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公开(公告)号：CN102621822A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210107914.9
申请日：2012-04-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种实现曲面到平面超分辨缩小成像光刻的透镜，该透镜包括：可以传输光的平面多层金属-介质膜、可以缩小成像的曲面多层膜、金属掩模结构、粘连剂层及基底。本发明所述透镜简单，可行性高，只需要常规的涂胶、光刻和工艺镀膜，就可以得到物面为曲面、像面为平面的缩小倍率超分辨成像透镜，所述透镜能够传输高频信息、分辨半波长以下图形，具有广阔的应用前景；同时，本发明所述透镜拓展了现有超分辨缩小成像技术的应用范围。
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公开(公告)号：CN102621601A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210107575.4
申请日：2012-04-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种平面像场超分辨成像透镜的制备方法，先选择基底材料；在基底表面旋涂牺牲层，其厚度为d1；在牺牲层上沉积平面多层膜，包括可用于激发表面等离子体的金属膜层和介质膜层，多层膜的厚度为d2；在多层膜上旋涂一层光刻胶，其厚度为d3；在光刻胶上曝光，显影得到所需大小的半圆形结构；将半圆形结构刻蚀转移到多层膜上，形成多层半圆形结构；在多层半圆形结构上沉积曲面多层膜，其厚度为d4；在曲面多层膜上沉积一层铬膜，膜厚为d5；在铬膜上进行开缝，缝宽为d6，间距为d7；在铬膜层上选用粘连剂粘连一块石英片；将基底和石英片泡在丙酮溶液内，通过溶解牺牲层来去掉基底材料。本发明的透镜可以实现图形的超分辨缩小成像。
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公开(公告)号：CN118311838A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410688246.6
申请日：2024-05-30
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开的实施例提供一种吹气承片装置、光刻装置及光刻方法，吹气承片装置包括：吹气承片台，被配置为承托基片，吹气承片台表面为平面，平面被划分为至少一个场区，每个场区用作曝光场和/或压印场；场区内设置有多个贯穿吹气承片台的通气孔；通气控制组件，通过吹气管道与通气孔连通，通气控制组件被配置为通过通气孔向对应的场区通入气体来控制场区内的气压或气流，以控制场区对应的基片的形变量，使场区对应的基片贴合掩模；间隙检测组件，被配置为检测基片与掩模之间的间隙值；控制系统，被配置为基于间隙值控制通气控制组件调整场区内的气压或气流。
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公开(公告)号：CN115831721A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211451697.5
申请日：2022-11-18
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01L21/033
Abstract: 本公开提供了一种基于侧壁保护的硬掩模刻蚀方法，包括：S1，制备超分辨光刻结构，自下而上依次包括衬底、介质层、含碳硬掩模层、含Si抗反射涂层、金属层和感光膜层；S2，在感光膜层中形成光刻图形结构，并依次刻蚀传递至金属层、含Si抗反射涂层，光刻图形结构包括在含Si抗反射涂层中形成的凹陷结构；S3，利用保护气体在含Si抗反射涂层上沉积聚合物，至少使含Si抗反射涂层的凹陷结构侧壁形成聚合物保护层；S4，利用等离子体刻蚀去除凹陷结构底部的聚合物保护层并继续刻蚀含碳硬掩模层，凹陷结构侧壁被聚合物保护层保护；S5，在凹陷结构侧壁的聚合物保护层消耗完之前，重复进行S3～S4，直至将光刻图形结构传递至含碳硬掩模层。
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公开(公告)号：CN115233159A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210942761.3
申请日：2022-08-05
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供了一种低粗糙度和介电常数可控的银膜及其制备方法，该银膜的制备方法包括：S1，向真空腔体中通入氩气与氮气的混合气体，调整银靶材、氮化铝靶材的溅射功率，共同溅射沉积制备得到不同溅射功率下的多个银膜；S2，获取多个银膜的多条介电常数‑波长曲线；S3，基于目标银膜在特定波长下的目标介电常数，根据多条介电常数‑波长曲线，确定银靶材的第一溅射功率、氮化铝靶材的第二溅射功率；S4，向真空腔体中通入氩气与氮气的混合气体，对银靶材使用第一溅射功率、氮化铝靶材使用第二溅射功率，沉积制备得到目标介电常数下的低粗糙度银膜。本公开的方法通过氮化铝的掺杂实现了对银膜介电常数的调控，同时明显降低了银膜的表面粗糙度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115047728A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210776506.6
申请日：2022-07-01
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供了一种等离子体共振腔透镜光刻的成像结构保护方法及其结构，该方法包括：S1，在基底表面沉积反射金属膜层；S2，在反射金属膜层上沉积保护膜层，保护膜层用于保护反射金属膜层；S3，在保护膜层上制备感光膜层；S4，在感光膜层上沉积透明保护膜层，透明保护膜层用于保护感光膜层；S5，在透明保护膜层上沉积透射金属膜层，得到等离子体共振腔透镜光刻的成像结构。本公开通过在反射金属膜层、透射金属膜层上分别设置保护膜层、透明保护膜层，避免了去除金属的腐蚀溶液对感光膜层、显影液对反射金属膜层造成的损伤与破坏，有利于提升等离子体共振腔成像光刻的图形质量。
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公开(公告)号：CN114217510A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111547641.5
申请日：2021-12-16
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供一种光刻方法，包括：在光刻基底表面依次制备叠设的功能膜层、反射式辅助成像膜层及第一光刻胶层。对第一光刻胶层进行光刻，得到第一光刻结构。以第一光刻结构为掩蔽层对反射式辅助成像膜层进行刻蚀，以将第一光刻结构的图形传递到反射式辅助成像膜层上。在反射式辅助成像膜层的图形上依次制备叠设的第二光刻胶层及透射式辅助成像膜层。以反射式辅助成像膜层的图形为掩模进行表面等离子体光刻，去除透射式辅助成像膜层后对第二光刻胶层进行显影，得到第二光刻结构。以第二光刻结构为掩蔽层对功能膜层进行刻蚀，以将第二光刻结构的图形传递至功能膜层，得到第三光刻结构。本公开的方法能够提升光刻的分辨力。
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公开(公告)号：CN103968770B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410192906.8
申请日：2014-05-08
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G01B11/14
Abstract: 本发明提供一种基于表面等离子体共振的高精度纳米间隙检测结构及方法，属于纳米光学技术领域，可解决现有技术测量精度低，无法动态测量等问题。本发明中光源输出光经过准直镜、宽带偏振器入射到分束器；经过分束镜的透射光与纳米间隙检测结构及基底相互作用后，反射光回至分束器；经分束器反射并由透镜会聚后入射至光谱探测器，探测器将探测得到的数据传到计算机，经计算机处理得到间隙值，实现纳米间隙的检测。本发明采用光谱探测的方法可以实现纳米量级间隙的高精度动态检测，为纳米加工、纳米测量领域提供一种全新的测试技术；并有望在包括近场光学，近场物理在内的多个研究领域发挥重要作用。
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公开(公告)号：CN102621822B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201210107914.9
申请日：2012-04-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种实现曲面到平面超分辨缩小成像光刻的透镜，该透镜包括：可以传输光的平面多层金属-介质膜、可以缩小成像的曲面多层膜、金属掩模结构、粘连剂层及基底。本发明所述透镜简单，可行性高，只需要常规的涂胶、光刻和工艺镀膜，就可以得到物面为曲面、像面为平面的缩小倍率超分辨成像透镜，所述透镜能够传输高频信息、分辨半波长以下图形，具有广阔的应用前景；同时，本发明所述透镜拓展了现有超分辨缩小成像技术的应用范围。
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公开(公告)号：CN102621601B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201210107575.4
申请日：2012-04-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种平面像场超分辨成像透镜的制备方法，先选择基底材料；在基底表面旋涂牺牲层，其厚度为d1；在牺牲层上沉积平面多层膜，包括可用于激发表面等离子体的金属膜层和介质膜层，多层膜的厚度为d2；在多层膜上旋涂一层光刻胶，其厚度为d3；在光刻胶上曝光，显影得到所需大小的半圆形结构；将半圆形结构刻蚀转移到多层膜上，形成多层半圆形结构；在多层半圆形结构上沉积曲面多层膜，其厚度为d4；在曲面多层膜上沉积一层铬膜，膜厚为d5；在铬膜上进行开缝，缝宽为d6，间距为d7；在铬膜层上选用粘连剂粘连一块石英片；将基底和石英片泡在丙酮溶液内，通过溶解牺牲层来去掉基底材料。本发明的透镜可以实现图形的超分辨缩小成像。
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