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公开(公告)号：CN112962084A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110135975.5
申请日：2017-09-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够控制面间均匀性的基板处理装置。一实施方式的基板处理装置具有：内管，其收容多张基板；外管，其包围所述内管；可动壁，其设置成能够在所述内管的内部或所述内管与所述外管之间移动；气体供给部件，其向所述基板供给处理气体；以及排气部件，其对向所述基板供给的所述处理气体进行排气，在所述内管的侧壁形成有第1开口部，在所述可动壁形成有第2开口部，所述排气部件经由所述第1开口部和所述第2开口部对向所述基板供给的所述处理气体进行排气。
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公开(公告)号：CN105316656B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201510450869.0
申请日：2015-07-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种成膜装置。该成膜装置具备：分别限定性地向沿着基板保持件中的基板的排列方向的第一和第二基板保持区域供给原料气体的第一原料气体供给部和第二原料气体供给部、向第一和第二基板保持区域供给反应气体的反应气体供给部、在第一和第二基板保持区域中的某一方被供给原料气体时向另一方供给吹扫气体的吹扫气体供给部、在基板保持件中被保持在第一基板保持区域与第二基板保持区域之间且划分出第一基板保持区域和第二基板保持区域的划分用基板、以及输出控制信号使得将包括向第一基板保持区域的原料气体的供给和反应气体的供给的循环以及包括向第二基板保持区域的原料气体的供给和反应气体的供给的循环分别进行多次的控制部。
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公开(公告)号：CN109536919A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811095706.5
申请日：2018-09-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 福岛讲平
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够控制对基板实施的处理的面内分布的基板处理方法和基板处理装置。在一实施方式的基板处理方法中，从沿着喷射器的长度方向设置的多个气孔供给处理气体，对收容于处理容器内的基板进行预定的处理，该喷射器沿着所述处理容器的内壁面在上下方向上延伸，并能够以上下方向为旋转轴线旋转，在该基板处理方法中，所述预定的处理包括多个步骤，根据所述步骤使所述喷射器旋转而变更所述处理气体的供给方向。
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公开(公告)号：CN107017181A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610917830.X
申请日：2016-10-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种立式热处理装置，该立式热处理装置包括：基板保持器具，其具有：支柱；基板保持部，其沿着所述支柱设有多个，用于分别保持基板；气流引导部，其针对每个基板设于所述支柱，以其周缘部向比基板靠外侧的位置伸出的方式形成；升降台，其用于支承所述基板保持器具而将所述基板保持器具从所述反应容器的下方输入所述反应容器；旋转机构，其设于所述升降台，用于使所述基板保持器具绕纵轴旋转；处理气体供给口和排气口，其分别设于保持有所述多个基板的基板保持区域的后方侧和前方侧；整流部，其以在所述基板保持区域的左右从外侧朝向彼此相邻的气流引导部之间的空间突出而面对该空间的方式相对于所述基板保持器具独立地设置。
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公开(公告)号：CN104916569A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510105606.6
申请日：2015-03-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: C23C16/46 , C23C16/345 , C23C16/45542 , C23C16/45578 , C23C16/4583 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/67098 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供立式热处理装置和立式热处理装置的运转方法。该立式热处理装置在将表面形成有凹凸的多个被处理基板在立式的反应容器内保持于基板保持件的状态下，利用加热部进行加热而对所述被处理基板进行成膜处理，该立式热处理装置包括：气体供给部，其用于向所述反应容器内供给成膜气体；以及气体分布调整构件，其由石英构成，以分别位于比保持于所述基板保持件的所述多个被处理基板的配置区域靠上方的位置和靠下方的位置的方式设置，在将所述气体分布调整构件的每单位区域的表面积称作S、将所述被处理基板的表面积除以根据被处理基板的外形尺寸计算出的表面积而得到的每单位区域的表面积称作S0时，将S除以S0而得到的值S/S0设定为0.8以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101819918B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201010102641.X
申请日：2010-01-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/4401 , C23C16/452 , H01J37/321 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置。用于同时对多张被处理体实施等离子处理的立式等离子处理装置具有用于使处理气体等离子化的活化机构。活化机构包括：等离子体生成箱，其为纵长形状，与处理区域相对应地安装在处理容器上、且用于封闭与处理区域气密地连通的等离子体产生区域；ICP电极，其沿等离子体生成箱的长度方向配置在等离子体生成箱的外侧；高频电源，其与电极相连接。ICP电极具有自等离子体生成箱的壁面离开规定距离的离开部分。
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公开(公告)号：CN101378007B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200810171431.9
申请日：2008-08-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/318 , C23C16/509 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，对多个被处理体同时实施等离子体处理的立式等离子体处理装置，具备使处理气体等离子体化的活性化机构。活性化机构包括：对应于处理区域安装在处理容器上、且形成与处理区域气密地连通的等离子体生成区域的纵长的等离子体生成箱；配设于等离子体生成箱的ICP电极；和与电极连接的高频电源。
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公开(公告)号：CN102163530A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110054175.7
申请日：2008-08-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , C23C16/509 , H01L21/00
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，对多个被处理体同时实施等离子体处理的立式等离子体处理装置，具备使处理气体等离子体化的活性化机构。活性化机构包括：对应于处理区域安装在处理容器上、且形成与处理区域气密地连通的等离子体生成区域的纵长的等离子体生成箱；配设于等离子体生成箱的ICP电极；和与电极连接的高频电源。
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公开(公告)号：CN303415915S
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201530127790.5
申请日：2015-05-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 1．本外观设计产品的名称：假晶圆。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于在半导体制造的成膜过程中，适当吸附成膜装置内上下部分的空气以抑制成膜装置内产品晶圆成膜量的偏差。3．本外观设计产品的设计要点：在于形状的设计。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：设计1俯视图。5．省略视图：设计1后视图、设计1左视图、设计1右视图均与设计1主视图相同，省略设计1后视图、设计1左视图、设计1右视图；设计1仰视图无设计内容，省略设计1仰视图；设计2后视图、设计2左视图、设计2右视图均与设计2主视图相同，省略设计2后视图、设计2左视图、设计2右视图；设计2仰视图无设计内容，省略设计2仰视图。6．指定基本设计：设计1。
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公开(公告)号：CN303404074S
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201530127677.7
申请日：2015-05-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 1．本外观设计产品的名称：假晶圆。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于在半导体制造的成膜过程中，适当吸附成膜装置内上下部分的空气以抑制成膜装置内产品晶圆成膜量的偏差。3．本外观设计产品的设计要点：在于形状的设计。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：设计1俯视图。5．省略视图：设计1后视图与设计1主视图相同，省略设计1后视图；设计1右视图与设计1左视图相同，省略设计1右视图；设计1仰视图无设计内容，省略设计1仰视图；设计2后视图与设计2主视图相同，省略设计2后视图；设计2右视图与设计2左视图相同，省略设计2右视图；设计2仰视图无设计内容，省略设计2仰视图；设计3后视图与设计3主视图相同，省略设计3后视图；设计3右视图与设计3左视图相同，省略设计3右视图；设计4后视图与设计4主视图相同，省略设计4后视图；设计4右视图与设计4左视图相同，省略设计4右视图。6．指定基本设计：设计1。
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