-
公开(公告)号：CN105632552B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201510829049.2
申请日：2015-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了电阻式存储装置及其操作方法。存储装置包括具有分别布置在多条第一信号线与多条第二信号线交叉的区域中的多个存储单元的存储单元阵列。存储装置还包括具有分别与所述多条第一信号线连接的多个行选择开关单元的解码器。所述多个行选择开关单元中的每个选择性地响应于第一开关信号和第二开关信号而将偏置电压施加到与所述多个行选择开关单元中的每个对应的第一信号线，其中，第一开关信号和第二开关信号的电压电平在激活状态下彼此不同。
-
公开(公告)号：CN105304114A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510451618.4
申请日：2015-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种操作存储系统的方法和一种存储装置，所述存储系统包括在存储单元阵列中共同连接到第一信号线的存储单元，所述方法包括下述步骤：根据单元区域来划分存储单元；以及利用从多个读取参考中选择的并且分别与每个单元区域对应的读取参考来对设置在每个单元区域中的存储单元独立地执行读取操作。
-
公开(公告)号：CN118942514A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410557063.0
申请日：2024-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种在非易失性存储器装置中对数据进行编程的方法包括：将状态排序设置为第一状态排序，所述状态排序表示多个状态与多位数据的数据值之间的关系，基于第一状态排序对多个存储器单元中的目标存储器单元执行编程操作，将状态排序从第一状态排序交换到不同于第一状态排序的第二状态排序，基于第二状态排序对目标存储器单元执行编程操作，将状态排序从第二状态排序重新交换到第一状态排序，并且基于第一状态排序对目标存储器单元执行编程操作。非易失性存储器装置的多个存储器单元中的每个存储器单元被编程为具有多个状态中的一个状态。
-
公开(公告)号：CN108735247A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710243378.8
申请日：2017-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/14
CPC classification number: G11C5/145
Abstract: 公开了一种驱动器电路。驱动器电路包括箝位晶体管、比较电压晶体管、放大晶体管、偏置晶体管以及充电电路。比较电压晶体管被配置为提供比较电压。放大晶体管包括连接到箝位晶体管的第一节点的放大栅极、被配置为接收比较电压的第一放大节点以及连接到箝位晶体管的栅极的第二放大节点。偏置晶体管被配置为供给偏置电压。充电电路进行以下中的至少一个：被配置为通过箝位晶体管从第一节点汲取电流以及被配置为通过箝位晶体管向第一节点供给电流。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107958680A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201710560786.6
申请日：2017-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3495 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/3409 , G11C16/3445 , G11C8/08 , G11C16/14
Abstract: 提供了存储器装置的边缘字线管理方法及操作存储器装置的方法。所述边缘字线管理方法包括：响应于擦除命令对存储器装置执行擦除操作，随机确定虚设样式的数据，并且通过在虚设存储器单元中写入虚设样式的数据来执行后编程操作，其中，虚设存储器单元与包括在已执行擦除操作的存储器块中的单元串的主存储器单元相邻。
-
公开(公告)号：CN107093465A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710084424.4
申请日：2017-02-16
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴贤国
IPC: G11C29/42
CPC classification number: G06F11/1048 , G06F3/061 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0679 , G06F11/1072 , G11C13/0033 , G11C13/004 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C16/3427 , G11C29/52 , G11C29/42
Abstract: 根据本发明的示例实施例的数据存储器装置包括非易失性存储器和存储器控制器。在非易失性存储器中，将一个读单元配置为存储多个代码字。如果存储在非易失性存储器中的一个或多个代码字发生错误，则存储器控制器可利用可校正代码字来搜索非易失性存储器的读电压。根据示例实施例的数据存储器装置可在不进行谷搜索操作的情况下预测优化读电压电平。
-
公开(公告)号：CN105632552A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510829049.2
申请日：2015-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C11/5607 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0028 , G11C13/004 , G11C2213/72
Abstract: 提供了电阻式存储装置及其操作方法。存储装置包括具有分别布置在多条第一信号线与多条第二信号线交叉的区域中的多个存储单元的存储单元阵列。存储装置还包括具有分别与所述多条第一信号线连接的多个行选择开关单元的解码器。所述多个行选择开关单元中的每个选择性地响应于第一开关信号和第二开关信号而将偏置电压施加到与所述多个行选择开关单元中的每个对应的第一信号线，其中，第一开关信号和第二开关信号的电压电平在激活状态下彼此不同。
-
公开(公告)号：CN105551519A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510702204.4
申请日：2015-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1677 , G11C11/1693 , G11C11/56 , G11C13/0002 , G11C13/0023 , G11C13/0026 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C13/0064 , G11C13/0097 , G11C2013/0088
Abstract: 本申请公开了存储设备、存储系统以及操作存储设备的方法。操作具有多个字线和多个位线的电阻式存储设备的方法包括选择连接到第一位线的一个或多个第一存储单元，选择连接到第二位线的一个或多个第二存储单元，并且使用第一写驱动器对第一和第二存储单元同时执行复位写操作。
-
公开(公告)号：CN105280221A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510394733.2
申请日：2015-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , G11C11/5664 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0064 , G11C13/0097 , G11C2013/0076 , G11C2213/71
Abstract: 提供了电阻型存储器装置和操作电阻型存储器装置的方法。操作电阻型存储器装置的方法包括：响应于写命令来对存储器单元执行预读取操作；对将被执行重置写操作的一个或更多个第一存储器单元执行擦除操作，所述一个或更多个第一存储器单元是基于得自预读取操作的预读取数据与写数据的比较结果而确定的；对被擦除的所述一个或更多个第一存储器单元之中的至少一些存储器单元并且对将被执行设置写操作的一个或更多个第二存储器单元执行设置方向编程。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
39
records
(took 0.027 seconds)
