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公开(公告)号：CN119465024A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411660173.6
申请日：2024-11-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种高灵敏度太赫兹超表面双模传感器的制备方法，属于太赫兹生化传感领域。本发明提出采用先图形化介质层后整体镀膜的方式来制备太赫兹超表面传感器，图形化介质层可以将液体厚度精准地控制在μm量级，当检测生物样品溶液时，通过减少待测液体量来减少对THz波的吸收，从而一定程度上解决极性待测液体对THz波强吸收导致的测试难题；同时，图形化介质层的设计增加了样品和强场能的重合区域体积，大大增强了太赫兹波‑物质相互作用，有利于实现更高的器件灵敏度。此外，采用本发明制备得到的双模传感器在太赫兹波斜入射激励下会同时产生两种模式的完美吸收峰，且两种模式在TE/TM波激励下均有较好的角度鲁棒性及高性能表现。
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公开(公告)号：CN114843226B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202110146397.5
申请日：2021-02-02
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8252 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L29/861 , H01L27/06
Abstract: 本发明公开了一种集成MIS‑HEMT器件和GaN混合阳极二极管的方法及应用,属于电力电子技术中功率半导体器件领域。本发明将MIS‑HEMT器件和GaN混合阳极二极管在器件宽度方向上进行交叉设置，形成叉指并联结构，且MIS‑HEMT器件和GaN混合阳极二极管采用同样的湿法刻蚀工艺。与现有技术相比，本发明制备的开关器件具有正向阈值电压、更高正、反向导通电流以及更低反向开启电压，从而提升整个器件的击穿电压，实现更低的开关损耗、更小的占用面积以及更高的转换速率以及更高的工作电压。
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公开(公告)号：CN111045121B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201911301090.7
申请日：2019-12-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种偏振控制的表面等离激元双功能超表面及其设计和制备方法，所述超表面纵向采用采用金属‑介质‑金属三层结构，表面为梯形单元结构阵列，实现不同偏振态下光的振幅与相位的独立调控：可对x方向偏振光进行相位调控，实现偏转器功能；可对y方向偏振光进行振幅调控，实现结构色功能。该种双功能结构提高了超表面结构的集成度与调控多样性，偏转、结构色两种应用既相互独立又互为补充，两种功能的结合为防伪、生物组织双折射的测量、生物分子旋光度的测量提供了全新的解决方案。
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公开(公告)号：CN104502424B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201410411741.9
申请日：2014-08-19
Applicant: 北京大学
IPC: G01N27/26
Abstract: 本发明涉及一种新型的铜离子检测方法，主要是利用电解液‑氧化层‑半导体器件在测试中的I‑V曲线的分析来实现。其步骤包括：采用常规微机电系统工艺方法在硅衬底上淀积二氧化硅，并制造引出电极；用聚合物在已制作好的氧化硅‑半导体结构的氧化硅一面封装出储液池；向储液池中注入测试溶液，施加合适的测试激励，确定电极的放置方式和施加激励方式；将测试数据绘成曲线图，对比分析得到的I‑V曲线。由于外加高电场的作用下，正离子会扩散进入二氧化硅层中发生还原反应形成类金属的导电通道，所以含铜离子的电解液‑氧化层‑半导体器件的I‑V曲线能看到特殊的尖角现象。该器件使用了新的检测原理同时具有轻便、操作简单、速度快等优点，可以广泛用于离子检测、水污染监控、生化分析等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103258739B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310175534.3
申请日：2013-05-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/335
Abstract: 本发明提供一种基于自停止刻蚀工艺的凹槽栅氮化镓基增强型器件的制备方法，其步骤包括：在氮化镓基表面光刻器件区域并刻蚀非器件区域，在该器件区域形成源漏端欧姆接触；淀积保护层；在保护层上涂敷光刻胶并光刻凹槽栅区域图形；刻蚀凹槽栅区域的保护层并去除剩余光刻胶；对凹槽栅区域在高温条件下进行氧化处理；将氧化处理后的氮化镓基表面置于腐蚀性溶液中进行腐蚀；去除保护层；淀积栅绝缘层并制备栅金属；涂敷光刻胶并光刻源漏端接触孔图形；腐蚀接触孔处绝缘层并去除光刻胶。本发明可制得具有自停止特性且槽底平整、台阶边缘光滑的凹槽栅结构，具有很高的可操作性和可重复性，所制备的氮化镓基增强型器件的性能优异，利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN104502424A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410411741.9
申请日：2014-08-19
Applicant: 北京大学
IPC: G01N27/26
Abstract: 本发明涉及一种新型的铜离子检测方法，主要是利用电解液-氧化层-半导体器件在测试中的I-V曲线的分析来实现。其步骤包括：采用常规微机电系统工艺方法在硅衬底上淀积二氧化硅，并制造引出电极；用聚合物在已制作好的氧化硅-半导体结构的氧化硅一面封装出储液池；向储液池中注入测试溶液，施加合适的测试激励，确定电极的放置方式和施加激励方式；将测试数据绘成曲线图，对比分析得到的I-V曲线。由于外加高电场的作用下，正离子会扩散进入二氧化硅层中发生还原反应形成类金属的导电通道，所以含铜离子的电解液-氧化层-半导体器件的I-V曲线能看到特殊的尖角现象。该器件使用了新的检测原理同时具有轻便、操作简单、速度快等优点，可以广泛用于离子检测、水污染监控、生化分析等领域。
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公开(公告)号：CN104495742A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410767125.7
申请日：2014-12-15
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种制备表面等离子体激元耦合结构纳米阵列的方法。其步骤包括：采用电子束曝光制作的纳米级刻蚀掩模对衬底进行深反应离子刻蚀，再进行金属镀膜得到所述三维“金属纳米结构阵列-纳米间隔层-金属薄膜”结构。金属纳米结构发生光子与自由电子局域电磁场共振产生很强的局域表面等离子体激元，且其衍射效应提供波矢补偿激发金属薄膜的传播型表面等离子体激元，形成局域表面等离子体激元-传播型表面等离子体激元耦合，将光束缚在纳米尺度，引发金属与介质界面非常强的表面局域近场增强。本发明制作的结构将促进表面等离子体激元的新机理探索，在超材料、超高灵敏光学生物传感等领域有着重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN101880022B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201010199631.2
申请日：2010-06-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种抗震装置及其制备方法，该装置包括：基体，上表面设置有抗震平台、以及若干一端与抗震平台固定连接且保持与基体上表面不接触地延伸的抗震悬臂梁；器件载体，上表面用于承载待保护器件，下表面设置有凹槽，器件载体与抗震悬臂梁相连，且凹槽与抗震平台不接触。本发明的抗震装置及其制备方法适用于微电子电路芯片及MEMS可动器件在振动环境下的保护等应用，具有极强的应用性；使用物理方式实现抗振功能，无需高精度控制电路，从而降低了系统成本；本发明的制备方法可以采用常规MEMS工艺设备，实现大批量制造，且工艺过程简单，与多种类型的MEMS器件工艺兼容，可用于实现功能更广泛、更强大的微电子系统。
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公开(公告)号：CN101554991B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200910083938.3
申请日：2009-05-11
Applicant: 北京大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一种多样性纳米结构的加工方法，其步骤包括：1)准备并清洗衬底；2)在衬底的表面上依次沉积薄膜一和薄膜二；3)在薄膜二上旋涂光刻胶，并对光刻胶进行前烘和曝光，在薄膜二上形成光刻胶图形一；4)采用氧等离子体去胶机对光刻胶图形一进行氧等离子体干法刻蚀，在薄膜二上得到光刻胶图形二；5)用光刻胶图形二作为掩模，各向异性刻蚀薄膜二，形成薄膜二的纳米结构；6)在薄膜二的纳米结构表面保形沉积薄膜三；7)各向异性刻蚀薄膜三，在薄膜二的纳米结构四周形成纳米侧墙；8)各向异性刻蚀薄膜二的纳米结构，在衬底表面上留下纳米侧墙；9)以纳米侧墙为掩模，各向异性刻蚀衬底，在衬底上得到最终纳米结构；10)腐蚀掉最终纳米结构上残留的侧墙。
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