公开(公告)号：CN119207519A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202410399412.0

申请日：2024-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申祐卨

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/26

Abstract: 提供了存储器装置和存储器装置的操作方法。该存储器装置包括：存储器单元阵列；页缓冲器电路，其包括第一页缓冲器至第N页缓冲器，每个页缓冲器包括读出节点；以及控制逻辑，其被配置为控制页缓冲器操作，其中，控制逻辑还被配置为控制页缓冲器操作，使得在对包括在第一组中的第一页缓冲器操作中，执行针对第一页缓冲器的第一读出节点的预充电时段和放电时段，在对包括在第二组中的第五页缓冲器操作中，执行针对第五页缓冲器的第五读出节点的预充电时段和放电时段，并且在第五页缓冲器操作的读出时段中，一起执行对第一读出节点和第五读出节点的读出操作。

公开(公告)号：CN118942514A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410557063.0

申请日：2024-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申祐卨 ,  尹盛远 ,  朴贤国 ,  尹铉竣

IPC: G11C16/12 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24 ,  G11C16/34

Abstract: 一种在非易失性存储器装置中对数据进行编程的方法包括：将状态排序设置为第一状态排序，所述状态排序表示多个状态与多位数据的数据值之间的关系，基于第一状态排序对多个存储器单元中的目标存储器单元执行编程操作，将状态排序从第一状态排序交换到不同于第一状态排序的第二状态排序，基于第二状态排序对目标存储器单元执行编程操作，将状态排序从第二状态排序重新交换到第一状态排序，并且基于第一状态排序对目标存储器单元执行编程操作。非易失性存储器装置的多个存储器单元中的每个存储器单元被编程为具有多个状态中的一个状态。