公开(公告)号：CN100419973C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200480029142.5

申请日：2004-09-09

Applicant: AZ电子材料(日本)株式会社

Inventor： 田代裕治 ,  青木宏幸 ,  石川智规

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/3065 ,  C08G77/52 ,  C09D183/14

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C08G77/52 ,  C09D183/14 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835

Abstract: 本发明的目的是提供用于形成蚀刻停止层的组合物，该组合物能够同时实现干法蚀刻选择性和低的介电常数，以及使用该组合物生产半导体装置的方法。该目的可以通过用于形成蚀刻停止层的包括含硅聚合物的组合物，包含在该组合物中的含硅聚合物包括二甲硅烷基苯结构，以及包括使用该组合物形成蚀刻停止层的半导体装置的生产方法达到。

公开(公告)号：CN100407400C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200480021252.7

申请日：2004-05-28

Applicant: 日本电气株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 多田宗弘 ,  林喜宏 ,  原田惠充 ,  伊藤文则 ,  大竹浩人 ,  宇佐美达矢

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种布线结构及其制造方法，在形成有半导体元件的基板上层叠金属布线来实现半导体元件的连接的多层布线结构中，在多孔绝缘膜内形成细微的金属布线时，不会产生泄漏电流而损坏邻接的布线间的绝缘性，邻接的布线间的绝缘耐性不会劣化。在形成有半导体元件的基板上的金属布线结构中，在层间绝缘膜和金属布线之间形成含有有机物的绝缘性阻挡层413。该绝缘性阻挡层可以降低邻接的布线间的泄漏电流，提高绝缘可靠性。

公开(公告)号：CN101197372A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200710194577.0

申请日：2003-04-12

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田中顺 ,  大谷美晴 ,  尾形洁 ,  铃木康道 ,  堀田胜彦

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/532 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L23/00 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L21/76835 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/7681 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供一种半导体器件，可防止元件整体的机械强度下降，减少沿布线传播的信号的延迟。构成各布线层(100)的第一绝缘层和第三绝缘层包含碳化氮化硅膜、碳化硅和/或氧化硅，下层布线层的第二绝缘层包含氧化硅，上层布线层的第二绝缘层包含添加氟的氧化硅和/或添加碳的氧化硅。使下层布线层的第二绝缘层的介电常数比上层布线层的第二绝缘层的介电常数小。

公开(公告)号：CN100378949C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200410096931.2

申请日：2004-12-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾鸿辉 ,  章勋明

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76801 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是关于一种具有钨插塞的金属结构，在较佳实施例中，较厚的一般介电常数介电质形成于衬底上。钨插塞形成于前述较厚的一般介电常数介电质中。此较厚的一般介电常数介电质为内缩，而较薄的低介电常数介电质则形成于此较厚的一般介电常数介电质上。前述较薄的低介电常数介电质作为粘着层以及蚀刻终止层。较厚的低介电常数介电质是形成于此较薄的低介电常数介电质上。视情况而定，可形成开口贯穿此较厚的低介电常数介电质以暴露出钨插塞。然后，前述开口以铜或铜合金填满。

公开(公告)号：CN101065834A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200580034047.9

申请日：2005-08-24

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 任康树 ,  黄李丽华 ,  弗朗西马尔·施米特 ,  夏立群

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76835

Abstract: 本发明公开了应用各种技术形成具有低机械应力的低K值介电膜。在一实施例中，在低温(300℃或更低)下以等离子体增强化学气相沉积工艺形成一含碳的氧化硅膜。在另一实施例中，所沉积的含碳氧化硅膜中因并入可于后续工艺中释出的致孔剂(porogen)，因而降低薄膜的应力。

公开(公告)号：CN1314101C

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200380103304.0

申请日：2003-11-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 约翰·菲茨西蒙斯 ,  斯蒂芬·格雷科 ,  李加 ,  斯蒂芬·盖茨 ,  特里·斯普纳 ,  马修·安格耶尔 ,  哈彼·希克里 ,  西奥尔多卢斯·斯坦戴尔特 ,  格伦·比厄里

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种具有混合电介质的先进线后端(BEOL)互连结构。用于通路层的层间电介质(ILD)优选与用于线路层的ILD不同。在优选实施例中，通路层ILD(112)由低k SiCOH材料形成，线路层ILD(116)由低k聚合物热固性材料形成。

公开(公告)号：CN1819179A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610007039.1

申请日：2006-02-10

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 上野和良

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76859 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 氮化的金属帽膜(35)位于包括CoWP的金属帽(34)的上部。金属帽(34)和氮化的金属帽膜(35)的层厚可以是例如1nm到100nmm。氮化的金属帽层(35)的层厚和金属帽(34)的层厚的比率可以是例如0.1到1。此外，通过氮化SiOC层(14a)的表面获得的SiOCN层(16)形成于SiOC层(14a)上。SiOCN层(16)是包括氮在表面上被隔离的区域的层，并且厚度可以是例如1nm到100nm。

公开(公告)号：CN1261985C

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN03157707.5

申请日：2003-08-29

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 大西贞之

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/522 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: SiCN层108、BCB层110和MSQ层112按此顺序淀积在由阻挡金属层104和铜层106构成的铜互连线上。BCB层110通过等离子聚合含二乙烯基硅氧烷双苯并环丁烯单元的单体而形成。

公开(公告)号：CN1754257A

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN02814275.6

申请日：2002-05-17

Applicant: 霍尼韦尔国际公司

Inventor： L·福雷斯特

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  Y10T428/31663

Abstract: 一种镶嵌结构包括以液相形式涂布在线路介电层上的硬膜层。预期的硬膜层包含Si－N键并被致密化使得该镶嵌结构中的硬膜层的耐蚀性大于线路介电层的耐蚀性和通孔介电层的耐蚀性。特别优选的硬膜层包含聚全氢硅氮烷。

公开(公告)号：CN1224092C

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN01808741.8

申请日：2001-04-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 前川薰 ,  杉浦正仁

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76835 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在第一绝缘膜上淀积第二绝缘膜，在第二绝缘膜中形成图形以在其中形成一个开口，以及利用第二绝缘膜作为一个蚀刻掩模来蚀刻第一绝缘膜，其中，将一低介电膜用作第二绝缘膜。