公开(公告)号：CN101290934B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810092627.9

申请日：2008-04-16

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 堀越胜 ,  内山久嘉 ,  野间崇 ,  关嘉则 ,  山田紘士 ,  石部真三 ,  篠木裕之

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/485 ,  H01L23/552

CPC classification number: H01L23/642 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5223 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/25 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/18 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置，其在同一半导体装置内具备电容元件，以实现装置整体的小型化，且与现有的半导体装置相比具备大静电电容的电容元件。该半导体装置在半导体基板(2)的表面上形成有半导体集成电路(1)及焊盘电极(4)。在半导体基板(2)的侧面及背面上形成第二绝缘膜(10)，在半导体基板(2)的背面与第二绝缘膜(10)之间形成有与半导体基板(2)的背面接触的电容电极(9)。第二绝缘膜(10)由与焊盘电极(4)电连接的配线层(11)覆盖，配线层(11)和电容电极(9)这两者经由第二绝缘膜(10)重叠。因此，由电容电极(9)、第二绝缘膜(10)及配线层(11)形成电容(16)。

公开(公告)号：CN100446187C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200510053022.5

申请日：2005-03-04

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 野间崇 ,  关嘉则 ,  和久井元明

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/544 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L24/97 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在制造粘贴支承体构成的半导体装置时的切削工序中谋求切削精度的提高。本发明的半导体装置的制造方法具有使刀片沿切割区域(60)移动切削粘贴了玻璃衬底(14)的半导体晶片(10)的工序，其具有以下特征。即，在半导体晶片(10)上的切割区域(60)的两侧形成相互相对的一对对准标记(51a)、(51b)。而且，在切削工序中，在使旋转刀片的位置与切割区域(60)的中心即中心线(61)对准时，利用识别相机检测对准标记(51a)、(51b)的位置，基于该检测结果求出中心线(61)，将旋转刀片的位置对准在该中心线(61)上进行切割。

公开(公告)号：CN101276807A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200710185779.9

申请日：2007-12-27

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 野间崇

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/16 ,  H01L23/10 ,  H01L31/12 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78 ,  B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02

CPC classification number: H01L31/167 ,  B81C1/0023 ,  B81C2201/019 ,  H01L23/481 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/167 ,  H01L31/1804 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/351 ,  Y02E10/547 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种可靠性高，能实现更小型装置的半导体装置及其制造方法。在半导体衬底1的表面上形成例如发光元件作为器件元件。具体地说，半导体衬底1的表面上形成N型半导体层2、P型半导体层3、以及焊盘电极4、5。半导体衬底11的表面上形成例如接收上述发光元件发出的光的器件元件10(例如光电二极管元件)和焊盘电极13作为器件元件。半导体衬底1和半导体衬底11通过粘接层15进行胶合并一体化。沿着半导体衬底11的侧面，形成与焊盘电极13电连接的布线层18，和与焊盘电极4、5电连接的布线层19。

公开(公告)号：CN101174572A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710197182.6

申请日：2004-08-06

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 野间崇 ,  北川胜彦 ,  大塚久夫 ,  铃木彰 ,  关嘉则 ,  高尾幸弘 ,  山口惠一 ,  和久井元明 ,  饭田正则

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L2224/13

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，其谋求改善由芯片尺寸封装件构成的半导体装置的制造方法，提高成品率和可靠性。在半导体基板(302)上仅在第一配线(301)存在的区域形成能露出第一配线的窗口(303)。由此通过增大半导体基板(302)与未图示的玻璃基板介由绝缘膜和树脂粘接的区域，防止发生裂纹和剥离。而且窗口(303)形成后，沿切割线形成切口(30)，再把该切口用保护膜覆盖后进行用于分离半导体装置成各个半导体芯片的切割。因此，能极力抑制由刀片的接触导致的分离的半导体芯片的断面和边缘部剥离。

公开(公告)号：CN100367451C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200410056261.1

申请日：2004-08-06

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 野间崇 ,  北川胜彦 ,  大塚久夫 ,  铃木彰 ,  关嘉则 ,  高尾幸弘 ,  山口惠一 ,  和久井元明 ,  饭田正则

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，其谋求改善由芯片尺寸封装件构成的半导体装置的制造方法，提高成品率和可靠性。在半导体基板(302)上仅在第一配线(301)存在的区域形成能露出第一配线的窗口(303)。由此通过增大半导体基板(302)与未图示的玻璃基板介由绝缘膜和树脂粘接的区域，防止发生裂纹和剥离。而且窗口(303)形成后，沿切割线形成切口(30)，再把该切口用保护膜覆盖后进行用于分离半导体装置成各个半导体芯片的切割。因此，能极力抑制由刀片的接触导致的分离的半导体芯片的断面和边缘部剥离。

公开(公告)号：CN101101918A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200610103193.9

申请日：2006-07-07

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/148 ,  H01L23/48 ,  H01L21/82 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/10 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种搭载有感光元件的背面射入型半导体装置及其制造方法，不增加制造成本而谋求其性能的提高。在形成有感光元件(11)及其焊盘电极(13)的半导体基板(10)的表面上粘接支承体(15)。然后，蚀刻支承体(15)，形成贯通支承体(15)而露出焊盘电极(13)的通孔(16)。之后，形成与焊盘电极(13)连接，通过通孔(16)并在支承体(15)表面延伸的配线(17)。最后，通过切割将半导体基板(10)分离成多个半导体芯片(10A)。该半导体装置使支承体(15)和电路基板(30)相对而进行安装。

公开(公告)号：CN100355036C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200410006626.X

申请日：2004-02-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 铃木彰 ,  野间崇 ,  篠木裕之 ,  高尾幸弘 ,  石部真三 ,  大塚茂树 ,  山口惠一

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/482 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

Abstract: 一种半导体装置的制造方法。其在形成有第一配线(3)的半导体晶片(1a)的表面上介由树脂(5)粘接成为支撑板的玻璃基板(4)。背研磨与粘接有该基板(4)的面相对的面，使半导体晶片(1a)的厚度变薄。这时，为除去由背研磨处理产生的划痕带来的半导体晶片(1a)面内的凹凸进行湿蚀刻处理。然后对与粘接有玻璃基板(4)的面相对的面进行蚀刻，使沿着边界S的区域形成带有锥度的槽。为了圆滑该蚀刻形成的槽的表面的凹凸或形成棱角的部分的尖端部进行湿蚀刻。通过上述湿蚀刻处理，背研磨后，提高形成蚀刻后形成的绝缘膜、配线、保护膜的包覆性，从而提高半导体装置的有效利用率和可靠性。

公开(公告)号：CN1983612A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610166709.4

申请日：2006-12-08

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  冈田和央 ,  石部真三 ,  北川胜彦 ,  森田佑一 ,  大塚茂树 ,  山田纮士 ,  大久保登 ,  篠木裕之 ,  沖川满

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/485 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L27/14636 ,  H01L31/0203 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体装置，在半导体基板(2)的表面上形成有光接收元件(1)(例如CCD、红外线传感器、CMOS传感器、照度传感器等光接收元件)。半导体基板(2)的背面配置多个球状的导电端子(11)。各个导电端子(11)经由配线层(9)而与半导体基板(2)的表面的焊盘电极(4)电气连接。在此，配线层(9)和导电端子(11)在所述半导体基板(2)的背面上、在垂直方向上看时除与光接收元件(1)的形成区域重叠的区域以外的区域上，在与所述光接收元件(1)的形成区域重叠的区域上不配置配线层(9)、导电端子(11)。从而能够解决输出图像上映入形成在半导体基板的背面上的配线图案这样的问题。

公开(公告)号：CN1287434C

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200310120292.4

申请日：2003-12-12

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇

IPC: H01L21/50 ,  H05K3/34

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05124

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，谋求具有球状导电端子的BGA型半导体装置的成品率和可靠性的提高。由多个销(21)支承存在弯曲的半导体晶片(1a)，并形成自加热的载物台(20)分开的状态。而后，使用半导体晶片(1a)上方配置的IR加热器(45)、与半导体晶片(1a)的侧面相对的侧面加热器(47)加热，在半导体晶片(1a)整体照射相同的热辐射。由此，半导体晶片(1a)上多个导电端子(9)的回流焊接被均匀地进行，其形状也均匀地形成。

公开(公告)号：CN1257550C

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN03122991.3

申请日：2003-04-23

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  篠木裕之 ,  高井信行 ,  北川胜彦 ,  德重利洋智 ,  太田垣贵康 ,  安藤达也 ,  沖川满

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在半导体芯片(2)的表面上形成绝缘膜(6a)，在其绝缘膜(6a)上形成第1布线(5a)。在半导体芯片(2)的表面上粘接玻璃基板(3)，在半导体芯片(3)的侧面以及背面覆盖绝缘膜(16a)。然后，设置与第1布线(5a)的侧面连接、并在半导体芯片(2)的背面上延伸的第2布线(9a)。并且，在第2布线(9a)上形成凸点焊盘等导电端子(8)。从而，可以降低具有球状导电端子的BGA(ball Grid Array)型的半导体装置的成本并提高其可靠性。