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公开(公告)号：CN113900008B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202111079609.9
申请日：2021-09-15
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明提供一种测试结构及测试方法，测试结构包括：多条射频链路，各所述射频链路均包括多个焊点以及位于相邻焊点之间与焊点相连接的传输线；不同所述射频链路中至少一处对应的所述传输线的长度不同。对测试结构中的各射频链路进行阻抗测试，以得到各射频链路的阻抗‑时间曲线，根据阻抗‑时间曲线和各射频链路的结构可以识别出长度不同的传输线，从而识别出各射频链路中的焊点和传输线，如果此时有射频链路中存在失效点，由于焊点和传输线已经识别出来，就可以实现对失效点的精确定位，准确分析器件失效位置，满足新型射频器件研制以及应用可靠性研究需求。
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公开(公告)号：CN118191436A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410274244.2
申请日：2024-03-11
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R29/08
Abstract: 本申请涉及一种电磁辐射信息的确定方法、装置和计算机设备。所述方法包括：从待测设备的电磁辐射范围内选择参考测试点，并对参考测试点进行扫描，得到参考测试点的实际电磁场信息；根据参考测试点的实际电磁场信息，从电磁辐射范围内的候选测试点中选择目标测试点，并对所选择的目标测试点进行扫描，得到所选择的目标测试点的实际电磁场信息；根据参考测试点的实际电磁场信息和目标测试点的实际电磁场信息，确定待测设备的电磁辐射信息。实现了仅对目标测试点进行扫描就能够准确的获取到待测设备的电磁辐射信息，相比于传统技术减少了需要扫描的测试点的数量，进而提高了确定待测设备电磁辐射信息的效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111289386B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202010156728.9
申请日：2020-03-09
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种圆片键合剪切强度测试装置及测试方法。其中，圆片键合剪切强度测试装置，包括载体；载体上设有阻挡台；载体用于放置待测芯片；阻挡台用于阻挡待测芯片的圆片键合底层结构的移动；圆片键合底层结构包括依次叠于当前待测键合结构层下表面的各键合结构层；其中，载体的上表面贴合圆片键合底层结构的下表面，阻挡台的壁面贴合圆片键合底层结构远离接触工具的侧面，以使测试设备通过接触工具、对当前待测键合结构层进行剪切强度测试，得到键合剪切强度。本申请适用于MEMS器件大面积圆片键合以及多层键合的剪切强度测试，能够满足MEMS圆片键合剪切强度测试需求。
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公开(公告)号：CN113358991B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110366120.3
申请日：2021-04-06
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及高温栅偏试验技术领域，公开了一种SiC MOSFET器件的高温栅偏试验方法、计算机设备及存储介质，在对所述SiC MOSFET器件进行高温栅偏试验的不同试验节点中对SiC MOSFET器件进行电学参数测试时，若没有及时完成对SiC MOSFET器件的测量，可以对SiC MOSFET器件的应力中断时间进行评估，根据预先获取SiC MOSFET器件的阈值电压漂移变化率与应力中断时间和中断后额外施加应力时间的函数关系，以及应力中断时间获取SiCMOSFET器件的额外施加应力时间。对SiC MOSFET器件施加额外施加应力时间的偏置应力，以使SiC MOSFET器件上的阈值电压恢复至预设阈值后，再及时对SiC MOSFET器件进行测量，以保证此时测量得到的阈值电压可以表现SiCMOSFET器件的真实漂移情况。
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公开(公告)号：CN113029348B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110195899.7
申请日：2021-02-22
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及微纳器件测试技术领域，公开了一种表面温度场信息获取方法。将待测样品安装于实际应用环境中，测试获取待测样品在实际应用环境中的第一频率漂移特性曲线；将待测样品固定于红外成像设备上，测试获取待测样品在红外成像设备上的第二频率漂移特性曲线；根据第一频率漂移特性曲线获取待测样品在第一功率下所对应的第一频率漂移；根据第二频率漂移特性曲线获取待测样品的第一频率漂移所对应的第二功率；对固定于红外成像设备上的待测样品施加第二功率，利用红外成像设备获取待测样品的表面温度场信息。通过建立从实际工作环境到显微红外测试环境的映射，消除了由于显微红外测试环境相对于实际工作环境的热导率存在差异而产生的测试误差。
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公开(公告)号：CN114662373A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210137442.5
申请日：2022-02-15
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/25 , G06F17/18 , G06F11/26 , G06F119/02
Abstract: 本申请涉及一种电子器件的软错误评估方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：获取将面源通过降能片组合照射电子器件的情况下，所述电子器件的单粒子翻转截面值组合；通过对体源照射电子器件的情形进行仿真，获得表面粒子通量组合，所述表面粒子通量组合与将面源通过降能片组合照射电子器件的情况下，获得的所述单粒子翻转截面值组合对应；基于所述单粒子翻转截面值组合和所述表面粒子通量组合，确定所述电子器件的软错误率。采用本方法能够提高电子器件的软错误率的评估精度。
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公开(公告)号：CN113740351A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110924290.9
申请日：2021-08-12
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N21/95
Abstract: 本发明提供一种测试装置及测试方法，包括：过激励模块，用于为被测件提供极端工作条件，以使得被测件在烧毁实验过程中被烧毁；高速摄像模块，用于在烧毁实验过程中对被测件内部进行实时拍摄。本发明的测试装置使用过激励模块激励，对被测件进行烧毁实验，使得被测件被烧毁，在被测件烧毁瞬间，通过高速摄像模块能够清晰拍摄到烧毁瞬间的元器件的状况，拍摄录制烧毁过程，完成画面捕捉。
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