公开(公告)号：CN106356363A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610008393.X

申请日：2016-01-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周硕君 ,  黄崎峰 ,  陈家忠 ,  梁其翔

IPC: H01L23/64

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/642 ,  H01L23/645

Abstract: 本发明实施例提供了半导体器件。半导体器件包括密封环和吸声电路。在密封环和接地垫之间电连接吸声电路。吸声电路包括至少一个电容器和至少一个电感器以形成第一吸声路径、第二吸声路径和第三吸声路径。本发明实施例涉及半导体器件和半导体系统。

公开(公告)号：CN105679839A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201410657766.7

申请日：2014-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周淳朴 ,  柯志欣 ,  邱博文 ,  郑兆钦 ,  吕俊颉 ,  黄崎峰 ,  陈焕能 ,  薛福隆

IPC: H01L29/92 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供了具有石墨烯结构的电容器、包括其的半导体器件及其形成方法。电容器包括具有多个第一石墨烯层的第一石墨烯结构。电容器还包括位于第一石墨烯结构上方的介电层。电容器还包括位于介电层上方的第二石墨烯结构，其中，第二石墨烯结构具有多个第二石墨烯层。

公开(公告)号：CN105280718A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510381482.4

申请日：2015-07-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈家忠 ,  黄崎峰 ,  梁其翔

IPC: H01L29/808 ,  H01L29/06 ,  H01L21/337

CPC classification number: H01L29/808 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/66924

Abstract: 一种结型栅场效应晶体管(JFET)包括：衬底；源极区，形成在衬底中；漏极区，形成在衬底中；沟道区，形成在衬底中；以及至少一个栅极区，形成在衬底中。沟道区将源极区与漏极区连接。至少一个栅极区在界面处接触源极区和漏极区中的一个，并且至少一个栅极区与源极区和漏极区中的另一个隔离。介电层覆盖界面，同时暴露源极区和漏极区中的一个的一部分以及栅极区的一部分。本发明还提供了半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN102623515A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210016655.9

申请日：2012-01-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄崎峰 ,  陈家忠

IPC: H01L29/94 ,  H01L21/334

CPC classification number: H01L29/66174 ,  H01L27/0808 ,  H01L27/0811 ,  H01L29/93 ,  H01L29/94

Abstract: 公开了用于MOS变抗器结构的装置和方法。提供了装置，包括限定在半导体衬底的一部分中的有源区；在有源区中延伸入半导体衬底中的掺杂阱区域；平行设置在掺杂阱区域中的至少两个栅极结构；设置在形成在栅极结构的相对两侧上的阱区域中的源极和漏极区域；形成在覆盖至少两个栅极结构并且电连接至少两个栅极结构的第一金属层中的栅极连接件；形成在第二金属层中并且电连接至源极和漏极区域的源极和漏极连接件；以及将在第二金属层中的源极和漏极连接件与形成在第一金属层中的栅极连接件隔离的层间介电材料。公开了用于形成该结构的方法。

公开(公告)号：CN1237606C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN02131610.4

申请日：2002-09-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄崎峰 ,  陈俊宏 ,  王是琦 ,  林志贤

IPC: H01L21/82

Abstract: 本发明涉及一种金属电容器的制造方法，该方法首先提供一半导体基底，具有一镶嵌铜结构。然后，在上述镶嵌铜结构上形成一金属层。接着，在上述金属层上形成一金属电容器，其中该金属电容器具有由氮化钽层或氮化钛层所构成的电极层；最后，在上述金属电容器的侧壁形成一绝缘侧壁层。