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公开(公告)号：CN113358991A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110366120.3
申请日：2021-04-06
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及高温栅偏试验技术领域，公开了一种SiC MOSFET器件的高温栅偏试验方法、计算机设备及存储介质，在对所述SiC MOSFET器件进行高温栅偏试验的不同试验节点中对SiC MOSFET器件进行电学参数测试时，若没有及时完成对SiC MOSFET器件的测量，可以对SiC MOSFET器件的应力中断时间进行评估，根据预先获取SiC MOSFET器件的阈值电压漂移变化率与应力中断时间和中断后额外施加应力时间的函数关系，以及应力中断时间获取SiCMOSFET器件的额外施加应力时间。对SiC MOSFET器件施加额外施加应力时间的偏置应力，以使SiC MOSFET器件上的阈值电压恢复至预设阈值后，再及时对SiC MOSFET器件进行测量，以保证此时测量得到的阈值电压可以表现SiCMOSFET器件的真实漂移情况。
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公开(公告)号：CN110456264A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910758640.1
申请日：2019-08-16
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/327 , G01R31/00
Abstract: 本申请涉及一种大功率器件功率循环试验结温监测方法、装置和系统。所述方法包括：基于预设测试参数控制电源设备给待测器件上电时，采用瞬态结温监测模型处理壳温和功率损耗得到第一类结温；在监测到上电后的待测器件运行稳定时，采用大电流温敏参数模型处理导通电流值和导通电压值得到第二类结温；在监测到升温时长计时结束、且待测器件的结温的增加值达到预设值时，采用小电流温敏参数模型处理导通电压变化量得到第三类结温；在监测到降温时长计时结束、且待测器件的结温的降低值达到预设值时，对测试次数累加一次，直至测试次数达到预设次数或待测器件失效，从而实现从上电到下电降温对待测器件的结温进行全过程实时监测。
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公开(公告)号：CN108572306B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201810300563.0
申请日：2018-04-04
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种逆导型IGBT的热阻测试电路和方法，包括控制电路、栅极电压源、测试电流源和加热电流源，栅极电压源、测试电流源和加热电流源均连接控制电路，栅极电压源、测试电流源、加热电流源和控制电路均用于连接待测逆导型IGBT。控制电路控制测试电流源、加热电流源和栅极电压源分别提供逆向测试电流、正向加热电流和栅极电压，加热时待测逆导型IGBT正向导通导通后功率加热，测试时，由于逆导型IGBT集成了反向二极管，通过输入逆向测试电流，记录待测逆导型IGBT的降温曲线，根据降温曲线和温敏系数得到热阻值，避免了由于正向测试时回跳现象引起的测试不准确的问题，热阻测试准确性高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108572306A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810300563.0
申请日：2018-04-04
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种逆导型IGBT的热阻测试电路和方法，包括控制电路、栅极电压源、测试电流源和加热电流源，栅极电压源、测试电流源和加热电流源均连接控制电路，栅极电压源、测试电流源、加热电流源和控制电路均用于连接待测逆导型IGBT。控制电路控制测试电流源、加热电流源和栅极电压源分别提供逆向测试电流、正向加热电流和栅极电压，加热时待测逆导型IGBT正向导通导通后功率加热，测试时，由于逆导型IGBT集成了反向二极管，通过输入逆向测试电流，记录待测逆导型IGBT的降温曲线，根据降温曲线和温敏系数得到热阻值，避免了由于正向测试时回跳现象引起的测试不准确的问题，热阻测试准确性高。
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公开(公告)号：CN113358991B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110366120.3
申请日：2021-04-06
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及高温栅偏试验技术领域，公开了一种SiC MOSFET器件的高温栅偏试验方法、计算机设备及存储介质，在对所述SiC MOSFET器件进行高温栅偏试验的不同试验节点中对SiC MOSFET器件进行电学参数测试时，若没有及时完成对SiC MOSFET器件的测量，可以对SiC MOSFET器件的应力中断时间进行评估，根据预先获取SiC MOSFET器件的阈值电压漂移变化率与应力中断时间和中断后额外施加应力时间的函数关系，以及应力中断时间获取SiCMOSFET器件的额外施加应力时间。对SiC MOSFET器件施加额外施加应力时间的偏置应力，以使SiC MOSFET器件上的阈值电压恢复至预设阈值后，再及时对SiC MOSFET器件进行测量，以保证此时测量得到的阈值电压可以表现SiCMOSFET器件的真实漂移情况。
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公开(公告)号：CN110456264B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201910758640.1
申请日：2019-08-16
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/327 , G01R31/00
Abstract: 本申请涉及一种大功率器件功率循环试验结温监测方法、装置和系统。所述方法包括：基于预设测试参数控制电源设备给待测器件上电时，采用瞬态结温监测模型处理壳温和功率损耗得到第一类结温；在监测到上电后的待测器件运行稳定时，采用大电流温敏参数模型处理导通电流值和导通电压值得到第二类结温；在监测到升温时长计时结束、且待测器件的结温的增加值达到预设值时，采用小电流温敏参数模型处理导通电压变化量得到第三类结温；在监测到降温时长计时结束、且待测器件的结温的降低值达到预设值时，对测试次数累加一次，直至测试次数达到预设次数或待测器件失效，从而实现从上电到下电降温对待测器件的结温进行全过程实时监测。
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公开(公告)号：CN108594102B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201810300543.3
申请日：2018-04-04
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种逆导型IGBT的间歇寿命试验电路和方法，包括控制电路、栅极电压源、集电极电压源、测试电流源和电阻，栅极电压源、测试电流源和电阻均连接控制电路，栅极电压源、测试电流源、电阻和控制电路均用于连接逆导型IGBT，集电极电压源与电阻串联连接。控制电路控制测试电流源和集电极电压源分别提供逆向测试电流和集电极电压，在进行测试时，由于逆导型IGBT集成了反向二极管，通过输入逆向测试电流，测试逆导型IGBT的集电极和发射极之间的压降并根据预设的温敏系数，得到结温的变化情况，根据结温变化情况判断器件的状态和退化情况，避免了由于正向测试时回跳现象引起的测试不准确情况，间歇寿命试验准确度高。
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公开(公告)号：CN108594102A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810300543.3
申请日：2018-04-04
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种逆导型IGBT的间歇寿命试验电路和方法，包括控制电路、栅极电压源、集电极电压源、测试电流源和电阻，栅极电压源、测试电流源和电阻均连接控制电路，栅极电压源、测试电流源、电阻和控制电路均用于连接逆导型IGBT，集电极电压源与电阻串联连接。控制电路控制测试电流源和集电极电压源分别提供逆向测试电流和集电极电压，在进行测试时，由于逆导型IGBT集成了反向二极管，通过输入逆向测试电流，测试逆导型IGBT的集电极和发射极之间的压降并根据预设的温敏系数，得到结温的变化情况，根据结温变化情况判断器件的状态和退化情况，避免了由于正向测试时回跳现象引起的测试不准确情况，间歇寿命试验准确度高。
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