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公开(公告)号：CN103413886A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310379728.5
申请日：2013-08-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种具有可调输出光色的发光二极管模组的制备方法，包括以下步骤：步骤1：取一外延片；步骤2：在外延片上制备发光二极管阵列；步骤3：在制作有发光二极管阵列的外延片上涂覆荧光粉；步骤4：对外延片进行减薄划裂，得到发光二极管单元；步骤5：取一基板，基板的一面制备有导电通孔、金属焊点和导电通道，基板的另一面制备有与导电通孔连接的金属电极，将电路导入基板的背面；步骤6：将发光二极管单元的电极与基板上对应的金属焊点连接，将发光二极管单元固定在基板上，将基板划裂切割开来，形成发光二极管模组，完成具有可调输出光色的发光二极管模组的制备。本方法具有简化工艺路径，降低工艺成本的优点。可以对发光二极管模组的尺寸和模组中发光二极管的间距进行精确控制。
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公开(公告)号：CN103227250A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310163419.4
申请日：2013-05-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法，包括：一外延结构包括在图形衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层、N型GaN层、量子阱层和P型GaN层；在P型GaN层上形成一透明电极层；在透明电极层上形成图形掩膜，在透明电极层上选择性向下刻蚀在N型GaN层上形成凹槽；在透明电极层的表面及凹槽内制作绝缘介质层，在绝缘介质层上制作图形掩膜，在凹槽底部向下选择性刻蚀，形成隔离的深槽，被深槽隔离后的独立单元为微晶粒；在深槽两侧的侧壁上制作绝缘介质层；在其表面制作一层柔性透明导电层；去掉绝缘介质层以外的柔性透明导电层，使其将各独立单元的微晶粒的N型GaN层和其相邻微晶粒的透明电极层连接起来；在透明电极层上制备P电极；在凹槽内的N型GaN层上制备N电极。
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公开(公告)号：CN103000775A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210550029.8
申请日：2012-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，在该衬底的侧面用激光打孔，形成光子晶体结构；步骤2：在衬底上采用MOCVD方法依次生长成核层、N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；步骤3：采用光刻的方法，在ITO层上的一侧向下刻蚀，形成台面；步骤4：在ITO层上制备P型电极；步骤5：在台面上制备N型电极，完成制备。
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公开(公告)号：CN102969418A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210506365.2
申请日：2012-11-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构，包括：一衬底，该衬底的下面开有一沟槽，在沟槽的一侧开有一通孔；一N型掺杂层生长在衬底上，该N型掺杂层的宽度小于衬底的宽度，该N型掺杂层未覆盖衬底上的通孔；一多量子阱发光层生长在N型掺杂层上；一P型掺杂层生长在多量子阱发光层上；一ITO层生长在P型掺杂层上；一绝缘层制作在N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层的侧壁上，及衬底上的通孔的侧壁上；一导电层制作在绝缘层上，并覆盖部分ITO层的上表面；一P型电极制作在ITO层上表面的中心部位，并与导电层相连接；一金属电极制作在衬底下面沟槽的侧壁面上，并覆盖衬底的部分下表面。
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公开(公告)号：CN102969413A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210548464.7
申请日：2012-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种激光诱导空气隙发光二极管的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，采用激光器在距衬底上表面30um的内部形成规则网状空气隙；步骤2：在衬底上采用MOCVD方法依次生长成核层、N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；步骤3：采用光刻的方法，在ITO层上的一侧向下刻蚀，刻蚀深度到达N型掺杂层内，形成台面；步骤4：在ITO层上未刻蚀的一侧上制备P型电极；步骤5：在台面上制备N型电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102903805A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210405495.7
申请日：2012-10-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种制作倒装高电压交直流发光二极管的方法，包括如下步骤：步骤1：在一上衬底上依次生长成核层、N型掺杂层、发光层和P型掺杂层；步骤2：在P型掺杂层的表面向下刻蚀，刻蚀深度到达上衬底的表面，形成相互绝缘的发光单元；步骤3：在P型掺杂层的表面向下刻蚀，刻蚀深度到达N型掺杂层内，形成台面；步骤4：在每一P型掺杂层上制作P电极；步骤5：在N型掺杂层的台面上制备N电极，形成LED芯片；步骤6：在一下衬底上生长一层绝缘层；步骤7：在绝缘层上制作金属层，形成倒装基板；步骤8：将LED芯片通过共晶键合的方法倒装在倒装基板上，所述LED芯片上的每一发光单元中的P电极与相邻发光单元中的N电极或P电极通过金属层电连接，完成制备。
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公开(公告)号：CN102832225A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210339269.3
申请日：2012-09-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种空气桥电极互联阵列式LED器件的制作方法，包括：选择性刻蚀外延结构上的N型氮化镓层，形成N型台阶，制作掩膜，形成隔离的深槽；沉积绝缘介质层，腐蚀掉深槽侧壁以外的绝缘介质层；在外延结构表面制作一层薄膜材料；制作掩膜，去掉除深槽以外的薄膜材料，使深槽中填满薄膜材料；在外延结构的上表面，通过旋涂光刻胶，制作掩膜；将电极图形转移到外延结构和薄膜材料上；制作金属层；采用lift-off工艺，形成金属电极；将深槽内的薄膜材料去掉形成悬空的桥型电极互联结构。其可解决侧壁的金属电极很薄导致的电压增高问题，可有效的增加出光面积，而且避免因钝化失效造成的短路现象，增加可靠性。
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公开(公告)号：CN102637810A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210123623.9
申请日：2012-04-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种LED封装结构及封装成型方法，该LED封装结构包括：一LED支架；一LED芯片，固定于LED支架的表面；两条金属线，用于LED支架与LED芯片的连接；多层硅胶层，封盖于LED支架、LED芯片和两条金属线上。通过本发明的LED封装方法得到的封装结构，可以有效的改善LED的光斑和光型，使LED出光均匀，减少光功率损失，提高外量子效率和LED可靠性，降低光衰。
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公开(公告)号：CN102593301A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210052920.9
申请日：2012-03-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种侧面粗化的发光二极管，包括：一衬底，该衬底的侧面经粗化处理；一成核层，其制作在侧面粗化的衬底上；一N型掺杂层，其制作在成核层上，该N型掺杂层有一台面；一多量子阱发光层，其制作在N型掺杂层台面的另一侧上，该多量子阱发光层为10个周期交替生长的氮化镓/铟镓氮；一P型掺杂层，其制作在多量子阱发光层上；一ITO层，其制作在P型掺杂层上；一P型金属电极，其制作在ITO层上；一N型金属电极，其制作在掺杂层的台面上。本发明可以提高出光效率，使得发光二极管外量子效率提升，特别适合大尺寸功率型晶粒的制作。
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公开(公告)号：CN102569566A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210060166.3
申请日：2012-03-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种氮化镓基LED芯片立式封装的方法，具体步骤包括：超声波清洗功率型LED支架，烘干；在功率型LED支架表面的中心涂覆一层光刻胶，光刻胶涂覆的面积和LED芯片面积大小相同；用固晶机将LED芯片固定在光刻胶涂覆的位置，然后放入烘箱烘烤，使LED芯片固定于支架上；用金线将LED芯片的电极与LED支架相连；将LED芯片与LED支架一起浸泡，使打好金线的LED芯片与LED支架分离；将银浆涂覆在功率型LED支架上，然后将LED芯片竖立地固定在LED支架上，以LED芯片侧面接触LED支架；在竖立的LED芯片的表面涂覆荧光粉；在LED芯片上方的上方盖合一透镜；在透镜内填充硅胶，并固化，完成LED芯片立式封装的制备。提高了LED器件的提取效率，同时也大大改善了其远场分布。
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