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公开(公告)号：CN100530679C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200510088801.9
申请日：2005-07-29
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
IPC: H01L29/00
CPC classification number: H01L29/0634
Abstract: 本发明提供一种超接合半导体元件，能改善元件周缘部的雪崩耐量，提高作为元件整体的雪崩耐量。漏极·漂移部是以间距P1交互地重复接合第一n型区域和第一p型区域构成的第一并列pn构造，漏极·漂移部的周围是由第二并列pn构造所构成的元件周缘部。元件周缘部与第一并列pn构造连续，以间距P1交互地重复接合第二n型区域和第二p型区域所构成。第一和第二并列pn构造的杂质浓度大致相同，在元件周缘部的表层区域形成的第三并列pn构造，是将第三n型区域、和比它杂质浓度高的第三p型区域以比P1还小的间距P2来交互地重复接合所构成，其杂质浓度比第一和第二并列pn构造的杂质浓度还低。
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