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公开(公告)号：CN106048555A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610370844.4
申请日：2016-05-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: C23C16/26 , C23C16/44 , H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种利用石墨烯插入层在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法及该方法制成的AlN薄膜外延结构。所述方法包括：S1、在一临时衬底上生长单层石墨烯；S2、将所述临时衬底上的生长的单层石墨烯转移到所述玻璃衬底上；S3、在表面具有单层石墨烯的玻璃衬底上生长AlN薄膜。本发明利用石墨烯作为插入层，可以解决外延薄膜和非晶玻璃衬底晶格不匹配问题，为AlN外延提供模版，改善了在非晶衬底上外延AlN的薄膜质量。
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公开(公告)号：CN103645033B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310616446.2
申请日：2013-11-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种利用变激光激发密度荧光光谱测试LED内量子效率的方法，制作测试样品，所述测试样品具有量子阱结构，从下至少依次包括衬底、低温成核层、低温缓冲层、n型层、有源区和p型层；将LED样品装入光谱仪的样品室内，在激光器到样品的光路上放置圆衰减片，通过调节衰减片位置，实现激光功率的连续可调；然后放置一分支光路，其分光比例一定，通过分支光路的实时测量来获取测试光路的激光功率，并测量测试光路的光斑大小来获得激光激发密度；通过改变激光圆衰减片位置，测量不同的激光功率并计算相应的激光激发密度，然后通过探测器获得相应的荧光光谱；计算并列表激光激发密度和对应的荧光光谱积分强度；根据速率方程和内量子效率定义，拟合得出内量子效率。
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公开(公告)号：CN105405938A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201511006149.1
申请日：2015-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/005 , H01L33/02 , H01L33/06
Abstract: 本发明公开了一种可见光通信用单芯片白光LED，所述LED包括：衬底；缓冲层，形成于所述衬底的上表面；n型半导体层，形成于所述缓冲层的上表面，所述n型半导体层的一侧向下形成有台面，所述台面的深度小于所述n型半导体层的厚度；复合发光区，形成于所述n型半导体层除台面外的上表面；p型半导体层，形成于所述复合发光区的上表面；透明导电层，形成于所述p型半导体层的上表面；p电极和n电极，分别形成于所述透明导电层和n型半导体层的一侧台面上。本发明还提供一种可见光通信用单芯片白光LED的制备方法。根据本发明可以得到一种高光效、高带宽的双波段可见光通信用单芯片白光光源。
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公开(公告)号：CN103487611B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310432177.4
申请日：2013-09-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R1/04
Abstract: 本发明提供了一种用于测试LED阵列光源性能的夹具及夹具组合件。该夹具包括：底板10和基板30；变角度连接杆20，包括截旋在一起的第一连接杆20a和第二连接杆20b；其中，第一连接杆20a的顶部和第二连接杆20b的底部分别与基板30和底板10相连，且第一连接杆20a和第二连接杆20b其中之一可相对于其中另一沿两者的中心轴线旋转。本发明夹具能够使光源或探测元件阵列准确的被固定在需要的角度并能保证角度固定进行各种光电性能测试。
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公开(公告)号：CN103645033A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310616446.2
申请日：2013-11-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种利用变激光激发密度荧光光谱测试LED内量子效率的方法，制作测试样品，所述测试样品具有量子阱结构，从下至少依次包括衬底、低温成核层、低温缓冲层、n型层、有源区和p型层；将LED样品装入光谱仪的样品室内，在激光器到样品的光路上放置圆衰减片，通过调节衰减片位置，实现激光功率的连续可调；然后放置一分光光路，其分光比例一定，通过分支光路的实时测量来获取测试光路的激光功率，并测量测试光路的光斑大小来获得激光激发密度；通过改变激光圆衰减片位置，测量不同的激光功率并计算相应的激光激发密度，然后通过探测器获得相应的荧光光谱；计算并列表激光激发密度和对应的荧光光谱积分强度；根据速率方程和内量子效率定义，拟合得出内量子效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103487611A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310432177.4
申请日：2013-09-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01R1/04
Abstract: 本发明提供了一种用于测试LED阵列光源性能的夹具及夹具组合件。该夹具包括：底板10和基板30；变角度连接杆20，包括截旋在一起的第一连接杆20a和第二连接杆20b；其中，第一连接杆20a的顶部和第二连接杆20b的底部分别与基板30和底板10相连，且第一连接杆20a和第二连接杆20b其中之一可相对于其中另一沿两者的中心轴线旋转。本发明夹具能够使光源或探测元件阵列准确的被固定在需要的角度并能保证角度固定进行各种光电性能测试。
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公开(公告)号：CN103487610A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310432147.3
申请日：2013-09-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种用于测试器件光电性能的夹具及夹具组件。该夹具包括：滑动基座10；变角度底盘30，呈圆形板状结构，具有角度标识；第一支架40，呈垂直于所述变角度底盘30所在平面的平板结构，其下方固定三角标志41，该三角标志41的尖端朝向所述变角度底盘30的角度标识；以及连接杆20，其下端固定于所述滑动基座10，其上端穿过所述变角度底盘30，螺接于所述第一支架40的底部；其中，所述变角度底盘30固定于所述连接杆20，所述第一支架40以所述连接杆为轴，可旋转地位于所述变角度底盘30上。本发明夹具能够使光源或是探测器准确的被固定在需要的角度或任意角度下进行测试。
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公开(公告)号：CN103364032A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310296013.3
申请日：2013-07-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: G01R31/2635 , G01R31/2642
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件或模组在线多功能测试系统及方法，该系统包括电特性发生及测试装置、多个光特性探测及控制装置、光信号处理分析装置、多个热特性探测装置、中央监控及处理计算机、多通道驱动集成控制装置、多个加速多应力控制装置、多个LED器件模组负载装置。利用本发明，实现了在多应力加速老化环境下同时进行加速老化并原位在线监控测试的功能。
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公开(公告)号：CN103325900A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310193912.0
申请日：2013-05-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法，其中表面等离激元增强GaN基纳米柱LED，包括：一衬底；一GaN基LED结构纳米柱阵列，其制作在衬底上，该GaN基LED结构纳米柱阵列的一侧有一台面；一纳米柱侧壁隔离层，其制作在GaN基LED结构纳米柱阵列的侧壁上；一三明治结构填充层，其制作在纳米柱侧壁隔离层外，且填满GaN基LED结构纳米柱阵列的间隙，形成基片；一p面电极，其制作在基片的上表面；一n面电极，其制作在台面上。本发明可以独立于材料生长过程实现表面等离激元与GaN基LED的耦合，并且可以实现小于10nm的近距离耦合。
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公开(公告)号：CN115763657A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211408637.5
申请日：2020-07-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种用于可见光通信的GaN基LED外延结构及其制备方法。包括衬底；缓冲层，位于所述衬底上；n型GaN层，位于所述缓冲层上；n型AlGaN电子阻挡层，位于所述n型GaN层上；InGaN/GaN多量子阱有源区，位于所述n型AlGaN电子阻挡层上；p型GaN层，位于所述InGaN/GaN多量子阱有源区上。本发明提供的LED外延结构降低了电子阻挡层对空穴注入量子阱的阻碍作用，提高了空穴注入效率；并且该LED外延结构还可以提高辐射复合系数，从而同时提高最高光功率和最大调制带宽。
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