公开(公告)号：CN114446366A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111274226.7

申请日：2021-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴恩香 ,  金真怜 ,  李知尚 ,  朴世桓 ,  朴一汉

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/10 ,  G11C16/24

Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置的读取方法、非易失性存储器装置和存储装置。该方法包括：响应于第一读命令使用默认读电平执行正常读操作；以及当正常读操作中读取的读取数据不可纠正时，响应于第二读命令使用多芯片上谷搜索(OVS)感测操作执行读操作。

公开(公告)号：CN116110471A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211405464.1

申请日：2022-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴恩香 ,  张俊锡 ,  朴世桓 ,  李知尚

IPC: G11C16/12 ,  G11C16/26 ,  G11C16/34

Abstract: 一种闪存设备包括与字线连接的存储器单元阵列和通过数据恢复读取操作对字线执行阈值电压补偿的控制逻辑。当在选择的字线之后对其执行编程的字线是虚设字线时，控制逻辑基于在选择的字线之前对其执行编程的数据恢复读取操作的结果对选择的字线执行阈值电压补偿。当在选择的字线之后对其执行编程的下一字线是虚设字线时，控制逻辑基于在选择的字线之前对其执行编程的前一字线的数据读取恢复读取操作的结果对选择的字线执行阈值电压补偿。

公开(公告)号：CN118522333A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410177406.0

申请日：2024-02-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴恩香 ,  金真怜 ,  朴世桓

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/08 ,  G11C16/14 ,  G11C16/26 ,  G11C16/24 ,  G11C7/10 ,  G11C7/22 ,  G11C7/12 ,  G11C8/06 ,  G11C8/08

Abstract: 存储器装置包括其中布置有多个存储器单元的单元区域以及外围电路区域，通过多条字线连接到多个存储器单元的行解码器、通过多条位线连接到多个存储器单元的多个页缓冲器、以及控制行解码器和多个页缓冲器的控制逻辑布置在外围电路区域中。行解码器将具有不同电平的多个读电压依次输入到多条字线之中的选择的字线。多个页缓冲器中的每一个包括连接到多条位线之一的感测节点。在多个读电压中的每一个被输入到选择的字线的同时不同地减小多个页缓冲器的一部分页缓冲器中包括的感测节点的电压。

公开(公告)号：CN116137176A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202211431295.9

申请日：2022-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李耀翰 ,  南尚完 ,  朴相元 ,  赵志虎 ,  朴恩香

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24

Abstract: 本公开提供了一种存储器件的操作方法、编程方法及存储器系统的操作方法。公开了一种包括沿与衬底垂直的方向堆叠的多个存储单元的存储器件的操作方法。所述方法包括：基于第一编程参数来对来自所述多个存储单元当中的连接到选定字线的选定存储单元执行第一编程循环至第(n‑1)编程循环；以及在所述第(n‑1)编程循环被执行之后，基于与所述第一编程参数不同的第二编程参数来对所述选定存储单元执行第n编程循环至第k编程循环。在此，n是大于1的整数并且k是大于或等于n的整数。所述第一编程参数和所述第二编程参数中的每一者包括在所述第一编程循环至所述第k编程循环中使用的编程电压增量、2级验证范围和位线强制电压中的至少两者。