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公开(公告)号:CN116628920A
公开(公告)日:2023-08-22
申请号:CN202310134185.4
申请日:2023-02-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/20 , G06F30/27 , G06F119/08
Abstract: 本申请涉及一种叠层封装芯片结温预测方法、装置、计算机设备和存储介质。属于计算机技术领域,所述方法包括:基于叠层封装芯片中各组件的组件热阻,确定叠层封装芯片中各层芯片的自身热阻和耦合热阻;根据各层芯片的自身热阻和耦合热阻,确定叠层封装芯片的热阻表示;根据叠层封装芯片的热阻表示、环境温度和各层芯片的功率,预测叠层封装芯片的结温,相较于传统的叠层封装芯片结温预测方法不仅预测效率更高,而且预测得到的叠层封装芯片结温更加准确,有效解决了传统的结温预测方法(如热仿真技术)预测叠层封装芯片结温时,随着叠层封装芯片的复杂程度增加,仿真难度也成倍增加,不仅预测效率低,而且准确性也较差的问题。
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公开(公告)号:CN118431763A
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN202410643238.X
申请日:2024-05-22
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种多波段自旋选择性吸收的太赫兹手性超表面结构,包括多个周期性排列的手性超表面结构单元,结构单元包括顶层、中间层和底层,顶层包括第一和第二开口谐振器,外围的第一开口谐振器由位于同一圆上且镜面对称的两段弧形金属组成,两段弧形金属均为四分之一圆,内部的第二开口谐振器由一个正方形金属沿着对角线劈裂成的两段折线型金属而形成,第一与第二开口谐振器的对称中心重合;两段弧形金属的中心连线相对于两段折线型金属的中心连线的偏转角α满足:‑45°≤α≤+45°,通过调整偏转角α能够使太赫兹手性超表面结构的圆二色性CD的值在‑1≤CD≤+1的范围内可调。本发明可以在多个波段实现自旋选择吸收且可以实现CD值的可调。
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公开(公告)号:CN118191436A
公开(公告)日:2024-06-14
申请号:CN202410274244.2
申请日:2024-03-11
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R29/08
Abstract: 本申请涉及一种电磁辐射信息的确定方法、装置和计算机设备。所述方法包括:从待测设备的电磁辐射范围内选择参考测试点,并对参考测试点进行扫描,得到参考测试点的实际电磁场信息;根据参考测试点的实际电磁场信息,从电磁辐射范围内的候选测试点中选择目标测试点,并对所选择的目标测试点进行扫描,得到所选择的目标测试点的实际电磁场信息;根据参考测试点的实际电磁场信息和目标测试点的实际电磁场信息,确定待测设备的电磁辐射信息。实现了仅对目标测试点进行扫描就能够准确的获取到待测设备的电磁辐射信息,相比于传统技术减少了需要扫描的测试点的数量,进而提高了确定待测设备电磁辐射信息的效率。
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