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公开(公告)号:CN1213175C
公开(公告)日:2005-08-03
申请号:CN01104686.4
申请日:1996-10-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C25F3/12 , C25F7/00 , H01L21/306 , H01L21/465 , H01L31/18
CPC classification number: C25F3/14 , C25F3/12 , H01L31/186 , H01L31/1884 , H01L31/208 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 刻蚀物体的方法和刻蚀装置,该方法包括:将物体浸入电解液作负电极;设置具有相应图形的相对电极,与物体维持预定间隔;物体和相对电极之间加直流或脉冲电流,将物体上要刻蚀的区域刻蚀成相对应的图形。该刻蚀装置包括:固定基片的基片固定部件;装电解液的电解槽;移动基片固定部件的移动装置;和固定相对电极的相对电极固定部件,使所说相对电极位于固定于基片固定部件上的基片的对面。
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公开(公告)号:CN1193433C
公开(公告)日:2005-03-16
申请号:CN01122638.2
申请日:1995-05-19
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/03921 , H01L31/048 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供了一种光电装置,该光电装置包括至少一根位于光电元件的一个表面上用于收集由该光电元件产生的电能的金属线,该金属线在其整个长度的范围内被涂覆了一种导电粘合剂并被固定在该光电元件上。在低成本高可靠性地生产光电装置过程中生产该光电装置无需涂覆和固化该导电粘合剂。
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公开(公告)号:CN1437270A
公开(公告)日:2003-08-20
申请号:CN02149932.2
申请日:1995-11-03
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/036 , H01L31/075 , H01L31/042 , H01L31/10 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/075 , Y02E10/548
Abstract: 一种有高释出电压的光电元件,它能抑制载流子从上电极注入处于发生层的最上层处的p-半导体中。按本发明的光电元件、其中,用“n”表示的n-型半导体层。用“i”表示的i-型半导体层和用“p”表示的p-型层依次叠置于衬底上,构成包含nip结的结构,发生层包括至少一个所设置的这种结构上电极放在位于发生层最上表面上的p-型层上构成光电元件,其特征是位于发生层的最上表面上的p-型层由与i-层连接的含晶第一p-层和与上电极连接的非晶的第二p-层构成。
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公开(公告)号:CN1323067A
公开(公告)日:2001-11-21
申请号:CN00137666.7
申请日:2000-11-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/00
CPC classification number: H01L31/0512 , H01L31/0201 , H01L31/022433 , Y02E10/50
Abstract: 一种光电元件,具有一个设置在光电元件表面用于输出光电元件产生的电功率的导线和一个与导线电连结并形成连结部分的电极,其特征在于导线与电极的连结部分至少有一个第一连结部分和一个与第一连结部分相邻的第二连结部分,第二连结部分具有大于第一连结部分的弹性。一种制造光电元件的方法。一种在包线和导体之间形成电连接的方法,包括去除包线的包层部分的方法和连结包线和导体的方法。
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公开(公告)号:CN1321797A
公开(公告)日:2001-11-14
申请号:CN01104686.4
申请日:1996-10-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C25F3/12 , C25F7/00 , H01L21/306 , H01L21/465 , H01L31/18
CPC classification number: C25F3/14 , C25F3/12 , H01L31/186 , H01L31/1884 , H01L31/208 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 刻蚀物体的方法和刻蚀装置,该方法包括:将物体浸入电解液作负电极;设置具有相应图形的相对电极,与物体维持预定间隔;物体和相对电极之间加直流或脉冲电流,将物体上要刻蚀的区域刻蚀成相对应的图形。该刻蚀装置包括:固定基片的基片固定部件;装电解液的电解槽;移动基片固定部件的移动装置;和固定相对电极的相对电极固定部件,使所说相对电极位于固定于基片固定部件上的基片的对面。
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公开(公告)号:CN1222761A
公开(公告)日:1999-07-14
申请号:CN98126158.2
申请日:1998-11-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/28 , H01L23/29 , H01L31/042
CPC classification number: H01L31/0504 , H01L23/051 , H01L23/3157 , H01L24/33 , H01L27/1421 , H01L31/0508 , H01L2224/83801 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01061 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12032 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/181 , H01L2924/207 , H01L2924/3011 , H02S20/23 , Y02B10/12 , Y02E10/50 , H01L2924/01046 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/0002 , H01L2924/00012
Abstract: 一种非模制半导体器件,包括固定于两个外部连接接线端之间并与接线端电连接的半导体芯片;在邻接半导体芯片的区域或在其邻接半导体芯片及其附近的区域上,两个接线端中的至少一个接线端有与其它区域硬度不同的硬度。该非模制半导体器件可以很好地抵抗外力,并当其用于光电器件模块时,还可以提供具有高可靠性的非模制半导体器件。
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公开(公告)号:CN1221224A
公开(公告)日:1999-06-30
申请号:CN98123228.0
申请日:1998-12-22
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/0512 , H01L31/022433 , H01L31/0508 , Y02E10/50
Abstract: 在包括用金属部件电连接的多个光致电压器件的一种光致电压器件模块中,以这样的方式设置了绝缘部件—即使得光致电压器件的边缘部分与金属部件之间的接触得到了避免。这能够提供一种成本低廉的、能够方便地操作并具有高度可靠性的光致电压器件模块。
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公开(公告)号:CN1170964A
公开(公告)日:1998-01-21
申请号:CN97113711.0
申请日:1997-05-16
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0392
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/03921 , H01L31/208 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种制造光电元件的方法,所述方法包括步骤:提供光电元件,该光电元件包括:下电极层,下电极层包括由A1或铝化合物构成的金属层和透明导电层;光电转换半导体层;和透明电极层,它们以所述次序层叠在基片的导电表面上;把所述光电元件浸入在电解溶液中,以通过电场作用钝化在所述光电元件中存在的短路电流通路缺陷,其中所述电解溶液具有0.03mol/l或更少的氯离子含量。
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公开(公告)号:CN1163948A
公开(公告)日:1997-11-05
申请号:CN96119282.8
申请日:1996-10-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C25F3/12 , H01L21/465 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: C25F3/14 , C25F3/12 , H01L31/186 , H01L31/1884 , H01L31/208 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 刻蚀物体的方法和刻蚀装置,该方法包括:将物体浸入电解液作负电极;设置具有相应图形的相对电极,与物体维持预定间隔;物体和相对电极之间加直流或脉冲电流,将物体上要刻蚀的区域刻蚀成相对应的图形。该刻蚀装置包括:固定基片的基片固定部件;装电解液的电解槽;移动基片固定部件的移动装置;和固定相对电极的相对电极固定部件,使所说相对电极位于固定于基片固定部件上的基片的对面。
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公开(公告)号:CN1131824A
公开(公告)日:1996-09-25
申请号:CN95120983.3
申请日:1995-11-03
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/036 , H01L31/075 , H01L31/042 , H01L31/10 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/075 , Y02E10/548
Abstract: 一种有高释出电压的光电元件,它能抑制载流子从上电极注入处于发生层的最上层处的p-半导体中。按本发明的光电元件、其中,用“n”表示的n-型半导体层。用“i”表示的i-型半导体层和用“p”表示的p-型层依次叠置于衬底上,构成包含nip结的结构,发生层包括至少一个所设置的这种结构上电极放在位于发生层最上表面上的p-型层上构成光电元件,其特征是位于发生层的最上表面上的p-型层由与i-层连接的含晶第一p-层和与上电极连接的非晶的第二p-层构成。
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