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公开(公告)号：CN117036660A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310876874.2
申请日：2023-07-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种面阵探测器最大无盲元正方形区域识别与标注方法。本方法步骤包括：1，盲元数据矩阵及结果数据矩阵初始化，2，计算盲元数据矩阵中每个元对应的以该元为起点，向右下方能够扩展的最大无盲元正方形的边长值，将结果存入结果数据矩阵，3，计算结果数据矩阵的最大值及其相应坐标，即为所求最大无盲元正方形区域的大小和左上角顶点坐标，4，画出原始盲元矩阵的盲元分布图，5，在盲元分布图上画出每个最大无盲元正方形区域并标注大小。本发明的优点是实现了面阵探测器中最大无盲元正方形区域的自动识别和标注，方法简洁。
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公开(公告)号：CN114551642B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202210123432.6
申请日：2022-02-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种弱P型碲镉汞外延材料的退火方法。采用双温区退火装置，汞源和碲镉汞材料封装在石英管中，使汞源和碲镉汞样品分别处在双温区退火炉的低温段和高温段，根据所要求的碲镉汞空穴载流子的浓度，分别设置汞源和碲镉汞材料的退火温度，在退火结束后的冷却阶段分别设置汞源和碲镉汞材料的降温速率，使得在整个退火过程中汞蒸气的压力满足碲镉汞材料中汞空位浓度稳定性的要求，从而提高碲镉汞外延材料电学参数的稳定性和退火工艺的重复性。
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公开(公告)号：CN105762209B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201610236574.8
申请日：2016-04-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/103
Abstract: 本发明公开了一种低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片，它包括衬底，碲镉汞p型外延薄膜，离子注入n型区，钝化层，n型区电极，p型区电极，铟柱阵列，它涉及光电探测器件技术。本发明采用将p‑n结制备至碲镉汞材料腐蚀坑内部的结构方案，使得结区位置远离材料表面，避免了清洗、去胶等工艺对光敏元区的作用力导致的缺陷增值引起的探测器性能下降、盲元增加等问题。本发明对降低碲镉汞焦平面的盲元率有很大帮助。
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公开(公告)号：CN104752244A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510145242.4
申请日：2015-03-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/81
Abstract: 本发明公开一种用于红外探测器的原位倒装回熔焊工艺方法。该工艺方法包括：对准、加压及加热三个步骤。该方法的优点在于可以根据实际需要选用铟、金等多种材料制作焊点，简化了焊点制备工艺，降低了对焊点形貌一致性的要求，同时也克服了回熔焊技术对还原性气氛和表面处理的依赖。
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公开(公告)号：CN102818637B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201210273980.3
申请日：2012-08-03
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于采集和处理短波红外探测器阵列弱信号的CTIA结构输入级，一种电流源负载的共源共栅结构运放的CTIA结构的输入级。CTIA结构的运放由M1、M2、M3三个CMOS管构成了CTIA结构的运放，三个管子为电流源负载的共源共栅结构，M1管为电流源负载，M2、M3为共源共栅结构。辅助电压偏置模块由6个CMOS管M4～M9管为该运放提供工作的偏置电压。M4、M7，M8、M9分别构成电流镜，M5、M6为二级管连接结构，参考电流由IBIA端流入，经电流镜将偏置电压赋予M1、M2。CTIA结构很好的实现了面积、性能、功耗的折衷，为大面阵、小像元、弱信号的短波红外探测器器件提供了一种读出电路的解决途径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103762274A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410021010.3
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1876
Abstract: 本发明公开一种去除铟表面氧化层的方法。该技术方案具体包括：清洗等离子体腔体和等离子体处理两步。该方法的优点在于不仅能够去除表面氧化层而且能够有效地防止铟的新鲜表面被再次氧化。
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公开(公告)号：CN102818637A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210273980.3
申请日：2012-08-03
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于采集和处理短波红外探测器阵列弱信号的CTIA结构输入级，一种电流源负载的共源共栅结构运放的CTIA结构的输入级。CTIA结构的运放由M1、M2、M3三个CMOS管构成了CTIA结构的运放，三个管子为电流源负载的共源共栅结构，M1管为电流源负载，M2、M3为共源共栅结构。辅助电压偏置模块由6个CMOS管M4～M9管为该运放提供工作的偏置电压。M4、M7，M8、M9分别构成电流镜，M5、M6为二级管连接结构，参考电流由IBIA端流入，经电流镜将偏置电压赋予M1、M2。CTIA结构很好的实现了面积、性能、功耗的折衷，为大面阵、小像元、弱信号的短波红外探测器器件提供了一种读出电路的解决途径。
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公开(公告)号：CN101872804B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010182280.4
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面列阵器件原位集成红外微凸镜列阵工艺所需的掩模用光刻胶微凸镜列阵的成形方法，它涉及光电探测器件的制造技术。本发明采用高密度、低能量的诱导耦合等离子体(ICP)增强反应离子刻蚀(RIE)方法，仅对红外焦平面探测器表面光刻胶进行局部的等离子体轰击回流的掩模用光刻胶微凸镜列阵成形的技术方案。基于高密度、低能量氧等离子体的光刻胶微凸镜列阵成形方法，只在氧等离子体与光刻胶发生反应的局部区域产生温升回流，解决了采用常规热熔回流进行红外焦平面探测器掩模用光刻胶微凸镜成形时必须经受高温过程的缺点。因而，本发明具有操作简单、可控性好和无需经受高温过程的特点。
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公开(公告)号：CN101726364B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910198962.1
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0296 , G01J5/02
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用在红外焦平面列阵器件光敏感元芯片非电极区域的钝化层表面制作起内反射镜面作用的金属层，来实现红外辐射吸收厚度比红外光敏感元列阵芯片有源区实际厚度大一倍的技术方案，有效解决了红外辐射在红外焦平面列阵器件内部吸收率、内量子效率低的问题。本发明方法具有工艺完全兼容、稳定性好以及不降低光电转换效率的特点。
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公开(公告)号：CN101872803A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010182276.8
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法，它涉及光电探测器材料检测技术。本发明采用高密度、低能量的诱导耦合等离子体(ICP)增强反应离子刻蚀(RIE)的方法，来显现红外CZT衬底缺陷的技术方案，巧妙地运用了ICP增强RIE刻蚀速率的精确可控性，以及在红外CZT衬底正常区域和缺陷区域的不一致性，有效解决了常规缺陷显现方法存在去除衬底速率不可控、缺陷轮廓菱角模糊的问题。本发明方法具有工艺简单、稳定性好以及显现清晰的特点。
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