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公开(公告)号：CN117623291A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311723576.6
申请日：2023-12-14
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开一种双层石墨烯薄膜的制备方法，包括：S1，向气相沉积系统通入氢气和甲烷进行气相沉积反应，在基底上生长具有双层石墨烯畴区的石墨烯核；S2，向所述气相沉积系统中通入氧气；以及S3，提高甲烷分压，继续进行生长。本发明的化学气相沉积法直接生长双层石墨烯薄膜的方法，首先形成具有双层石墨烯小核；接着通入氧气刻蚀除去不稳定的石墨烯核，最后增加甲烷的分压以促进双层石墨烯的生长，从而制备出第二层石墨烯层面积与第一层面积相差不大的双层石墨烯薄膜。并且本发明的方法可以形成具有任意扭转角度的双层石墨烯薄膜。
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