-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107957304A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201711103665.5
申请日：2017-11-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于二维电子气的MEMS压力传感器及其制备方法，所述MEMS压力传感器包括：衬底和玻璃板，其中所述衬底的背面有一背腔，所述衬底的背面与所述玻璃板键合，所述背腔与所述衬底的正面之间的部分构成感压薄膜，所述感压薄膜上设置有二维电子气层形成的压敏电阻条，所述感压薄膜和所述压敏电阻条上设置有绝缘层，所述压敏电阻条两端的绝缘层被刻蚀形成电学接触孔，所述压敏电阻条两端和所述电学接触孔上沉积有第一金属层，所述第一金属层上设置有第二金属层，所述第二金属层形成电学互联引线和压焊块。本发明的压力传感器灵敏度高、稳定性强，可以满足工业苛刻环境中的使用。
-
公开(公告)号：CN103579424A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310587155.5
申请日：2013-11-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079
Abstract: 本发明公开了一种制备低反射率蓝宝石图形衬底的方法，包括：在蓝宝石衬底上生长掩膜材料；对掩膜材料进行光刻，得到具有周期尺寸图形的掩膜；湿法腐蚀蓝宝石衬底得到一定深度的凹坑；干法刻蚀蓝宝石衬底，直至掩膜退缩完全；表面清洗。本发明提供的这种干湿法相结合的技术来制备低反射率蓝宝石图形衬底的方法，通过先在不消耗掩膜的情况下湿法腐蚀蓝宝石衬底，再进行干法刻蚀蓝宝石衬底，而且极大的提高了掩膜的利用率，使同样周期的图形可以实现更深的深度，达到低反射率的目的。
-
公开(公告)号：CN103105325A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310038944.3
申请日：2013-01-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种水平全限制相变量子点相变机理的检测方法。该方法在多种相变材料在水平金属电极间的高精度自对准制备的基础上，通过加电脉冲控制全限制量子点的相变，并且采用TEM对相变过程进行实时监测、记录，从而能够实时检测各量子点的相变，近似地模拟相同尺寸下垂直结构PCRAM的相变过程。
-
公开(公告)号：CN102723357A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210110576.4
申请日：2012-04-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/10 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 一种沟道型碳化硅肖特基二极管，包括：一外延片，具有上、下表面，该外延片的上面向下开有一沟道，该沟道内的底部注入有P型离子，在该沟道的底部形成P+区；一氧化膜层，制作在外延片沟道的内壁面上，该氧化膜层的厚度为10纳米-10微米；一多晶硅层，制作在氧化膜层上，并充满外延片的沟道内；一肖特基金属电极，制作在外延片上，并覆盖该外延片的沟道；一欧姆接触电极，制作在外延片的下表面。本发明改进了沟道型肖特基器件的结构，使反向承压时最高场强从沟道金属和氧化硅膜界面处转移到碳化硅外延片中，从而避免破坏性击穿。
-
公开(公告)号：CN102593356A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210088406.0
申请日：2012-03-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种与光刻分辨率无关的水平相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次生长电热绝缘材料层、相变材料层和牺牲材料层；通过光刻和干法刻蚀的方法，形成制备侧墙的台阶；淀积侧墙材料层保形覆盖样品上表面；干法回刻侧墙材料层，去除侧墙材料层，形成高和宽均为纳米尺度的侧墙；湿法腐蚀去除牺牲材料层；干法刻蚀相变材料层，形成相变材料的纳米线；在侧墙材料层的一条边上，制备一条抗腐蚀的电极材料层，横向跨置由牺牲材料层和侧墙材料层构造的纵向叠层纳米线结构；湿法腐蚀去除侧墙材料层；通过金属电极材料层掩膜，干法刻蚀去除电极材料层下方以外的相变材料层；剥离，形成相变材料层全限制在电极材料层间的结构，钝化并引出测试电极，完成器件的制备。
-
-
-
-
Search Results
35
records
(took 0.023 seconds)
