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公开(公告)号：CN1747309A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510099264.8
申请日：2005-09-08
Applicant: 富士电机电子技术株式会社 , 夏普株式会社 , 本田技研工业株式会社
IPC: H02M7/5387
CPC classification number: H02P27/06 , B60L3/003 , B60L2210/20 , H02M7/003 , Y02T10/725
Abstract: 逆变器单元、集成电路芯片以及车辆驱动装置。提供了一种可小型化的、低成本高可靠性的逆变器单元。将控制电路部分、第一驱动与异常检测电路部分及第二驱动与异常检测电路部分形成SOI基板上，作为一个集成电路芯片，该控制电路部分用于控制包括在逆变器电路部分中的高击穿电压半导体元件的操作定时，该第一驱动与异常检测电路部分以及第二驱动与异常检测电路部分用于输出根据操作定时来驱动高击穿电压半导体元件的驱动信号并向控制电路部分反馈逆变器电路部分的异常。在该集成电路芯片上，通过电介质使基准电势不同的电路形成区彼此分隔开。形成有多个电平切换器，用于发送在通过电介质分隔开的电路形成区之间交换的信号。
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公开(公告)号：CN1819161B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200610004666.X
申请日：2006-01-27
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
CPC classification number: H05K3/0061 , H01L23/373 , H01L23/3735 , H01L23/5385 , H01L25/072 , H01L2924/0002 , H05K1/142 , H05K3/341 , H05K3/3452 , H05K2201/017 , H05K2201/0323 , H05K2203/0545 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种半导体器件，其中创建用于防止焊料流动的挡料是很简单的，且其可靠性很高。通过由在预定图案中涂覆而设置在金属基底上的挡料的手段，可限制在将多个电路板接合到金属基底中所用的焊料的流动。
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公开(公告)号：CN1841901B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610059550.6
申请日：2006-03-06
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
CPC classification number: H02M3/155 , H01F17/0033 , H01F27/292 , H01L23/15 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L23/66 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2224/16235 , H01L2924/00014 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/19015 , H01L2924/3011 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 根据本发明的薄膜磁感应元件包括铁氧体基底(1)；穿过铁氧体基底(1)，并包含连接导体(3)、线圈导体(4)和(5)的线圈；以及在铁氧体基底(1)的周边部分上形成的端(21)到(32)。端(23)到(32)被排列沿着Y方向，其中磁通量密度很低。都连接到线圈导体(4)的、并且几乎不会受到磁通量的影响的第一OUT端和第二OUT端被分别分配给端(21)和(22)，其中磁通量密度很高。VDD端、CGND端和IN端PVDD端、PGND端、FB端、CE端和AL端被分配给端(24)、(25)、(26)、(28)、(29)、(30)、(31)、和(32)，其中磁通量密度很低。包含有配置为如上所描述的薄膜磁感应元件的微型电功率转换器促进了防止电路故障的发生。
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公开(公告)号：CN100583614C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200510099658.3
申请日：2005-08-30
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
CPC classification number: H02M3/33523 , H02M2001/0032 , Y02B70/16
Abstract: 根据本发明的用于控制开关式电源电路的控制系统包括：在从开关暂停转换到开关周期时限制变压器6的励磁电流的设定装置，慢慢地改变由设定装置所设定的设定值以防止变压器6的励磁电流快速变化并减少变压器6的励磁声音，及逐渐改变该设定值，以即使在负载变得比轻负载操作期间的某个值重时防止输出电压降低。根据本发明的用于控制开关式电源电路的控制系统便于减少轻负载下开关式电源电路的电源消耗，减少变压器励磁声音并当负载轻时防止输出电压降低。
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公开(公告)号：CN101582678A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910141425.3
申请日：2009-05-13
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
Abstract: 本发明为交流马达驱动电路以及电动车辆驱动电路。在交流马达驱动电路中，电流源整流器2被设置在交流发电机2的输出侧，并且交流马达4通过电压源逆变器3连接到电流源整流器2的输出侧。除此之外，多个双向开关6各自的端子之一连接到电压源逆变器3的其自身相应的输出端，多个双向开关6的其它端子集总在一起以连接到蓄电池5的端子之一，并且蓄电池5的另一端子连接到电压源逆变器3的直流输入端之一。这消除对先前必需的DC链路上的大电容器以及斩波器中的电抗器的需要，藉此交流马达驱动电路被小型化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100561841C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200610121508.2
申请日：2006-08-16
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
Inventor： 西川幸广
CPC classification number: H02M3/3387
Abstract: 在根据本发明具有半桥结构的绝缘电功率转换器中用于控制辅助(高端)开关器件2包括电阻器103和二极管104的第一串联电路，电阻器105和二极管106的第二串联电路，以及晶体管107；将变压器绕组6b中所产生的电压用作信号电压来导通和切断辅助开关器件2；同时用第一和第二串联电路中产生的电压来导通和切断晶体管107，从而使得辅助开关器件2的栅极电压在其整个操作模式中不会超过其栅极击穿电压。根据本发明的绝缘电功率转换器有助于减少其转换损失，并获得高转换效率。
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公开(公告)号：CN101572487A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910138504.9
申请日：2009-04-27
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
Inventor： 藤井优孝
CPC classification number: H02M1/36 , H02M1/32 , Y10T307/858
Abstract: 本发明提供一种用于控制开关电源的半导体器件。其中，端子VH用作使电流涌入启动电路的电流流入端，并且还用作用于从分压电阻器的结点提取抽头电压并将该抽头电压施加到欠压检测比较器的正端的电压检测端。欠压检测比较器将施加到正端的抽头电压与基准电压进行比较。当在启动电路被停止的条件下基准电压高于结点上的抽头电压时，欠压检测被启用。被逻辑合成电路合成并被延迟电路延迟了预定时间的逻辑被输入驱动器控制电路，以抑制高速脉冲信号从PWM比较器输出。
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公开(公告)号：CN100539184C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200410055188.6
申请日：2004-08-12
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
IPC: H01L29/747 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L29/0696 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/66666 , H02J7/0031
Abstract: 本发明提供了包含高耐压且可降低接通电压的双方向元件的半导体装置及其制造方法。通过在沟槽底面(3a)上形成扩张漏极区域(4)，在分割半导体区域上形成p偏置区域(5)和在其表面上形成第一和第二n源极区域(9、10)，可以缩短第一和第二n源极区域(9、10)的平面距离，使元件的密度提高，在沿着沟槽维持耐压的情况下，达到高耐压，可使栅极电极(7)的电压比第一和第二n源极电极(11、12)高，从而在沟槽侧壁上形成沟道，可以实现电流向双方向流动的高耐压且低接通电压的双方向LMOSFET。
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公开(公告)号：CN100530679C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200510088801.9
申请日：2005-07-29
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
IPC: H01L29/00
CPC classification number: H01L29/0634
Abstract: 本发明提供一种超接合半导体元件，能改善元件周缘部的雪崩耐量，提高作为元件整体的雪崩耐量。漏极·漂移部是以间距P1交互地重复接合第一n型区域和第一p型区域构成的第一并列pn构造，漏极·漂移部的周围是由第二并列pn构造所构成的元件周缘部。元件周缘部与第一并列pn构造连续，以间距P1交互地重复接合第二n型区域和第二p型区域所构成。第一和第二并列pn构造的杂质浓度大致相同，在元件周缘部的表层区域形成的第三并列pn构造，是将第三n型区域、和比它杂质浓度高的第三p型区域以比P1还小的间距P2来交互地重复接合所构成，其杂质浓度比第一和第二并列pn构造的杂质浓度还低。
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公开(公告)号：CN100524733C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200410096536.4
申请日：2004-11-30
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
Inventor： 田久保扩
CPC classification number: H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种可以根据需要，更换作为滤波器元件使用的磁性部件，而且可使插件尺寸减少的半导体功率模块。可改良通过IGBT等电力用半导体元件的切换而进行直流电力和交流电力的电力变换的电变换装置用的半导体功率模块。配置环状磁性部件(6c)，以包围与模块包(21)内的电力用半导体元件连接的端子(2a、2b)。这样，随着电力用半导体元件的切换，可以有效地抑制在端子(2a、2b)中流动的噪声电流。
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