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公开(公告)号：CN100466153C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN03823244.8
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32477 , Y10S156/916
Abstract: 本发明提供用于包围等离子加工系统中加工空间的改进的沉积罩，其中沉积罩的设计和制造有利地在等离子加工空间中提供纯净的加工等离子，其对沉积罩具有基本最小的腐蚀。
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公开(公告)号：CN101153407A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710141839.7
申请日：2007-08-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C25D11/04 , H01L21/02 , H01L21/08 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供了一种基板处理装置用的部件的保护膜形成方法，其能够防止因保护膜的缺失而引起的颗粒的产生。首先，将表面裸露有铝基材(56)的散热板(36)连接于直流电源的阳极，浸渍于草酸溶液中，氧化散热板(36)的表面(步骤S61)，接着，将表面形成有防蚀铝保护膜(57)的散热板(36)浸渍在沸水中5～10分钟(步骤S62)。
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公开(公告)号：CN1327493C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200410095596.4
申请日：2001-05-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/00 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/32458
Abstract: 本发明提供一种处理装置部件的装配机构，具备可以使构成处理室的顶板部的上部电极组件和电极组件升降的升降机构，其特征在于：上部电极单元由上部组件和下部组件可分离、合体地构成，下部组件具有圆柱状电极组件和可嵌合于圆柱状电极组件的周围的环状构件，在圆柱状电极组件的外周面或环状构件的内周面的任一方上形成多个突起，而在任意另外一方上形成与突起相对应的多条槽，槽是由为了应使圆柱状电极组件和环状构件进行嵌合将突起导向嵌合方向而向嵌合方向延伸的第1槽、和为了应使一旦嵌合的圆柱状电极组件和环状组件相对旋转对突起进行导向而向旋转方向延伸的第2槽构成，而且，第2槽随着加深向嵌合方向倾斜。
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公开(公告)号：CN1314826C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN02810599.0
申请日：2002-05-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C4/02 , C23C26/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32477 , C23C4/02
Abstract: 在利用等离子体蚀刻处理对被处理物进行微细加工的等离子体处理容器内配置的等离子体处理容器内部件，作为前处理，利用使用等离子体放电的阳极氧化处理在该处理容器内部件的基材(101)的表面形成氧化处理层(111)后，在该氧化处理层(111)之上，形成热喷涂层(121)。
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公开(公告)号：CN1685465A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03823244.8
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32477 , Y10S156/916
Abstract: 本发明提供用于包围等离子加工系统中加工空间的改进的沉积罩，其中沉积罩的设计和制造有利地在等离子加工空间中提供纯净的加工等离子，其对沉积罩具有基本最小的腐蚀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1685464A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03823245.6
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/3255
Abstract: 本发明提供一种用于等离子加工系统的改进的上电极，其中，与上组件耦合的电极板的设计和制造可以在基本上对电极板造成最小腐蚀的条件下便利地提供加工气体的气体注入。
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公开(公告)号：CN1682340A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03822080.6
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32458 , H01J37/32495 , H01J37/32972
Abstract: 本发明提出了用于等离子体工艺系统的改进的光学窗口淀积屏蔽，光学窗口淀积屏蔽通过一个淀积屏蔽，用于等离子体工艺系统中的工艺空间的光学入口，其中光学窗口淀积屏蔽的设计和制作对工艺空间中的工艺等离子体方便地提供了一个光学清洁入口，而基本上保持最小地腐蚀光学窗口淀积屏蔽。
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公开(公告)号：CN1630041A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410095596.4
申请日：2001-05-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/00 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/32458
Abstract: 本发明提供一种处理装置部件的装配机构，具备可以使构成处理室的顶板部的上部电极组件和电极组件升降的升降机构，其特征在于：上部电极单元由上部组件和下部组件可分离、合体地构成，下部组件具有圆柱状电极组件和可嵌合于圆柱状电极组件的周围的环状构件，在圆柱状电极组件的外周面或环状构件的内周面的任一方上形成多个突起，而在任意另外一方上形成与突起相对应的多条槽，槽是由为了应使圆柱状电极组件和环状构件进行嵌合将突起导向嵌合方向而向嵌合方向延伸的第1槽、和为了应使一旦嵌合的圆柱状电极组件和环状组件相对旋转对突起进行导向而向旋转方向延伸的第2槽构成，而且，第2槽随着加深向嵌合方向倾斜。
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公开(公告)号：CN1557018A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN02818626.5
申请日：2002-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C03C15/02 , C03B29/025 , C03C19/00 , Y02P40/57
Abstract: 本发明提供一种抑制了使用初期的微粒产生和其后的碎屑产生的等离子体处理装置用石英部件的加工方法、等离子体处理装置用石英部件和安装有该石英部件的等离子体处理装置。利用例如粒度为320～400#的磨料进行表面加工，除去在进行金刚石研磨以后在用作屏蔽环和聚焦环等的等离子体处理装置用石英部件151上产生的许多裂纹155。然后，再用小粒径的磨料进行表面加工，在维持能够附着并保持堆积物的凹凸的同时，去除破碎层163。
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公开(公告)号：CN1507652A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN02809527.8
申请日：2002-04-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/4404
Abstract: 形成包覆膜的包覆剂(51)由环化橡胶－双叠氮化物等主要成分和感光剂组成的抗蚀剂构成，通过将从处理室(22)内取出的处理室内部件(50)浸渍在丙酮等剥离液中，可在剥离附着的包覆膜的同时，从处理室内部件(50)上分离堆积在处理室内部件(50)上形成的包覆剂(51)的包覆膜上的堆积物(52)。
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