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公开(公告)号：CN108091588B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201611045887.1
申请日：2016-11-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种退火工艺方法、工艺腔室及退火设备，在向工艺腔室内传片之前，向工艺腔室内通入第一气体，并使工艺腔室的压力维持在预设的阈值，在向工艺腔室内传片之后，向工艺腔室内通入第二气体，并使工艺腔室内的压力仍然维持在所述阈值，同时对晶片进行退火工艺，保持晶片传入前后，腔室内的压力恒定，可以避免在退火工艺过程中的气体乱流，不但可以降低工艺腔体内温度波动，提高腔室和晶片温度的均匀性，还可以缩短腔室内温度回复稳定的时间，从而提高设备产能。
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公开(公告)号：CN106637124B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201510728965.7
申请日：2015-10-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/50
Abstract: 本发明提供一种用于物理气相沉积的沉积环和物理气相沉积设备。所述沉积环的内周表面上具有环形的内凸台，所述内凸台具有用于承接基片的承接面，所述内凸台上方的内周表面为沿着向上的方向渐开的锥形面。本发明提供的沉积环采用了锥形面和内凸台相结合的设计。通过向下渐缩(即沿向上方向渐开)的锥形面来减小基片的侧面和锥形面之间的缝隙，进而避免在基片的侧面镀膜。并且，还可以使基片的背面边缘直接与凸台的承载面接触，因此避免了背面绕镀的可能。此外，沿向上方向渐开的锥形面还有助于利用重力作用使基片自动地滑落到内凸台的承接面上，使基片准确地落入到预定位置，进而可以容许较大的传入位置偏差。
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公开(公告)号：CN105568244B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201410542012.7
申请日：2014-10-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/50
Abstract: 本发明提供了一种物理气相沉积方法，该方法包括以下步骤：步骤S1，使基片位于在卡盘上，开启上电极电源且保持下电极电源关闭，对基片的整个表面沉积第一厚度的导电薄膜；或者，使基片位于卡盘上，开启上电极电源和下电极电源，对基片的整个表面沉积第一厚度的导电薄膜，并且，设置压环和卡盘之间的间距和下电极电源的输出功率在预设范围内，以满足避免打火现象的发生的要求；步骤S2，使压环将基片固定在卡盘上，压环通过第一厚度的导电薄膜与基片电连接，打开上电极电源和下电极电源，对基片的表面沉积第二厚度的导电薄膜，以使基片完成沉积目标厚度的导电薄膜。本发明提供的物理气相沉积方法可以避免发生打火现象。
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公开(公告)号：CN107871681A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201610854013.4
申请日：2016-09-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种去气腔室和半导体处理装置。该去气腔室包括腔体和片盒，腔体的侧壁上开设有传片口；片盒在腔体内可沿竖直方向移动，还包括设置在腔体内的加热组件，加热组件包括第一光源件和第二光源件，腔体以传片口为界分为第一腔体和第二腔体；第一光源件位于第一腔体内，第二光源件位于第二腔体内；第一光源件和第二光源件用于对片盒内的待去气基片进行均衡加热。该去气腔室通过设置加热组件，能使放置于片盒中的待去气基片都能受到均衡加热，从而确保了待去气基片在去气工艺和取放片过程中的工艺温度均衡，进而不仅提高了待去气基片的去气工艺质量，而且为后续工艺过程提供了更加洁净的基片。
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公开(公告)号：CN107513692A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201710735705.1
申请日：2017-08-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种制膜方法。该制膜方法，用于在晶圆上溅射形成薄膜，包括溅射步骤：所述溅射步骤包括循环的第一溅射阶段和第二溅射阶段，从而调节所述薄膜的密度和应力，直至所述薄膜的厚度满足设定要求。该制膜方法通过向靶材施加脉冲直流溅射方式，并调节所述脉冲直流功率的占空比和/或功率值，来控制薄膜的沉积速率，实现在高功率下，增加溅射能量但并不增加薄膜的沉积速率，平衡沉积速率和溅射能量的关系，达到增加薄膜的致密性，并适当降低薄膜的沉积速率，延长薄膜工艺时间，增加生产稳定性，获得应力更大的薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114774872B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202210467364.5
申请日：2022-04-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本申请公开一种磁控管装置及磁控溅射设备，磁控管装置用于作用靶材组件而溅射粒子。磁控管装置包括第一磁控管、第二磁控管和第一驱动机构，其中：第一驱动机构与第一磁控管和第二磁控管均相连，第一驱动机构用于驱动第一磁控管和第二磁控管移动而使其中一者靠近靶材组件、且另一者远离靶材组件；在第一磁控管靠近靶材组件的情况下，第一磁控管与靶材组件的环带区域对应布置；在第二磁控管靠近靶材组件的情况下，第二磁控管与靶材组件的中部区域对应布置。上述方案能够防止靶材的中部区域沉积溅射粒子。
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公开(公告)号：CN114774872A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210467364.5
申请日：2022-04-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本申请公开一种磁控管装置及磁控溅射设备，磁控管装置用于作用靶材组件而溅射粒子。磁控管装置包括第一磁控管、第二磁控管和第一驱动机构，其中：第一驱动机构与第一磁控管和第二磁控管均相连，第一驱动机构用于驱动第一磁控管和第二磁控管移动而使其中一者靠近靶材组件、且另一者远离靶材组件；在第一磁控管靠近靶材组件的情况下，第一磁控管与靶材组件的环带区域对应布置；在第二磁控管靠近靶材组件的情况下，第二磁控管与靶材组件的中部区域对应布置。上述方案能够防止靶材的中部区域沉积溅射粒子。
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公开(公告)号：CN108538776B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201810271475.2
申请日：2018-03-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 本申请提供了一种静电卡盘，包括：电极，以及包覆在所述电极外的介质层；以及设置在所述介质层上表面的多个彼此独立的凸点；其中所述凸点由具有10‑4‑109Ω·cm电阻率的无氢非晶碳层构成。本申请还提供了制备这种静电卡盘的方法。采用无氢非晶碳作为静电卡盘上的凸点材料不仅耐磨、硬度高、电阻率低且耐高温。
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公开(公告)号：CN110512178B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201810493616.5
申请日：2018-05-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种腔室内衬、工艺腔室和半导体处理设备。腔室内衬用于在工艺腔室内形成限制等离子体分布的工艺空间，包括：第一围挡部；自第一围挡部向工艺空间内侧弯折延伸形成的过渡连接部；自过渡连接部向背离第一围挡部的方向弯折延伸形成的第二围挡部；第一围挡部、过渡连接部和第二围挡部共同形成工艺空间；过渡连接部上设置有第一收容结构，用于收容工艺腔室内产生的颗粒杂质。通过所设置的第一收容结构，能够有效收集工艺腔室内产生的颗粒杂质，从而能够避免该些颗粒杂质落到工艺腔室中的硅片表面，进而能够提高硅片的工艺良率，降低制作成本。
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公开(公告)号：CN108456859B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201710096324.3
申请日：2017-02-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供了一种磁控溅射腔室，包括基座；用于承载基片的所述基座的上表面倾斜设置，在承载基片时，用以使基片上沉积厚度较薄的基片区域相对沉积厚度较厚的基片区域距离靶材位的距离较近。本发明还提供一种包含该磁控溅射腔室的磁控溅射设备。该磁控溅射腔室和磁控溅射设备，可以获得薄膜厚度均匀性较好的薄膜。
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