公开(公告)号：CN101295686B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810092336.X

申请日：2008-04-22

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 冈田和央 ,  篠木裕之 ,  关嘉则 ,  山田紘士

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，通过提高支承体和粘接层间的耐湿性，从而提高半导体装置的可靠性。本发明的半导体装置具有：在半导体元件上形成的第一绝缘膜(2)、在所述第一绝缘膜(2)上形成的第一配线(3)、在所述半导体元件上经由粘接层(7)粘接的支承体(8)、覆盖从所述半导体元件的背面到侧面的部分及所述粘接层(7)侧面的第三绝缘膜(11)、与所述第一配线(3)连接且经由所述第三绝缘膜(11)在所述半导体元件的背面延伸的第二配线(12)、在所述第二配线(12)上形成的保护膜(13)。

公开(公告)号：CN101295686A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200810092336.X

申请日：2008-04-22

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 冈田和央 ,  篠木裕之 ,  关嘉则 ,  山田紘士

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，通过提高支承体和粘接层间的耐湿性，从而提高半导体装置的可靠性。本发明的半导体装置具有：在半导体元件上形成的第一绝缘膜(2)、在所述第一绝缘膜(2)上形成的第一配线(3)、在所述半导体元件上经由粘接层(7)粘接的支承体(8)、覆盖从所述半导体元件的背面到侧面的部分及所述粘接层(7)侧面的第三绝缘膜(11)、与所述第一配线(3)连接且经由所述第三绝缘膜(11)在所述半导体元件的背面延伸的第二配线(12)、在所述第二配线(12)上形成的保护膜(13)。

公开(公告)号：CN101290934A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200810092627.9

申请日：2008-04-16

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 堀越胜 ,  内山久嘉 ,  野间崇 ,  关嘉则 ,  山田紘士 ,  石部真三 ,  篠木裕之

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/485 ,  H01L23/552

CPC classification number: H01L23/642 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5223 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/25 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/18 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置，其在同一半导体装置内具备电容元件，以实现装置整体的小型化，且与现有的半导体装置相比具备大静电电容的电容元件。该半导体装置在半导体基板(2)的表面上形成有半导体集成电路(1)及焊盘电极(4)。在半导体基板(2)的侧面及背面上形成第二绝缘膜(10)，在半导体基板(2)的背面与第二绝缘膜(10)之间形成有与半导体基板(2)的背面接触的电容电极(9)。第二绝缘膜(10)由与焊盘电极(4)电连接的配线层(11)覆盖，配线层(11)和电容电极(9)这两者经由第二绝缘膜(10)重叠。因此，由电容电极(9)、第二绝缘膜(10)及配线层(11)形成电容(16)。

公开(公告)号：CN101290934B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810092627.9

申请日：2008-04-16

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 堀越胜 ,  内山久嘉 ,  野间崇 ,  关嘉则 ,  山田紘士 ,  石部真三 ,  篠木裕之

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/485 ,  H01L23/552

CPC classification number: H01L23/642 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5223 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/25 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/18 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置，其在同一半导体装置内具备电容元件，以实现装置整体的小型化，且与现有的半导体装置相比具备大静电电容的电容元件。该半导体装置在半导体基板(2)的表面上形成有半导体集成电路(1)及焊盘电极(4)。在半导体基板(2)的侧面及背面上形成第二绝缘膜(10)，在半导体基板(2)的背面与第二绝缘膜(10)之间形成有与半导体基板(2)的背面接触的电容电极(9)。第二绝缘膜(10)由与焊盘电极(4)电连接的配线层(11)覆盖，配线层(11)和电容电极(9)这两者经由第二绝缘膜(10)重叠。因此，由电容电极(9)、第二绝缘膜(10)及配线层(11)形成电容(16)。

公开(公告)号：CN101174572B

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200710197182.6

申请日：2004-08-06

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 野间崇 ,  北川胜彦 ,  大塚久夫 ,  铃木彰 ,  关嘉则 ,  高尾幸弘 ,  山口惠一 ,  和久井元明 ,  饭田正则

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L2224/13

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，其谋求改善由芯片尺寸封装件构成的半导体装置的制造方法，提高成品率和可靠性。在半导体基板(302)上仅在第一配线(301)存在的区域形成能露出第一配线的窗口(303)。由此通过增大半导体基板(302)与未图示的玻璃基板介由绝缘膜和树脂粘接的区域，防止发生裂纹和剥离。而且窗口(303)形成后，沿切割线形成切口(30)，再把该切口用保护膜覆盖后进行用于分离半导体装置成各个半导体芯片的切割。因此，能极力抑制由刀片的接触导致的分离的半导体芯片的断面和边缘部剥离。

公开(公告)号：CN1664991A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN200510053022.5

申请日：2005-03-04

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 野间崇 ,  关嘉则 ,  和久井元明

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/544 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L24/97 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在制造粘贴支承体构成的半导体装置时的切削工序中谋求切削精度的提高。本发明的半导体装置的制造方法具有使刀片沿切割区域(60)移动切削粘贴了玻璃衬底(14)的半导体晶片(10)的工序，其具有以下特征。即，在半导体晶片(10)上的切割区域(60)的两侧形成相互相对的一对对准标记(51a)、(51b)。而且，在切削工序中，在使旋转刀片的位置与切割区域(60)的中心即中心线(61)对准时，利用识别相机检测对准标记(51a)、(51b)的位置，基于该检测结果求出中心线(61)，将旋转刀片的位置对准在该中心线(61)上进行切割。

公开(公告)号：CN101064270B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200610162594.1

申请日：2003-10-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  筱木裕之 ,  铃木彰 ,  关嘉则 ,  久原孝一 ,  高尾幸弘 ,  山田纮士

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/481 ,  H01L24/10 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147

Abstract: 本发明提供提高具有球状导电端子的BGA型半导体器件成品率和可靠性的制造方法。该方法在形成了第一配线(3)的半导体晶片(1a)表面通过树脂(5a)粘接第一玻璃衬底(4)。在半导体晶片(1a)的背面通过树脂(5b)粘接第二玻璃衬底(6)。对第一玻璃衬底(4)的一部分进行刻蚀，形成V字形槽(VG)。之后，形成与第一配线(3)连接并在第二玻璃衬底(6)的表面上延伸的第二配线(8)。再通过喷涂在第二配线8上形成由有机树脂构成的保护膜(9)、以及形成用于在保护膜(9)上设置开口部(K)的抗蚀剂层R)。之后使用保护膜(9)作为焊料掩模、通过丝网印刷形成导电端子(10)。此外，也可以在第二玻璃衬底(6)上通过喷涂形成缓冲部件(7)。

公开(公告)号：CN1296981C

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200310115678.6

申请日：2003-10-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  筱木裕之 ,  铃木彰 ,  关嘉则 ,  久原孝一 ,  高尾幸弘 ,  山田纮士

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/58 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/481 ,  H01L24/10 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147

Abstract: 本发明提供提高具有球状导电端子的BGA型半导体器件成品率和可靠性的制造方法。该方法在形成了第一配线(3)的半导体晶片(1a)表面通过树脂(5a)粘接第一玻璃衬底(4)。在半导体晶片(1a)的背面通过树脂(5b)粘接第二玻璃衬底(6)。对第一玻璃衬底(4)的一部分进行刻蚀，形成V字形槽(VG)。之后，形成与第一配线(3)连接并在第二玻璃衬底(6)的表面上延伸的第二配线(8)。再通过喷涂在第二配线8上形成由有机树脂构成的保护膜(9)、以及形成用于在保护膜(9)上设置开口部(K)的抗蚀剂层R)。之后使用保护膜(9)作为焊料掩模、通过丝网印刷形成导电端子(10)。此外，也可以在第二玻璃衬底(6)上通过喷涂形成缓冲部件(7)。

公开(公告)号：CN1512553A

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN200310115678.6

申请日：2003-10-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  筱木裕之 ,  铃木彰 ,  关嘉则 ,  久原孝一 ,  高尾幸弘 ,  山田纮士

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/58 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/481 ,  H01L24/10 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147

Abstract: 本发明提供提高具有球状导电端子的BGA型半导体器件成品率和可靠性的制造方法。该方法在形成了第一配线(3)的半导体晶片(1a)表面通过树脂(5a)粘接第一玻璃衬底(4)。在半导体晶片(1a)的背面通过树脂(5b)粘接第二玻璃衬底(6)。对第一玻璃衬底(4)的一部分进行刻蚀，形成V字形槽(VG)。之后，形成与第一配线(3)连接并在第二玻璃衬底(6)的表面上延伸的第二配线(8)。再通过喷涂在第二配线8上形成由有机树脂构成的保护膜(9)、以及形成用于在保护膜(9)上设置开口部(K)的抗蚀剂层R)。之后使用保护膜(9)作为焊料掩模、通过丝网印刷形成导电端子(10)。此外，也可以在第二玻璃衬底(6)上通过喷涂形成缓冲部件(7)。

公开(公告)号：CN101064270A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200610162594.1

申请日：2003-10-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野间崇 ,  筱木裕之 ,  铃木彰 ,  关嘉则 ,  久原孝一 ,  高尾幸弘 ,  山田纮士

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/481 ,  H01L24/10 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147

Abstract: 本发明提供提高具有球状导电端子的BGA型半导体器件成品率和可靠性的制造方法。该方法在形成了第一配线(3)的半导体晶片(1a)表面通过树脂(5a)粘接第一玻璃衬底(4)。在半导体晶片(1a)的背面通过树脂(5b)粘接第二玻璃衬底(6)。对第一玻璃衬底(4)的一部分进行刻蚀，形成V字形槽(VG)。之后，形成与第一配线(3)连接并在第二玻璃衬底(6)的表面上延伸的第二配线(8)。再通过喷涂在第二配线8上形成由有机树脂构成的保护膜(9)、以及形成用于在保护膜(9)上设置开口部(K)的抗蚀剂层(R)。之后使用保护膜(9)作为焊料掩模、通过丝网印刷形成导电端子(10)。此外，也可以在第二玻璃衬底(6)上通过喷涂形成缓冲部件(7)。