公开(公告)号：CN119144301A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411461564.5

申请日：2024-10-18

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学 ,  北京石墨烯研究院有限公司

Inventor： 张荣花 ,  谢芹 ,  夏东平 ,  宋雨晴 ,  付家煜 ,  吴雨竹 ,  陈景阳 ,  胡越明 ,  邱肖盼 ,  干静

IPC: C09K5/14

Abstract: 本发明公开一种导热粉体压片方法及该方法得到的片材。本发明的压片方法包括：将适量粘结剂和润滑剂分散于分散剂中形成均混合溶剂混合溶液；将导热粉体和所述混合溶剂混合溶液混合后压片。本发明的导热粉体压片方法，通过添加混合试剂(粘结剂和润滑剂)，相比于仅添加粘结剂，显著改善了粉体颗粒间的摩擦性能，便于压片后的样片更易取出，同时显著提升了粉体的压片成型过程中，样片的一致性和均匀性。解决了导热粉体在压片时颗粒间流动性差、容易散开、分层开裂以及粘冲崩解的关键问题，也避免了单独加粘结剂时可能出现的分布不均匀和脱模困难的现象。

公开(公告)号：CN117602617A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311369646.2

申请日：2023-10-20

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  孙禄钊 ,  王真 ,  胡越明 ,  刘海洋

IPC: C01B32/186 ,  C23C16/26 ,  C23C16/52 ,  C22C9/06 ,  C23C16/01 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供一种双层石墨烯薄膜的生长方法，包括：以具有高指数面的铜镍合金为衬底，高温气相沉积生长石墨烯后降温偏析生长石墨烯；其中所述高温气相沉积生长石墨烯包括：在900～1150℃下气相沉积生长石墨烯；所述降温偏析生长石墨烯包括：以一定降温速率下从所述高温气相沉积生长石墨烯阶段结束温度降温至500～860℃，在这一时段进行所述降温偏析生长石墨烯。本发明通过采用高指数面的铜镍衬底，使用两步法(高温生长和降温偏析生长)可以制备出双层覆盖度高达90％、三层及以上畴区覆盖度小于6％的双层石墨烯薄膜。实现了抑制三层及以上石墨烯畴区成核及长大，有望提高双层石墨烯的性能及拓展其应用场景。