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公开(公告)号：CN115249684A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210579588.5
申请日：2022-05-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种芯片封装结构，包括附接到重分布结构的至少一个半导体裸片、位于重分布结构和至少一个半导体裸片之间且横向围绕焊料材料部分的第一底部填充材料部分、横向围绕至少一个半导体裸片的成型化合物，以及接触重分布结构的侧壁和成型化合物的侧壁且包括至少一切割区域的第二底部填充材料部分。第二底部填充材料部分包括具有均匀横向宽度的垂直延伸段部和具有均匀垂直厚度且在至少一个切割区域的每一者内邻接于垂直延伸段部的底端的横向延伸段部。
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公开(公告)号：CN115101481A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210500993.3
申请日：2022-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/482 , H01L23/485 , H01L23/488
Abstract: 本公开实施例一种半导体晶粒封装及其形成方法。半导体晶粒封装包括封装基板、在封装基板之上的中介层基板、在中介层基板之上的多个半导体晶粒、以及在中介层基板之上并位于半导体晶粒与中介层基板之间的底部填充元件。半导体晶粒封装还包括环结构以及与环结构分离的一或多个盖结构。环结构耦接到封装基板以控制翘曲。盖结构耦接到半导体晶粒的顶表面以控制翘曲并帮助散热。另外，盖结构定义一间隙以允许位于相邻的半导体晶粒之间的底部填充元件的一部分暴露，从而可避免或减少应力集中在该部分上。因此，半导体晶粒封装的可靠性提高。
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公开(公告)号：CN114765110A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202111105540.2
申请日：2021-09-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/552
Abstract: 本公开提供一种封装结构及其制造方法。一种封装结构包括电路衬底、半导体器件及环状结构。所述电路衬底具有第一区及连接到所述第一区的第二区。所述电路衬底包括至少一个布线层，所述至少一个布线层包括介电部分及设置在所述介电部分上的导电部分。所述第一区内的所述布线层的所述导电部分的总体积对所述第一区内的所述布线层的所述介电部分及所述导电部分的总体积的第一比率小于所述第二区内的所述布线层的所述导电部分的总体积对所述第二区内的所述布线层的所述介电部分及所述导电部分的总体积的第二比率。所述半导体器件设置在所述第一区内的所述电路衬底上方，且电耦合到所述电路衬底。所述环状结构设置在所述第二区内的所述电路衬底上方。
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公开(公告)号：CN114725032A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210232624.0
申请日：2022-03-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/16 , H01L25/065 , H01L21/56
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体封装体及其制造方法。一种半导体封装体包括半导体管芯、重布线路结构、支撑结构和保护层。所述重布线路结构位于所述半导体管芯上并电耦合到所述半导体管芯。所述支撑结构位于所述重布线路结构的外表面上，其中所述支撑结构沿着所述重布线路结构与所述支撑结构的堆叠方向在所述重布线路结构上的垂直投影中是与所述半导体管芯的至少一部分交叠或者是具有与所述半导体管芯的侧壁实质上对齐的侧壁。所述保护层位于所述支撑结构上，其中所述支撑结构夹置在所述保护层与所述重布线路结构之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113823618A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110799906.4
申请日：2021-07-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/552 , H01L21/48
Abstract: 本公开涉及芯片封装结构、半导体结构及其形成方法。该芯片封装结构包括有机中介载板，包括内埋重分布互连结构的聚合物基质层、封装侧凸块结构、以及通过相应的凸块连接通孔结构连接到重分布互连结构中的远端子集的晶粒侧凸块结构。至少一金属屏蔽结构可横向地围绕晶粒侧凸块结构中的一相应者。屏蔽支撑通孔结构可横向地围绕凸块连接通孔结构中的一相应者。每个金属屏蔽结构和屏蔽支撑通孔结构可用于减小在随后将半导体晶粒附接到晶粒侧凸块结构的期间所施加到重分布互连结构的机械应力。
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公开(公告)号：CN113675163A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110748104.0
申请日：2021-07-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/50 , H01L21/48
Abstract: 公开了具有改进的凸块下金属化布局的半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，半导体器件包括IC芯片；互连结构，耦合到IC管芯并包括金属化图案，金属化图案包括延伸穿过电介质层的通孔部分；第二电介质层，与IC管芯相对的位于电介质层上方；以及第二金属化图案，耦接至金属化图案，并包括位于电介质层中的线部分和延伸穿过第二电介质层的第二通孔部分；以及UBM，位于第二金属化图案和第二电介质层上方，UBM耦合到第二金属化图案，通孔部分的中心线和第二通孔部分的第二中心线与UBM的第三中心线未对准，中心线和第二中心线在第三中心线的相对两侧。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN113113381A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110034896.5
申请日：2021-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 实施例是封装结构，该封装结构包括第一集成电路管芯；接合至第一集成电路管芯的再分布结构，该再分布结构包括在第一介电层中的第一金属化图案，该第一金属化图案包括多个第一导电部件，第一导电部件中的每一个包括在第一介电层中的第一导电通孔和在第一介电层的上方并电耦接至相应的第一导电通孔的第一导线，第一导线中的每一个在平面图中包括曲线；在第一介电层和第一金属化图案的上方的第二介电层；以及在第二介电层中的第二金属化图案，第二金属化图案包括在第二介电层中的多个第二导电通孔，第二导电通孔中的每一个在相应的第一导线的上方并电耦接至相应的第一导线。本申请的实施例还涉及形成封装结构的方法。
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公开(公告)号：CN221427734U
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202322245148.9
申请日：2023-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/488
Abstract: 一种半导体封装体，包括一第一重布结构、一第一封装部件、一底胶以及一封胶层。第一封装部件接合至第一重布结构，且包括：一第一裸片耦接至一第二重布结构以及位于第二重布结构上的一模塑材料。半导体封装体还包括：一第二裸片，与第一封装部件接合至第一重布结构的同一表面上。底胶位于第一封装部件与第二裸片之间。模塑材料包括一第一材料，而底胶包括不同于第一材料的第二材料。封胶层将第一封装部件及第二裸片封入，且包括一第三基体材料及位于第三基体材料内的多个二氧化硅填充料。
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公开(公告)号：CN220439607U
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202321370289.7
申请日：2023-05-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/52
Abstract: 本实用新型实施例涉及一种半导体装置，其包含重布层、保护层、凸起壁、导电凸块及金属柱。所述重布层具有暴露内部金属层，所述保护层放置于所述重布层上方，所述保护层包括第一材料。所述凸起壁放置于所述保护层上方及所述暴露内部金属层周围，所述凸起壁包括不同于所述第一材料的第二材料。所述导电凸块至少部分放置于所述重布层上方的所述凸起壁内且与所述暴露内部金属层接触。所述金属柱放置于所述导电凸块上以形成提供与所述暴露内部金属层的电连通的金属接点为有效避免冷焊问题，圆形或矩形聚酰亚胺制成的所述凸起壁首先放置于所述导电凸块下方以结构支撑所述导电凸块且足够增大导电凸块高度以改进所述半导体装置的电连接及长期可靠性。
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