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公开(公告)号：CN102830260B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210275822.1
申请日：2012-08-03
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种获取半导体量子阱中载流子浓度的方法，包括步骤：使用扫描探针显微镜的电学检测模式测量半导体量子阱横截面的局域电导分布；建立反映导电探针-量子阱肖特基接触电导和量子阱中载流子浓度关系的数值模型；根据测得的电导分布确定数值模型的参数和量子阱载流子浓度。该方法的空间分辨高，在分析窄量子阱以及耦合量子阱时具有优势；并且适用于从非简并到简并掺杂条件较宽的载流子浓度范围。该方法对于以量子阱为功能结构的半导体光电器件内在性能分析有重要价值。
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公开(公告)号：CN102928194A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210405502.3
申请日：2012-10-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01M11/00
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面探测器离子注入区陷阱浓度数据的提取方法。它是基于激光辐照在碲镉汞材料上产生光生载流子，载流子扩散至离子注入n区、汞填隙扩散区和p吸收区形成的pn结处被结电场分开形成光电流信号的原理，对pn结光敏元阵列进行一维线性扫描，获得不同温度条件下电流和位置的关系曲线。曲线具有两对光电流峰，曲线的峰间间距代表了光敏元的结区宽度和pn的位置。结合数值模拟，提取获得不同温度下的离子注入区的有效陷阱浓度。本发明对长波碲镉汞红外探测器离子注入区材料优劣的判断具有非常重要的意义。
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公开(公告)号：CN102830260A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210275822.1
申请日：2012-08-03
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种获取半导体量子阱中载流子浓度的方法，包括步骤：使用扫描探针显微镜的电学检测模式测量半导体量子阱横截面的局域电导分布；建立反映导电探针-量子阱肖特基接触电导和量子阱中载流子浓度关系的数值模型；根据测得的电导分布确定数值模型的参数和量子阱载流子浓度。该方法的空间分辨高，在分析窄量子阱以及耦合量子阱时具有优势；并且适用于从非简并到简并掺杂条件较宽的载流子浓度范围。该方法对于以量子阱为功能结构的半导体光电器件内在性能分析有重要价值。
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公开(公告)号：CN101706428B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200910198964.0
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N21/59
Abstract: 本发明公开了一种用脉冲激光泵浦-探测实验检测碲镉汞薄膜材料光学激活深能级上载流子弛豫时间的方法。在对碲镉汞薄膜材料的脉冲激光泵浦-探测实验中，由泵浦光脉冲激发的光生载流子首先被深能级俘获，之后通过复合逐渐恢复到平衡态。在此过程中深能级上部分载流子会被探测光脉冲重新激发进入导带，导致探测光子被大量吸收，使探测光透射强度小于不加泵浦光时的透射强度，造成在相对透射强度的延时变化曲线中出现一个数值为负的吸收谷。这种负的相对透射率随时间逐渐恢复到接近于零的平衡态时的情形，其恢复的时间过程反映出深能级上载流子浓度的变化，体现出深能级上非平衡载流子的弛豫时间。通过理论拟合能够提取出该弛豫时间的数值。
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公开(公告)号：CN102226737A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110071290.5
申请日：2011-03-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种检测半导体发光二极管一次散热性和二次散热性好坏的方法。本发明提出了基于光谱方法的半导体发光二极管结温与时间依赖关系获得半导体发光二极管一次散热性和二次散热性好坏的新方法。通过光学测量方法得到温度和时间的动态曲线，由两段指数拟合该曲线来获得表征该发光二极管一次散热性和二次散热性好坏的相关系数。本发明可以简单方便的确定半导体发光二极管一次散热性和二次散热性的好坏，对于寻找最优化的封装材料和封装结构，提高发光二极管的热可靠性和节约成本具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101231309B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200810033719.X
申请日：2008-02-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种判断氮化镓基发光二极管非辐射复合中心浓度的方法，该方法是通过实测器件电致发光光谱随外注入电流的变化规律与理论计算的结果进行比对，来判断器件结构中非辐射复合中心浓度的大小。本发明方法操作简便，无破坏性；能快速对GaN基LED器件内非辐射复合中心浓度高低的相对状态进行检测，及时推进生产工艺的改进，有利于器件产品的应用分级，对于产品升级换代、降低成本和提高生产效率都具有明显作用。
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公开(公告)号：CN101846808A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010177518.4
申请日：2010-05-14
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种激光选择聚焦器件及其设计方法，激光选择聚焦器件是将具有聚焦功能的激光选择性透镜与普通的光电探测器集成在一起。其中的激光选择性透镜是按照菲涅尔波带片原理蒸镀金属的明暗环制作而成，可以承载在载玻片上，外置于光电探测器外，也可以直接蒸镀在普通的光电探测器的衬底上。该结构器件不仅能够显著削弱激光通信中接收信号的背景噪声，直接提取激光信号并对激光信号进行聚焦，同时能够扩大探测器件的有效光敏面积，提高系统的信噪比。同时，器件的制备也比较简单、易于操作。
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公开(公告)号：CN101196552B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200710171904.0
申请日：2007-12-07
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种判断多量子阱发光二级管材料中高效量子结构存在的方法。该方法是通过注入电流的变化，利用显微荧光光谱仪的面扫描功能对LED发光表面进行光谱扫描测量，根据测得的显微发光光谱线型的演化来判断这种高效量子结构的存在。本发明方法操作简便，无破坏性；不仅可以明确多量子阱外延层中的量子结构，及时推进生产工艺的改进；还可对其在工作电流下发光效率的高低进行预测，有利于器件产品的应用分级，对于产品升级换代、降低成本和提高生产效率都具有重要意义。
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公开(公告)号：CN101769941A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN201010101896.4
申请日：2010-01-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01Q60/30
Abstract: 本发明公开了一种GaN基光伏探测器器件结构的电子学检测方法，该方法是通过测量导电探针与器件结构剖面以及上表面的电位差并进行定标，得出器件结构的表面能带分布；再对得到的表面能带分布进行数值拟合，给出所测台面器件结构的表面电荷密度分布、表面及体内的电场分布等信息。本方法可以对GaN基光伏型探测器件功能材料各个区域的电子学分布特性给予直观的评估；对于改善GaN基光伏探测器件性能和优化器件设计都有重要价值。
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公开(公告)号：CN101109724B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710044935.X
申请日：2007-08-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明提供一种检测InGaN/GaN多量子阱发光二极管内部量子点密度大小的方法。由于InGaN/GaN多量子阱发光二极管为InGaN量子点发光，那么，其内部量子点密度的大小就决定了其发光性能的优劣。本发明根据InGaN/GaN多量子阱发光二极管开启电压随其内部量子点密度增大而逐渐增大的变化关系，通过测量其开启电压的大小来判定其内部量子点密度的大小。在保证电极为欧姆接触的情况下，发光二极管的开启电压越大，其内部量子点密度也就越高。本发明可以简单方便的确定InGaN/GaN多量子阱发光二极管内部量子点密度的相对大小，而且不会造成浪费，对于寻找最优化的生长条件，提高发光二极管的发光效率和节约成本具有重要意义。
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