公开(公告)号：CN1841901B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610059550.6

申请日：2006-03-06

Applicant: 富士电机电子技术株式会社

Inventor： 西尾春彦 ,  片山靖

IPC: H02M3/155 ,  H01F30/00 ,  H01F37/00 ,  H01L25/00

CPC classification number: H02M3/155 ,  H01F17/0033 ,  H01F27/292 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/66 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19015 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 根据本发明的薄膜磁感应元件包括铁氧体基底(1)；穿过铁氧体基底(1)，并包含连接导体(3)、线圈导体(4)和(5)的线圈；以及在铁氧体基底(1)的周边部分上形成的端(21)到(32)。端(23)到(32)被排列沿着Y方向，其中磁通量密度很低。都连接到线圈导体(4)的、并且几乎不会受到磁通量的影响的第一OUT端和第二OUT端被分别分配给端(21)和(22)，其中磁通量密度很高。VDD端、CGND端和IN端PVDD端、PGND端、FB端、CE端和AL端被分配给端(24)、(25)、(26)、(28)、(29)、(30)、(31)、和(32)，其中磁通量密度很低。包含有配置为如上所描述的薄膜磁感应元件的微型电功率转换器促进了防止电路故障的发生。