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公开(公告)号：CN111485224B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN201910085922.X
申请日：2019-01-29
IPC: C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/26
Abstract: 本发明提供了一种化学气相沉积装置及化学气相沉积方法。化学气相沉积装置用于制备薄膜材料，包括第一腔室、第二腔室、过渡腔室、底盘以及传送机构。第一腔室和第二腔室用于薄膜材料的生长或后处理。过渡腔室通过隔离件分别连通于第一腔室和第二腔室。底盘用于装载生长衬底。传送机构被配置为在第一腔室和过渡腔室之间传送底盘，以及在第二腔室和过渡腔室之间传送底盘。本发明提供的化学气相沉积方法利用上述的装置进行薄膜材料的生长或后处理。
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公开(公告)号：CN114572970B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202210291247.8
申请日：2022-03-23
IPC: C01B32/186
Abstract: 本申请提供一种分区式石墨烯薄膜制备装置，包括放料腔、收料腔和高温腔。放料腔内部设置有放料辊。收料腔内部设置有收料辊。高温腔设置在放料腔和收料腔之间，高温腔的内部设置有载具，载具的上方设置有限域挡板，限域挡板与载具形成一狭缝，限域挡板邻近放料腔，狭缝和载具均由放料腔向收料腔延伸，狭缝的延伸长度是载具的延伸长度的30％～60％，载具的下方设置有加热器。通过以上设计，可实现衬底预处理区域和石墨烯薄膜的高温生长区域分开，且预处理和高温生长可以同时进行。
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公开(公告)号：CN117623291A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311723576.6
申请日：2023-12-14
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开一种双层石墨烯薄膜的制备方法，包括：S1，向气相沉积系统通入氢气和甲烷进行气相沉积反应，在基底上生长具有双层石墨烯畴区的石墨烯核；S2，向所述气相沉积系统中通入氧气；以及S3，提高甲烷分压，继续进行生长。本发明的化学气相沉积法直接生长双层石墨烯薄膜的方法，首先形成具有双层石墨烯小核；接着通入氧气刻蚀除去不稳定的石墨烯核，最后增加甲烷的分压以促进双层石墨烯的生长，从而制备出第二层石墨烯层面积与第一层面积相差不大的双层石墨烯薄膜。并且本发明的方法可以形成具有任意扭转角度的双层石墨烯薄膜。
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公开(公告)号：CN117602617A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311369646.2
申请日：2023-10-20
Abstract: 本发明提供一种双层石墨烯薄膜的生长方法，包括：以具有高指数面的铜镍合金为衬底，高温气相沉积生长石墨烯后降温偏析生长石墨烯；其中所述高温气相沉积生长石墨烯包括：在900～1150℃下气相沉积生长石墨烯；所述降温偏析生长石墨烯包括：以一定降温速率下从所述高温气相沉积生长石墨烯阶段结束温度降温至500～860℃，在这一时段进行所述降温偏析生长石墨烯。本发明通过采用高指数面的铜镍衬底，使用两步法(高温生长和降温偏析生长)可以制备出双层覆盖度高达90％、三层及以上畴区覆盖度小于6％的双层石墨烯薄膜。实现了抑制三层及以上石墨烯畴区成核及长大，有望提高双层石墨烯的性能及拓展其应用场景。
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公开(公告)号：CN117348231A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311374117.1
申请日：2023-10-23
IPC: G02B21/28
Abstract: 本发明提供一种用于光学观测装置的盖板组件及光学观测装置，该盖板组件包括盖板本体、第一观察窗和第二观察窗，第一观察窗设置于盖板本体内；第二观察窗设置于盖板本体内，第一观察窗和第二观察窗平行间隔设置，液冷系统环设于第一观察窗和第二观察窗的周围，用于对第一观察窗和第二观察窗进行液冷冷却。风冷系统设置于盖板本体内并设置于第一观察窗和第二观察窗之间，用于对第一观察窗和第二观察窗进行风冷冷却。在盖板本体的内部同时具有液冷系统和风冷系统，采用液冷和风冷相结合的方式，冷却效果好，延长显微镜的使用寿命，且加热器的尺寸无需进行限制，从而保证光学观测装置的检测效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116445856A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310442703.9
申请日：2023-04-23
IPC: C23C14/06
Abstract: 本发明公开一种石墨烯薄膜的制备方法及其该方法制备的石墨烯。该制备方法以乙炔、丙酮和氩气的混合气体为碳源在衬底上生长石墨烯薄膜。本发明以乙炔、丙酮和氩气的混合气体为碳源可以实现在多种衬底上的快速、高质量、大面积生长石墨烯薄膜。生长时间可以从小时量级缩短到分钟量级，显著缩短石墨烯的生长时间；同时生长的石墨烯薄膜单层覆盖度＞99％，ID/IG显著低于0.05，可以显著提高石墨烯的单层覆盖度及石墨烯薄膜的质量；可实现一定面积范围的石墨烯薄膜的批量生长。
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公开(公告)号：CN113622024B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202010380747.X
申请日：2020-05-08
Abstract: 本发明提供了一种单晶石墨烯的制备方法，包括通过化学气相沉积工艺制备所述单晶石墨烯；其中，所述化学气相沉积工艺包括如下步骤：S1：于不包含还原性气体的反应体系内，在基底上形成石墨烯核；以及S2：于还原性气体的作用下，在所述石墨烯核的基础上形成所述单晶石墨烯。本发明一实施方式的单晶石墨烯的制备方法，在石墨烯成核阶段未使用还原性气体，使得石墨烯核的取向完全受单晶基底的调控，实现取向一致。
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公开(公告)号：CN112442729B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201910816010.5
申请日：2019-08-30
Abstract: 本申请提供一种制备大面积单晶铜箔的方法。本申请提供的方法包括：‑提供多晶铜箔；‑提供材质为石墨或六方氮化硼的载具；‑将所述多晶铜箔置于所述载具上；‑对所述载具上的所述多晶铜箔在一定温度梯度下进行退火，得到所述单晶铜箔。由于石墨和六方氮化硼等载具具有优良的润滑性，高温下铜和石墨或六方氮化硼的相互作用较弱，采用这种材质的载具可以大大减小退火过程中载具与其上方铜箔之间的相互作用，减小高温下载具对铜箔产生的外应力，因此不仅保证了良好的单晶化效果，而且可以维持铜箔本身形貌的规则平整。
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公开(公告)号：CN108821273B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201811109110.6
申请日：2018-09-21
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明提供一种真空石墨烯转移装置及真空石墨烯转移方法，真空石墨烯转移装置包括壳体、升降机构、支撑凸台以及加热装置。壳体内部具有真空腔体，升降机构设于壳体并包括可升降地设于真空腔体内的压板，石墨烯薄膜固定于压板底部。支撑凸台设于真空腔体内且位于压板下方，目标基底固定于支撑凸台上。加热装置，设于真空腔体内且连接于支撑凸台，加热装置用于通过支撑凸台加热目标基底。其中，真空石墨烯转移装置通过升降机构将石墨烯薄膜下压至目标基底上，并通过加热装置加热，将石墨烯薄膜转移至目标基底。从而实现提高石墨烯转移的完整度，同时降低了石墨烯水氧掺杂，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN111151513A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201811319723.2
申请日：2018-11-07
IPC: B08B7/00
Abstract: 本发明提供了一种带形物品清洗装置及清洗方法，清洗装置包括腔室以及至少一滚轮。腔室包括供带形物品进出的进料口以及出料口；至少一滚轮设置在腔室内，每一滚轮的轴线垂直于进料口和出料口的连线，每一滚轮表面设置有吸附剂；其中，在清洗过程中，带形物品与至少一滚轮表面的吸附剂接触。
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