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公开(公告)号：CN101554991B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200910083938.3
申请日：2009-05-11
Applicant: 北京大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一种多样性纳米结构的加工方法，其步骤包括：1)准备并清洗衬底；2)在衬底的表面上依次沉积薄膜一和薄膜二；3)在薄膜二上旋涂光刻胶，并对光刻胶进行前烘和曝光，在薄膜二上形成光刻胶图形一；4)采用氧等离子体去胶机对光刻胶图形一进行氧等离子体干法刻蚀，在薄膜二上得到光刻胶图形二；5)用光刻胶图形二作为掩模，各向异性刻蚀薄膜二，形成薄膜二的纳米结构；6)在薄膜二的纳米结构表面保形沉积薄膜三；7)各向异性刻蚀薄膜三，在薄膜二的纳米结构四周形成纳米侧墙；8)各向异性刻蚀薄膜二的纳米结构，在衬底表面上留下纳米侧墙；9)以纳米侧墙为掩模，各向异性刻蚀衬底，在衬底上得到最终纳米结构；10)腐蚀掉最终纳米结构上残留的侧墙。
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公开(公告)号：CN101554991A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910083938.3
申请日：2009-05-11
Applicant: 北京大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一种多样性纳米结构的加工方法，其步骤包括：1)准备并清洗衬底；2)在衬底的表面上依次沉积薄膜一和薄膜二；3)在薄膜二上旋涂光刻胶，并对光刻胶进行前烘和曝光，在薄膜二上形成光刻胶图形一；4)采用氧等离子体去胶机对光刻胶图形一进行氧等离子体干法刻蚀，在薄膜二上得到光刻胶图形二；5)用光刻胶图形二作为掩模，各向异性刻蚀薄膜二，形成薄膜二的纳米结构；6)在薄膜二的纳米结构表面保形沉积薄膜三；7)各向异性刻蚀薄膜三，在薄膜二的纳米结构四周形成纳米侧墙；8)各向异性刻蚀薄膜二的纳米结构，在衬底表面上留下纳米侧墙；9)以纳米侧墙为掩模，各向异性刻蚀衬底，在衬底上得到最终纳米结构；10)腐蚀掉最终纳米结构上残留的侧墙。
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公开(公告)号：CN101792112B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010117672.2
申请日：2010-03-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于表面增强拉曼散射活性基底的微流控检测器件。该微流控检测器件是按照包括下述步骤的方法制备得到的：在衬底上旋涂光刻胶，并对光刻胶依次进行前烘、曝光、显影和定影后形成微流道形状的光刻胶图形；对光刻胶图形进行氧等离子体干法刻蚀，在衬底上形成了垂直分布于的纳米颗粒结构或纳米纤维直立结构；以所述纳米颗粒结构为掩模，对衬底进行各向异性刻蚀，在衬底上形成了纳米柱；在衬底上的硅纳米柱或纳米纤维直立结构上溅射金属纳米颗粒层，得到表面增强拉曼散射活性基底；结合微流体器件及其加工技术形成了无杂质干扰、可实时监测的硅-PDMS双层结构SERS微流控检测器件，该微流控检测器件不仅能用于液体待分析物的检测还可用于胶体和气体待分析物的检测。
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公开(公告)号：CN101792112A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010117672.2
申请日：2010-03-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于表面增强拉曼散射活性基底的微流控检测器件。该微流控检测器件是按照包括下述步骤的方法制备得到的：在衬底上旋涂光刻胶，并对光刻胶依次进行前烘、曝光、显影和定影后形成微流道形状的光刻胶图形；对光刻胶图形进行氧等离子体干法刻蚀，在衬底上形成了垂直分布于的纳米颗粒结构或纳米纤维直立结构；以所述纳米颗粒结构为掩模，对衬底进行各向异性刻蚀，在衬底上形成了纳米柱；在衬底上的硅纳米柱或纳米纤维直立结构上溅射金属纳米颗粒层，得到表面增强拉曼散射活性基底；结合微流体器件及其加工技术形成了无杂质干扰、可实时监测的硅-PDMS双层结构SERS微流控检测器件，该微流控检测器件不仅能用于液体待分析物的检测还可用于胶体和气体待分析物的检测。
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