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公开(公告)号：CN104218131B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410238906.7
申请日：2014-05-30
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L21/02609 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/2003
Abstract: 本发明涉及用于在凹凸衬底上生长第III族氮化物半导体晶体的方法以及第III族氮化物半导体。其中第一条纹的柱的第一处理侧表面形成为使得生长的第III族氮化物半导体的低指数面之中的最平行于第一处理侧表面的平面为m面(10-10)，并且通过将第一处理侧表面的法向矢量正交投影到主表面而得到的第一横向矢量与通过将m面的法向矢量正交投影到主表面而得到的m轴投影矢量之间的第一角度为从0.5°至6°。第二条纹的柱的第二处理侧表面形成为使得最平行于生长的第III族氮化物半导体的低指数面之中的第二处理侧表面的平面为a面(11-20)，并且第二横向矢量与a面的a轴投影矢量之间的第二角度为从0°至10°。
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公开(公告)号：CN103682001B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310381656.8
申请日：2013-08-28
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 奥野浩司
IPC: H01L33/06
Abstract: 本发明涉及第III族氮化物半导体发光器件。具体而言，本发明提供一种呈现出改进的发光效率的第III族氮化物半导体发光器件。发光层具有MQW结构，在MQW结构中重复沉积有多个层单元，每个层单元包括依次沉积的阱层、盖层和势垒层。阱层由InGaN形成，盖层具有在阱层上按以下顺序沉积的GaN层和AlGaN层的结构，以及势垒层由AlGaN形成。AlGaN层的Al组成比高于势垒层的Al组成比。当发光层沿厚度方向划分为n型覆层侧的前部和p型覆层侧的后部时，在前部中的AlGaN层的Al组成比低于在后部中的AlGaN层的Al组成比。
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公开(公告)号：CN105914264A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610094614.X
申请日：2016-02-19
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 奥野浩司
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/0075 , H01L33/02 , H01L33/32
Abstract: 提供了一种用于制造具有低驱动电压的第III族氮化物半导体发光器件的方法，所述方法通过急剧增加p型半导体层中的Mg浓度来实现。该制造方法包括以下步骤：形成n型接触层；形成n侧高静电击穿电压层；形成n侧超晶格层；形成发光层；形成p型覆层；形成p型中间层；以及形成p型接触层。形成p型覆层的步骤包括：在第一时间段TA1期间供应掺杂剂气体而不供应含有第III族元素的第一原料气体(TMG)；以及在第一时间段TA1之后的第二时间段TA2期间供应第一原料气体(TMG)和掺杂剂气体以生长半导体层。
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公开(公告)号：CN103165785B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201210548623.3
申请日：2012-12-17
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 奥野浩司
Abstract: 本发明提供用于制造半导体器件的方法。具体而言，提供一种用于制造包括p电极和由氮化物半导体形成的p型接触层的半导体器件的方法，该方法意在改善p型接触层与p电极之间的欧姆接触。在该制造方法中，在蓝宝石衬底上依次形成低温缓冲层、n型接触层、n型ESD层、n型SL层、MQW层以及p型覆层。随后，在p型覆层上依次形成第一p型接触层和第二p型接触层。通过使用氮和氢的气体混合物作为载气来形成第一p型接触层。通过仅使用氢作为载气来形成第二p型接触层。
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公开(公告)号：CN102077370B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN200980124817.7
申请日：2009-09-17
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 奥野浩司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明的目的是改善多量子阱结构的III族氮化物基化合物半导体发光器件的光提取效率。所述器件包括多量子阱结构，所述多量子阱结构包括阱层，其包括组成中至少具有In的半导体；保护层，其包括组成中至少具有Al和Ga的半导体，其带隙大于所述阱层的带隙，并且其接触并形成在所述阱层的正电极侧上。所述器件还包括势垒层，其带隙大于所述阱层的带隙并且小于所述保护层的带隙，并且其接触并形成在所述保护层的正电极侧上；和所述阱层、所述保护层和所述势垒层的周期性结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103996762A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410048599.6
申请日：2014-02-12
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 奥野浩司
Abstract: 本发明提供了一种通过使发光层中生成的压电场弛豫而未使发光层的结晶质量劣化来实现表现出高发光效率的第III族氮化物半导体器件及其制造方法。发光器件具有层单元重复沉积的发光层。每个层单元包括依下述顺序沉积在n侧超晶格层上的AlGaN层、n型InGaN层、InGaN层、GaN层以及AlGaN层。n型InGaN层以1×1017/cm3至3×1018/cm3的Si浓度掺杂有Si。
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公开(公告)号：CN102208511B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201110081872.1
申请日：2011-03-29
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体发光器件，其表现出改善的发光性能而不增加驱动电压。所述III族氮化物半导体发光器件至少包括：n型层侧覆层、发光层和p型层侧覆层，所述层均由III族氮化物半导体形成。n型层侧覆层为具有包括InyGa1-yN(0＜y＜1)层、AlxGa1-xN(0＜x＜1)层和GaN层的周期性结构的超晶格层。AlxGa1-xN(0＜x＜1)层的厚度为使得电子隧穿AlxGa1-xN层并且空穴被限制在发光层中。
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公开(公告)号：CN101883881B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200980101248.4
申请日：2009-01-27
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L21/0242 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/007
Abstract: 为了制造具有m面主表面和均匀取向的晶轴的III族氮化物系化合物半导体。在蓝宝石衬底的a面主表面中形成具有侧表面的台面，该侧表面具有与c面成45°或更小的倾角。随后，在300-420℃下供应三甲基铝，从而形成具有或更小厚度的铝层。将铝层氮化以形成氮化铝层。通过该程序，在具有a面主表面的蓝宝石衬底中，III族氮化物系化合物半导体仅从具有与c面成45°或更小倾角的台面侧表面外延生长。因此，可形成具有与蓝宝石衬底的主表面平行的m面的III族氮化物系化合物半导体。
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公开(公告)号：CN102810607A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210169886.3
申请日：2012-05-28
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: C23C16/301 , C23C16/45523 , H01L33/0075
Abstract: 本发明提供了一种用于制造驱动电压被减小的III族氮化物半导体发光器件的方法。在该制造方法中，p覆层具有其中交替地沉积了具有0.5nm至10nm厚度的p-AlGaN层以及InGaN层的超晶格结构。p-AlGaN层的生长温度是800℃至950℃。通过在将p-AlGaN层保持于生长温度的同时停止TMA的供应、引入TMI并增大Ga源气体的供应量，在p-AlGaN层上形成具有一至两个单层的厚度的InGaN层。由此，可以在保持良好的晶体质量的同时减小p覆层的厚度，从而减小驱动电压。
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公开(公告)号：CN101847577B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201010135194.8
申请日：2010-03-15
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 奥野浩司
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02573 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02609
Abstract: 一种制造III族氮化物半导体的方法，所述方法包括：制备包括缓冲层的衬底；在所述缓冲层上通过MOCVD由III族氮化物半导体在掺杂反表面活性剂的同时形成第一层，其中所述第一层的厚度等于或小于2μm；在所述第一层上通过MOCVD由III族氮化物半导体在掺杂表面活性剂和反表面活性剂中至少其一的同时形成第二层；和通过在形成所述第二层期间调节所掺杂的表面活性剂和反表面活性剂的量来控制所述第二层的结晶品质和表面平坦性。
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