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公开(公告)号：CN118072638A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410201485.4
申请日：2024-02-23
Applicant: 福州大学
IPC: G09G3/00 , G09G3/32 , G09G3/3208 , G01R31/00 , G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种应用于印刷显示面板的高速电检测系统，包括高速电检测系统包括：包含导电层的第一基板、与导电层相对设置的检测探头阵列；印刷显示面板的发光像素的阳极端、发光层、阴极端为三明治层状结构；检测探头阵列至少包括一个检测探头，检测探头阵列和导电层分别与高频交流电供电模块进行电连接；高频交流电供电模块用于向检测探头阵列和导电层进行供电以使检测探头阵列和导电层之间形成第一交变电场，第一交变电场用于使印刷显示面板电致发光；导电层旁设置有电信号测量模块，第一基板一侧设置有光信号测量模块；高速电检测系统还包括电控位移模块。本发明在避免检测损伤印刷显示面板的同时，提高检测效率。
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公开(公告)号：CN115873593B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211580456.0
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种球型核壳结构的CdS/Cu2S/CdS量子阱材料及制备方法，其是以硫化镉为核，以硫化亚铜为中间层，再利用硫化镉为壳进行包覆，组成的一种球型壳核结构材料。本发明运用热注入法和连续离子层法进行制备，其方便可行，便于控制，所制备的材料具有连续的PN异质结构，优异的外壳深阱结构，拥有着高量子效率、良好的电子空穴束缚特性，在量子点的固体照明、led显示、光电探测等领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN117410399A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311425745.8
申请日：2023-10-31
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种金属凸点阵列的可控制备及彩色Micro‑LED键合方法，采用电镀方法制备金属凸点阵列，通过改变电流密度调控金属凸点表面形貌，通过阴极旋转和电镀参数提高金属凸点高度均匀性；采用两次光刻，使电镀种子层的电连接桥梁沉积在第一光刻掩膜层上，并用第二光刻掩膜层定义金属凸点大小和形状，形成大小、形状和电学特性均匀的金属凸点阵列；采用上述制备方法分别在CMOS驱动基板和红光、绿光、蓝光三种Micro‑LED芯片制备具有不同高度的金属凸点阵列，通过三次键合分别把红光、绿光、蓝光三种Micro‑LED芯片键合在CMOS驱动基板上，形成彩色Micro‑LED显示阵列。该方法可在单位面积内实现更高的像素密度，提高Micro‑LED显示器的画质和生产效率。
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公开(公告)号：CN113937205B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202111203096.8
申请日：2021-10-15
Applicant: 福州大学
IPC: H01L33/62 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种适用于微米级芯片低温共晶键合的微凸点结构，包括从下至上依次设置的半导体衬底、图形化芯片、UBM金属层、第一金属层、第二金属层、金属凸点；所述半导体衬底、图形化芯片、UBM金属层、第一金属层外侧还设有介质层；所述第二金属层的上表面截面呈倒梯形微结构，设置于所述第一金属层表面；所述金属凸点填充于所述截面呈倒梯形微结构内，并与所述第二金属层形成所述第二合金层。本发明有效改善微凸点质量，提高微凸点器件最大耐受温度和机械强度。
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公开(公告)号：CN112947009B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202110106838.9
申请日：2021-01-27
Abstract: 本发明涉及一种提升子像素发光均衡的Micro‑LED光刻系统，包括：光源模组，用于提供入射方向不同的三组光源；掩膜版模组，包括掩膜版，掩膜版包括透光区和非透光区；阵列基板，阵列基板包括阵列排布的显示像素，每个显示像素包括红、绿、蓝色子像素；装载平台，用于装载阵列基板；显影机，用于喷洒显影液对阵列基板上的光刻胶进行溶解；刻蚀机，用于对子像素进行刻蚀形成三种深度不同的储液槽。在维持掩膜版与阵列基板相对位置不变的情况下，三组光源在同一时间透过透光区对不同颜色的子像素进行曝光，每组光源的光照强度和光照时间根据与该组光源对应颜色的子像素需填充的量子点胶体体积决定。该系统有利于提高子像素的发光亮度均衡，提升显示效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115873598B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202211580428.9
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种具有纳米立方体结构的PN结ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱光电材料及其制备方法，在立方形ZnS种子的基础上，通过热注入法和两步法合成ZnS/Cu2Se/ZnS立方体量子阱结构，最终形成的是由ZnS核和外壳包覆Cu2Se中间层的立方体结构。通过制备有机前驱体、热注入法、高温合成与退火、纯化等工艺，制备出立方体结构ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱材料。本发明运用热注入法和两步法制备具有立方体结构ZnS/Cu2Se/ZnS量子阱材料，实施简易，便于控制，该材料在能带上具有Ⅰ型结构，所以拥有高的量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，在量子点的照明、显示等材料领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN113837945B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202111156447.4
申请日：2021-09-30
Applicant: 福州大学
IPC: G06T3/40 , G06T5/00 , G06T5/40 , G06N3/0475 , G06N3/0464 , G06N3/045 , G06N3/094
Abstract: 本发明涉及一种基于超分辨率重建的显示画质优化方法及系统，该方法包括超分辨率重建过程和对比度增强过程，超分辨率重建过程采用基于生成对抗网络GAN的网络框架对输入的低分辨率图像进行超分辨率重建；GAN网络框架由生成器和判别器两部分组成，生成器包括16个卷积模块，其后设置3个亚像素卷积层和1个升采样层，以得到一个四倍放大率的输出图像；判别器采用8个卷积模块，使用Leaky ReLU作为激活函数；预训练网络以首先针对PSNR进行优化，然后对其进行微调；对比度增强过程采用基于CLAHE的对比度增强算法对超分辨率重建得到的图像进行对比度增强。该方法及系统有利于重建出视觉感受更好、更为真实的图像。
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公开(公告)号：CN116190410A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310222471.6
申请日：2023-03-09
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种用于光学交互显示的UVPT(BJT)‑LED的集成器件，包括P型氮化镓层、量子阱层、第一N型氮化镓层、第二P型氮化镓层、第三N型氮化镓层、缓冲层、衬底、阳极金属接触层、集电极金属接触层、长余辉材料层和氧化镁增透膜层；所述衬底、缓冲层、第三N型氮化镓层、第二P型氮化镓层、第一N型氮化镓层、从下至上依次设置；所述量子阱层设于第一N型氮化镓层上；所述阳极金属接触设于所述P型氮化镓层之上；所述环形长余辉材料层环绕于阳极金属接触层周围；所述氧化镁增透膜层环绕于所述第一N型氮化镓层之上；所述集电极金属接触层设于缓冲层上。本发明实现具有传感和显示双重功能的显示面板可以提供实时通信，使设备能够感知外部信号并同时显示信息的显示面板。
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公开(公告)号：CN115863524A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211575973.9
申请日：2022-12-08
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于金属微球自组装的Micro‑LED凸点阵列制备及键合方法，包括从下至上依次设置的Micro‑LED芯片基板或驱动背板、凸点下金属化层、Au薄膜、凸点间绝缘层、金属微球；本方案具有制备工艺简单，节省原材料等优点。
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公开(公告)号：CN115776823A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211580096.4
申请日：2022-12-10
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米板异质结构CdS/CdTe/CdS量子阱发光层的QWLED及其制备方法，以硫化镉为种子，采用核‑种子侧向壳生长的方法获得碲化镉冠区，然后再用相同的方法在碲化镉上得到硫化镉平面的量子阱材料为发光层，制备的包含有机空穴传输层、无机电子传输层、核壳量子阱发光层的LED器件，本发明运用热注入法制备具有纳米板异质结构CdS/CdTe/CdS量子阱材料，并展示了一种量子阱LED制备方法，核壳量子阱结构新颖，PN结材料性能优异，器件结构稳定高效，制备的量子阱材料具有连续的PN异质结构、高量子效率、良好的光学特性、结构稳定性，所制备的量子阱LED器件具备优异的电致发光效率和外量子效率。
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