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公开(公告)号：CN119479739A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202410261196.3
申请日：2024-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种非易失性存储器装置、一种存储器系统和一种控制非易失性存储器装置的操作的方法。该非易失性存储器装置包括存储器块、页缓冲器电路和控制电路。页缓冲器电路通过位线连接到单元串。控制电路通过以下操作来控制读取操作：通过基于读取电压设定对由访问地址指定的选择的字线执行第一读取操作，将第一感测数据和第二感测数据锁存在页缓冲器电路中；通过基于至少一个相邻的读取电压对与选择的字线相邻的干扰字线执行第二读取操作，将第三感测数据锁存在页缓冲器电路中；基于第三感测数据的编程状态来选择第一感测数据和第二感测数据之一作为硬判决数据；以及通过使用第一感测数据和第二感测数据来生成软判决数据。
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公开(公告)号：CN110399093B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201910327392.5
申请日：2019-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 本公开提供了一种包括非易失性存储器件和控制器的存储设备。该存储设备包括：包括存储块的非易失性存储器件，每个存储块包括存储单元；以及从外部主机设备接收第一写入请求的控制器。根据所述第一写入请求，该控制器将第一清除命令发送到该非易失性存储器件，并将与所述第一写入请求相关联的第一写入数据和第一写入命令发送到该非易失性存储器件。该非易失性存储器件被配置为响应于第一清除命令，清除先前写入到存储块中的第一存储块的第一存储单元的第一数据。所述非易失性存储器件还被配置为响应于所述第一写入命令，将所述第一写入数据写入到所述第一存储块的第二存储单元。
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公开(公告)号：CN116129974A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211096242.6
申请日：2022-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储装置以及操作非易失性存储装置的方法。通过基于一个或更多个分组读取电压针对一条或更多条干扰源字线执行读取操作，来将连接到所述一条或更多条干扰源字线的干扰源存储单元分组成干扰源单元组，其中所述干扰源字线与存储块的字线当中的对应于读取地址的选定字线相邻。将连接到所述选定字线的选定存储单元分组成分别对应于所述干扰源单元组的选定单元组。确定分别对应于所述选定单元组的组读取条件并且基于所述组读取条件针对所述多个选定单元组执行组读取操作。通过根据操作环境的变化将所述选定存储单元分组成所述选定单元组来减少读取错误。
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公开(公告)号：CN114446366A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111274226.7
申请日：2021-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置的读取方法、非易失性存储器装置和存储装置。该方法包括：响应于第一读命令使用默认读电平执行正常读操作；以及当正常读操作中读取的读取数据不可纠正时，响应于第二读命令使用多芯片上谷搜索(OVS)感测操作执行读操作。
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公开(公告)号：CN114446361A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111082318.5
申请日：2021-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了非易失性存储器装置及其读取方法和控制器。非易失性存储器装置包括多个存储器块和控制逻辑电路，控制逻辑电路被配置为响应于第一读取命令而对连接到所述多个存储器块之中的响应于地址而选择的存储器块的一条字线的存储器单元执行第一页片上谷搜索(OVS)操作。控制逻辑电路还被配置为使用第一页OVS操作的检测信息来改变至少一个状态的读取电平，并且响应于第二读取命令而使用改变的读取电平对存储器单元执行第二页读取操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108399931B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201711282951.2
申请日：2017-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储装置。所述非易失性存储装置包括：存储单元阵列，具有多个面；多个页缓冲器，布置为与多个面中的每个面对应；以及控制逻辑电路，被配置为向多个页缓冲器中的每个页缓冲器传输位线设定信号。多个页缓冲器中的每个包括被配置为响应于位线设定信号对感测节点和位线进行预充电的预充电电路以及被配置为响应于位线截止信号执行位线截止操作的截止电路。控制逻辑电路被配置为当位线设定信号的电平根据位线截止信号的梯度而改变时来控制转换时间，其中，位线截止信号从第一电平改变为第二电平。
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公开(公告)号：CN113971983A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202110801399.3
申请日：2021-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储块，每个所述存储块包括连接到多条字线和多条位线的多个存储单元；行译码器，所述行译码器被配置为基于地址在所述多个存储块当中选择一个存储块；电压发生器，所述电压发生器被配置为施加与所述多条字线当中的选定字线和未选字线相对应的字线电压；页面缓冲器，所述页面缓冲器连接到所述多条位线，并且被配置为从与所述多个存储块当中的所选择的存储块的所述选定字线当中的一条字线连接的存储单元读取数据；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置为控制所述行译码器、所述电压发生器和所述页面缓冲器。
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公开(公告)号：CN113257309A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202010975255.5
申请日：2020-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了一种三维(3D)存储器装置。所述三维(3D)存储器装置包括存储器单元阵列、第一感测放大器和第二感测放大器。存储器单元阵列包括分别布置在下字线与位线交叉的区域中的下存储器单元和分别布置在上字线与位线交叉的区域中的上存储器单元。第一感测放大器连接到第一下字线，并且对连接在第一位线与第一下字线之间的第一下存储器单元执行数据感测操作。第二感测放大器连接到第一上字线，并且对连接在第一位线与第一上字线之间的第一上存储器单元执行数据感测操作。对第一感测放大器和第二感测放大器数据的读取操作是并行地执行的。
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公开(公告)号：CN112309448A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010336703.7
申请日：2020-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器件包括：板，包括多个字线、多个位线、以及与多个字线中的第一字线和多个位线中的第一位线连接的存储单元；行解码器，被配置为在与存储单元相关联的存取操作中，将字线中的与第一字线邻近的至少一个字线偏置，并且将多个字线中的与第一字线不邻近的其余非邻近字线浮置；以及列解码器，被配置为在存取操作中，将位线中的与第一位线邻近的至少一个位线偏置，并且将多个位线中的与第一位线不邻近的其余非邻近位线浮置。
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公开(公告)号：CN110750209A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910220905.2
申请日：2019-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种固态驱动器和用于元数据访问的方法。固态驱动器包括不同种类的第一存储器和第二存储器以及控制第一存储器和第二存储器的存储器控制器，其中存储器控制器从主机接收元数据访问请求，并且包括条件检查器，条件检查器响应于元数据访问请求而确定第一存储器的条件和第二存储器的条件并且选择第一存储器和第二存储器中的至少一个，并且存储器控制器访问被条件检查器选择的存储器。
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