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公开(公告)号：CN105632552B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201510829049.2
申请日：2015-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了电阻式存储装置及其操作方法。存储装置包括具有分别布置在多条第一信号线与多条第二信号线交叉的区域中的多个存储单元的存储单元阵列。存储装置还包括具有分别与所述多条第一信号线连接的多个行选择开关单元的解码器。所述多个行选择开关单元中的每个选择性地响应于第一开关信号和第二开关信号而将偏置电压施加到与所述多个行选择开关单元中的每个对应的第一信号线，其中，第一开关信号和第二开关信号的电压电平在激活状态下彼此不同。
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公开(公告)号：CN111243641A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201910822535.X
申请日：2019-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/04 , H01L27/11524 , H01L27/1157
Abstract: 提供一种非易失性存储器装置、存储器系统和垂直NAND快闪存储器装置，所述非易失性存储器装置可以包括多个存储器平面和多个平面专用焊盘组。多个存储器平面可以包括具有非易失性存储器单元的多个存储器单元阵列和多个页缓冲器电路。多个页缓冲器电路中的每一个可以通过位线连接到多个存储器单元阵列中的每一个中包括的各非易失性存储器单元中的非易失性存储器单元。多个平面专用焊盘组可以通过多个数据路径分别连接到多个页缓冲器电路，使得多个平面专用焊盘组中的每一个专用地连接到多个页缓冲器电路中的每一个。可以通过减少数据传输延迟并支持并行数据传输来增加数据传输的带宽，并且可以通过去除数据多路复用和/或信号路由来降低功耗。
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公开(公告)号：CN105632552A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510829049.2
申请日：2015-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C11/5607 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0028 , G11C13/004 , G11C2213/72
Abstract: 提供了电阻式存储装置及其操作方法。存储装置包括具有分别布置在多条第一信号线与多条第二信号线交叉的区域中的多个存储单元的存储单元阵列。存储装置还包括具有分别与所述多条第一信号线连接的多个行选择开关单元的解码器。所述多个行选择开关单元中的每个选择性地响应于第一开关信号和第二开关信号而将偏置电压施加到与所述多个行选择开关单元中的每个对应的第一信号线，其中，第一开关信号和第二开关信号的电压电平在激活状态下彼此不同。
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公开(公告)号：CN105280221A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510394733.2
申请日：2015-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , G11C11/5664 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0064 , G11C13/0097 , G11C2013/0076 , G11C2213/71
Abstract: 提供了电阻型存储器装置和操作电阻型存储器装置的方法。操作电阻型存储器装置的方法包括：响应于写命令来对存储器单元执行预读取操作；对将被执行重置写操作的一个或更多个第一存储器单元执行擦除操作，所述一个或更多个第一存储器单元是基于得自预读取操作的预读取数据与写数据的比较结果而确定的；对被擦除的所述一个或更多个第一存储器单元之中的至少一些存储器单元并且对将被执行设置写操作的一个或更多个第二存储器单元执行设置方向编程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113808650A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110289033.2
申请日：2021-03-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种非易失性存储器装置及其操作方法。该非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；页缓冲电路，通过多条位线与存储器单元阵列连接，并且在感测时间期间执行通过所述多条位线感测从所述多个存储器单元选择的存储器单元的感测操作；输入/输出电路，执行通过数据线将数据从页缓冲电路输出到外部装置的数据输出操作；以及感测时间控制电路，当在感测时间期间执行数据输出操作时调整感测时间。
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公开(公告)号：CN105280221B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201510394733.2
申请日：2015-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了电阻型存储器装置和操作电阻型存储器装置的方法。操作电阻型存储器装置的方法包括：响应于写命令来对存储器单元执行预读取操作；对将被执行重置写操作的一个或更多个第一存储器单元执行擦除操作，所述一个或更多个第一存储器单元是基于得自预读取操作的预读取数据与写数据的比较结果而确定的；对被擦除的所述一个或更多个第一存储器单元之中的至少一些存储器单元并且对将被执行设置写操作的一个或更多个第二存储器单元执行设置方向编程。
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公开(公告)号：CN105320471A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510455794.5
申请日：2015-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G11C13/004 , G06F11/00 , G06F11/1048 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0033 , G11C2013/0045 , G11C2013/0054
Abstract: 提供了一种操作存储装置的方法和一种操作存储系统的方法，以执行读取重试操作。操作存储装置的方法包括：开始读取重试模式；利用不同的读取条件读取多个单元区域的数据；以及根据针对从单元区域读取的数据的数据确定操作的结果，针对单元区域设置最终读取条件。
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公开(公告)号：CN105244055A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510394397.1
申请日：2015-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0021 , G11C13/0002 , G11C13/0033 , G11C13/0035 , G11C13/0038 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C2029/0407 , G11C2029/5006 , G11C2213/71
Abstract: 提供了一种电阻型存储器装置和一种电阻型存储器装置的操作方法，所述操作方法包括：向电阻型存储器装置的存储器单元阵列施加偏置控制电压；测量响应于施加的偏置控制电压在存储器单元阵列中出现的漏电流，以产生测量结果；基于测量结果来产生控制信号；响应于控制信号来调节偏置控制电压的电平。
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