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公开(公告)号：CN109285582A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201810691199.5
申请日：2018-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42
Abstract: 本发明提供一种存储器系统、非暂时性计算机可读介质及错误校验与校正的方法，可提高非易失性存储器装置的良率、可靠性及寿命。用于控制非易失性存储器装置的错误校验与校正的方法包括将写入数据存储在多个存储区中。所述写入数据可通过执行错误校验与校正编码而产生。可基于从所述存储区读出的多个读取数据中的每一者来执行单独式错误校验与校正解码。当所述单独式错误校验与校正解码关于所有所述读取数据来说均失败时，可通过对所述读取数据执行逻辑运算来提供逻辑运算数据。可基于所述逻辑运算数据来执行组合式错误校验与校正解码。
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公开(公告)号：CN103971724B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201410045218.9
申请日：2014-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C8/08
Abstract: 本发明涉及存储器、存储控制器、存储系统、及其操作方法。在一个实施例中，方法包括在存储器上执行读操作，并且由存储控制器基于计数值和参考值确定是否执行可靠性验证读操作。所述计数值基于由存储控制器发出到存储器的读命令的数目，并且可靠性验证读操作对于从与存储器中的至少一个未选字线相关联的至少一个存储单元读数据。未选字线是在读操作期间未选择的字线。所述方法还包括基于所述确定执行对于所述至少一个未选字线的可靠性验证读操作。
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公开(公告)号：CN106558343A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610842047.1
申请日：2016-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0466 , G11C7/1063 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/3418 , G11C16/3431 , G11C29/832 , G11C2029/4402 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , G11C16/16
Abstract: 提供了一种操作非易失性存储装置的方法和非易失性存储装置。所述操作非易失性存储装置的方法的步骤包括：对多个存储块中的第一存储块执行第一存储操作；当在完成第一存储操作之后在等于或大于参考区间的区间期间状态信号指示非易失性存储装置的就绪状态时，对第一存储块的一部分执行固化操作。所述非易失性存储装置包括多个存储块，每个存储块包括相对于基底沿垂直方向延伸的多个垂直串。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105931671A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610245371.5
申请日：2010-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
CPC classification number: G11C16/3459 , G11C11/56 , G11C11/5671 , G11C16/10 , G11C16/3454
Abstract: 一种对闪速存储器件进行编程的方法，包括：对选定的存储单元编程；执行验证操作，以确定选定的存储单元是否达到了目标编程状态；以及基于与检测初始编程状态的编程期间的合格比特相关联的编程特性，来确定验证操作的起始点。
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公开(公告)号：CN105097028A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510239393.6
申请日：2015-05-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/06
CPC classification number: G11C16/26 , G06F11/1068 , G06F11/1072 , G11C11/5642 , G11C16/0466 , G11C16/0483 , G11C29/52 , G11C2013/0057
Abstract: 公开了一种非易失性存储器件的读取方法和一种存储装置，该读取方法包括：根据第一读取电压从非易失性存储器件的被选择的存储区域读取数据；检测并纠正读取的数据的错误；以及当读取的数据的错误无法纠正时，确定用于读取被选择的存储区域的第二读取电压。根据读取的数据中包括的逻辑0或逻辑1的数量或者读取的数据中的逻辑1与逻辑0的比例来确定第二读取电压。
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公开(公告)号：CN102034548B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201010297753.5
申请日：2010-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G06F11/1072 , G11C11/10
Abstract: 一种非易失性存储器包括多个N位多电平单元(MLC)存储单元和控制器。所述多个N位MLC存储单元用于存储N页数据，每个MLC存储单元可编程为2N个阈值电压分布中的任一个，其中N是正数。所述控制器被配置成将N页数据编程到MLC存储单元，并且进行部分插入处理，在所述部分插入处理中N页数据被划分为M个页组，其中M是正数且每个页组包括N页数据中的至少之一，并且其中M页组中的每一个被应用于纠错码(ECC)电路以对相应M个页组生成奇偶校验位，其中M个组中的每组内的页当中的误码率(BER)被所述部分插入处理均衡。
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公开(公告)号：CN103928055A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410012363.7
申请日：2014-01-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
Abstract: 本发明提供了闪速存储器、闪速存储器系统及其操作方法。操作闪速存储器的方法包括对具有包括在第一相邻阈值电压范围和第二相邻阈值电压范围中的阈值电压的存储器单元的数量进行计数，并且基于存储器单元的第一计数数量和第二计数数量之差来设置第一最佳读取电压，第一相邻阈值电压范围由用于区分初始分开的相邻设置的阈值电压分布的第一参考读取电压和与第一参考读取电压具有第一电压差的第一搜索读取电压来限定，第二相邻阈值电压范围由第一参考读取电压和与第一参考读取电压具有第二电压差的第二搜索读取电压来限定。
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公开(公告)号：CN102157204A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010622089.7
申请日：2010-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
CPC classification number: G11C16/3459 , G11C11/56 , G11C11/5671 , G11C16/10 , G11C16/3454
Abstract: 一种对闪速存储器件进行编程的方法，包括：对选定的存储单元编程；执行验证操作，以确定选定的存储单元是否达到了目标编程状态；以及基于与检测初始编程状态的编程期间的合格比特相关联的编程特性，来确定验证操作的起始点。
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