMMA正胶光刻胶，再旋涂上NEB负胶光刻胶，接着光刻出线条，对NEB光刻胶显影成像，定义出狭缝的位置，然后进行刻蚀工艺，对PMMA光刻胶刻蚀到衬底的表面，在刻蚀掉的部份淀积金属，完成后进行最后一部剥离工艺，形成金属纳米狭缝的结构。本发明方法准确性高，可靠性高，重复性好；能达到更低的线宽，在蒸发金属和剥离工艺后，能达到10纳米的金属狭缝；使用本发明具有很高的效率和产率；在纳米光学结构制备中有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN104409343A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410729053.7
申请日：2014-12-03
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116
Abstract: 本发明属于器件工艺制备技术领域，具体为一种具有光学边缘的氮化硅隔膜的制备方法。本发明步骤包括：在 晶向的硅片上淀积低应力的氮化硅薄膜，利用光刻技术制备出光刻的图形，然后利用RIE刻蚀要去掉的氮化硅薄膜，最后利用KOH和乙醇的混合液进行腐蚀，得到边缘具有光学平整度的氮化硅隔膜。本发明工艺条件稳定、可控制，制备的图形一致性好。
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公开(公告)号：CN101976019A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010541614.2
申请日：2010-11-12
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米光刻技术领域，具体为一种异型表面上纳米尺寸的光刻方法和光刻设备。本发明将近场光刻和纳米反压印相结合，其步骤包括：在已制作好光刻掩模图形的石英衬底上旋涂紫外光刻胶，使用平行紫外光从掩模板背面曝光后显影，完成对光刻胶的近场光刻，接着利用纳米反压印的方法将曝光后的光刻胶转移到目标衬底上，即达到利用近场光刻和纳米反压印相结合的方法实现在任意衬底上产生光刻胶图形的目的。本发明方法便捷快速，同时成本低廉。
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公开(公告)号：CN110581197A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910713693.1
申请日：2019-08-02
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于光电探测器技术领域，具有为一种可见光与近红外光的双波段光电探测器及其制备方法。本发明的可见光与近红外光的双波段光电探测器件，是基于二维过渡金属硫化物TMDCs/铟镓砷/铟铝砷(InGaAs/InAlAs)异质结的，其中，二维TMDCs是可见光敏感层，InGaAs是沟道层，同时也是近红外光敏感层；TMDs与InGaAs为n型掺杂，InAlAs为本征掺杂，TMDCs与InGaAs/InAlAs接触时产生一个没有内建电场的n-i-n型异质结。本发明将可见光与近红外光的双波段探测集成于单个器件，与高度成熟的传统三五族半导体器件工艺相兼容，有助于实现高灵敏度，宽探测频谱的光电探测器。
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公开(公告)号：CN109243662B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201811075983.X
申请日：2018-09-14
Applicant: 复旦大学
IPC: G21K1/06
Abstract: 本发明属于电感耦合等离子体刻蚀技术领域，具体为一种无衬底支撑的悬空厚金波带片透镜的制备方法。其步骤包括：在Si衬底上旋涂HSQ光刻胶，利用电子束光刻的方法在光刻胶上形成波带片透镜的设计图形作为波带片硅模板的刻蚀掩蔽层，然后在电感耦合等离子体刻蚀系统中进行深反应离子刻蚀形成大高宽比的波带片硅模板，并结合金电镀的工艺在硅模板上电镀具有一定厚度的金，最后去除残余光刻胶掩膜以及去除衬底硅和Au波带片中残余的硅结构，从而得到应用于硬X射线成像领域的大高宽比的悬空金波带片。本发明方法可控性好、工艺稳定，并适用于大高宽比的金属结构的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106876368B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201710064235.0
申请日：2017-02-04
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体场效应管技术领域，具体为一种的半导体场效应正反馈馈器件。本发明器件建立在绝缘层上硅的衬底上，器件的阴极和阳极为反型重掺杂，即一方为p+型而另一方为n+型掺杂，而沟道为不掺杂或者低掺杂。临近沟道的是被栅极侧墙所覆盖的低掺杂区域。与一般的场效应正反馈器件相比，如Z2‑FET，本发明提出的器件结构具有对称性，可使用完全自对准的工艺，与MOSFET的工艺完全兼容。此器件不但保留了场效应正反馈器件的低亚阈摆幅和栅控回滞输出特性，可广泛应用于开关，存储器和静电保护等，而且工艺成本更低，工艺难度更小。
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公开(公告)号：CN106876368A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710064235.0
申请日：2017-02-04
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体场效应管技术领域，具体为一种的半导体场效应正反馈馈器件。本发明器件建立在绝缘层上硅的衬底上，器件的阴极和阳极为反型重掺杂，即一方为p+型而另一方为n+型掺杂，而沟道为不掺杂或者低掺杂。临近沟道的是被栅极侧墙所覆盖的低掺杂区域。与一般的场效应正反馈器件相比，如Z2‑FET，本发明提出的器件结构具有对称性，可使用完全自对准的工艺，与MOSFET的工艺完全兼容。此器件不但保留了场效应正反馈器件的低亚阈摆幅和栅控回滞输出特性，可广泛应用于开关，存储器和静电保护等，而且工艺成本更低，工艺难度更小。
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公开(公告)号：CN104483814B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201410722282.6
申请日：2014-12-03
Applicant: 复旦大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明属于光刻技术领域，具体为一种利用光子纳米喷射造成聚焦效应的超分辨纳米光刻方法。本发明利用光子在介质微球里发生的纳米喷射过程所造成的聚焦效应进行超分辨纳米光刻，其步骤包括：在硅片表面旋涂一层光刻胶，利用电子束光刻，经过显影之后形成半圆槽阵列，随后用浇注材料浇注形成光刻掩膜版；再在另一块硅片表面旋涂另一种光刻胶，将浇注形成的半圆槽阵列光刻掩膜版盖在光刻胶表面，通过光学光刻，显影之后形成光刻胶上的纳米级线条。本发明方法可实现超衍射极限的光学光刻能力；可进行跨尺度多尺度的复杂纳米图形制作；得到的纳米图形结构形貌可控；可实现高效、大面积制造；与现有半导体基础工艺直接相兼容。
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公开(公告)号：CN105632981A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610163375.9
申请日：2016-03-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67115
Abstract: 本发明属于微电子器件表面处理技术领域，具体为一种利用热处理减小微电子器件表面粗糙度的仪器。本发明仪器的核心为两部分：高功率的热源和恒温平台。高功率热源将样品表面温度迅速提升，另一侧被恒温平台控制在室温，由于样品衬底位导热率极其高的硅片，温度梯度主要集中在几百纳米到几微米的光刻胶内，从而形成一个很大的温度梯度，使只有样品表面很薄的一层超过玻璃化温度，这一部分发生融化、回流现象，减小了粗糙度，而样品整体形貌则并没有发生改变。该仪器简便、有效，兼容性好，适用度广，对于在某一特定温度能够熔融的几乎所有材料都有很好的效果。
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公开(公告)号：CN105006266A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510325463.X
申请日：2015-06-13
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米结构制备技术领域，具体为一种自对准双层X射线波带片的制备方法。其步骤包括：在基片或者隔膜上淀积金属导电种子层，再在基片或者隔膜的正反两面旋涂光刻胶，利用电子束曝光技术进行曝光并显影得到设计的图形；然后利用纳米电镀的工艺,得到双层的X射线波带片结构；利用丙酮等有机溶液将光刻胶溶解，最后通过离子反应刻蚀将表面的种子层刻蚀，得到具有双层结构的X射线的波带片。本发明工艺条件稳定、可控制，图形的一致性好，且成本低；制备出的X射线波带片具有超高高宽比，衍射效率高，空间分辨率高。
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