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公开(公告)号：CN109841254A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811406794.6
申请日：2018-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储设备包含多个存储单元，所述存储单元包含第一存储单元和第二存储单元。一种对非易失性存储设备进行编程的方法，包含：执行第一编程，以将编程强制电压施加到每个第一存储单元的位线；并且在执行第一编程之后基于第二存储单元的阈值电压，将第二存储单元划分为第一单元组、第二单元组和第三单元组。所述方法还包含执行第二编程，以将编程禁止电压施加到每个第一存储单元的位线和第一单元组的每个存储单元的位线。所述编程强制电压的电平低于编程禁止电压的电平。
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公开(公告)号：CN107422982A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710236665.6
申请日：2017-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G06F3/0619 , G06F3/0653 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F3/0688 , G06F11/1048 , G06F11/1068 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C29/52 , G06F3/0614 , G06F3/0629
Abstract: 本发明涉及一种包括非易失性存储器和控制器的存储装置，所述控制器配置为根据外部主机装置的请求生成读取命令并传输读取命令至非易失性存储器。非易失性存储器配置为响应读取命令执行读取操作，输出读取数据至控制器，并储存读取操作的信息在内部寄存器中。
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公开(公告)号：CN107919147B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201710883574.1
申请日：2017-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 用于对非易失性存储器进行编程的方法包括：对在非易失性存储器中包含的存储单元中的低位进行编程，在对存储单元中的高位进行编程之前读取存储单元中编程的低位，根据读取低位的结果确定存储单元的阈值电压，使用所述阈值电压确定存储单元的类型，并根据所确定的存储单元的类型将多个脉冲之一供应给连接到存储单元的位线。
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公开(公告)号：CN114582410A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111304972.6
申请日：2021-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种操作执行多个存储器单元的多个编程循环的存储器设备的方法包括施加多个编程循环之中的第一编程循环的第一编程脉冲和第一验证脉冲，通过使用基于第一验证脉冲的输出对第一关闭单元计数进行计数，使用第一关闭单元计数确定第一验证跳过时段，响应于第一验证跳过时段的结束施加第N编程脉冲和多个验证脉冲，通过使用基于多个验证脉冲的输出对第二关闭单元计数进行计数，以及使用第二关闭单元计数确定第二验证跳过时段。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109785879B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201811249889.1
申请日：2018-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406
Abstract: 一种操作包括多个级的存储器设备的方法，其中每一级具有多个页面缓冲器。该方法包括：执行多个编程循环当中的第一编程循环的验证操作，第一编程循环的验证操作包括：基于第一采样率对所述多个级的第一级执行第一关闭单元计数操作，以生成第一关闭单元计数结果；基于第一关闭单元计数结果选择性地改变第一采样率以生成改变的第一采样率；以及基于第一采样率和改变的第一采样率中的一个对所述多个级中的第二级执行第二关闭单元计数操作，以生成第二关闭单元计数结果。
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公开(公告)号：CN106448733B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201610665846.6
申请日：2016-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了非易失性存储器设备和编程方法和其编程验证方法。一种用于非易失性存储器设备的编程验证方法，包括：关于第一级执行第一失败位计数操作以生成第一失败位累积值，并且将第一失败位累积值与第一失败参考值相比较以确定编程失败。当第一失败位累积值小于第一失败参考值时，执行用于第二阶段的第二失败位计数操作以生成第二失败位累积值。将第二失败位累积值与第二参考值相比较以确定编程失败。第二失败参考值不同于第一失败参考值。
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公开(公告)号：CN102376357A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110227178.6
申请日：2011-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/02 , H01L27/115
CPC classification number: G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/06 , G11C16/3454 , H01L27/11582 , H01L29/7926
Abstract: 公开了一种非易失性存储器件，其包括：三维存储单元阵列，所述的三维存储单元阵列具有从最靠近衬底的最低存储单元阵列层向最远离衬底的最高存储单元阵列层延伸的字线；电压生成器电路，其产生第一电压信号和第二电压信号；以及行选择电路，其同时施加第一电压信号到被选字线和第二电压信号到未选字线。被选字线和未选字线具有不同电阻；然而在定义的时段内以相同的上升斜率将第一电压信号施加到被选字线以及将第二电压信号施加到未选字线。
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公开(公告)号：CN118942514A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410557063.0
申请日：2024-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种在非易失性存储器装置中对数据进行编程的方法包括：将状态排序设置为第一状态排序，所述状态排序表示多个状态与多位数据的数据值之间的关系，基于第一状态排序对多个存储器单元中的目标存储器单元执行编程操作，将状态排序从第一状态排序交换到不同于第一状态排序的第二状态排序，基于第二状态排序对目标存储器单元执行编程操作，将状态排序从第二状态排序重新交换到第一状态排序，并且基于第一状态排序对目标存储器单元执行编程操作。非易失性存储器装置的多个存储器单元中的每个存储器单元被编程为具有多个状态中的一个状态。
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