公开(公告)号：CN106048555A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610370844.4

申请日：2016-05-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 安平博 ,  赵丽霞 ,  魏同波 ,  陈召龙 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/44 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

CPC classification number: C23C16/26 ,  C23C16/44 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种利用石墨烯插入层在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法及该方法制成的AlN薄膜外延结构。所述方法包括：S1、在一临时衬底上生长单层石墨烯；S2、将所述临时衬底上的生长的单层石墨烯转移到所述玻璃衬底上；S3、在表面具有单层石墨烯的玻璃衬底上生长AlN薄膜。本发明利用石墨烯作为插入层，可以解决外延薄膜和非晶玻璃衬底晶格不匹配问题，为AlN外延提供模版，改善了在非晶衬底上外延AlN的薄膜质量。