公开(公告)号：CN103501888B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201280013407.7

申请日：2012-01-04

Applicant: 韩国机械研究院

Inventor： 朴燑洙 ,  金钟宇 ,  柳政湖 ,  尹云夏 ,  崔钟真 ,  韩秉东

IPC: B01J2/00 ,  B01J2/02 ,  C01B25/32 ,  B05B7/14 ,  C23C24/04

CPC classification number: B05D1/12 ,  C04B35/01 ,  C04B35/016 ,  C04B35/053 ,  C04B35/111 ,  C04B35/1115 ,  C04B35/26 ,  C04B35/447 ,  C04B35/46 ,  C04B35/462 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/486 ,  C04B35/491 ,  C04B35/495 ,  C04B35/50 ,  C04B35/515 ,  C04B35/547 ,  C04B35/5626 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  C04B35/62222 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C23C24/04 ,  Y10T428/268

Abstract: 本发明涉及用于室温真空颗粒喷射的脆性材料颗粒，以及利用该脆性材料颗粒形成涂膜的方法。具体地，将具有0.1到6μm大小的粒子形成颗粒，并使用该颗粒进行室温真空喷射来制备涂膜。示例性实施例的脆性材料颗粒可以用于室温真空颗粒喷射，且涂膜过程可以持续进行。由于通过喷嘴喷射的颗粒具有相对较大的质量，进而具有大量的动能，因此可以在低气流量下进行涂膜，且可以加快涂膜的形成速度。因此，该颗粒可以用于形成陶瓷涂膜。此外，利用示例性实施例中形成涂膜的方法，可以形成具有10%或10%以下的细孔率、并具有均匀、精细结构的涂膜，且该涂膜的均匀、精细结构无裂纹、大细孔、或片层结构等不均匀性。

公开(公告)号：CN105439561A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201410399125.6

申请日：2014-08-14

Applicant: 清华大学 ,  同方威视技术股份有限公司

Inventor： 王燕春 ,  张清军 ,  李元景 ,  陈志强 ,  赵自然 ,  刘以农 ,  刘耀红 ,  常建平 ,  赵书清 ,  张文剑 ,  王永强

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/645 ,  G01T1/202

CPC classification number: C09K11/7771 ,  C04B35/547 ,  C04B35/62615 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5463 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/662 ,  G01T1/2935

Abstract: 本发明涉及具有Pr,Ce,Tb,Eu中的至少一种元素掺杂的GOS（具有化学通式Gd2O2S）的闪烁陶瓷的低成本两步烧结制备方法，包括单轴热压一次烧结和热等静压二次烧结。

公开(公告)号：CN102985358A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201180031772.6

申请日：2011-06-27

Applicant: 株式会社钢臂功科研 ,  兵库县

Inventor： 得平雅也 ,  南部旭 ,  柏井茂雄 ,  福住正文

IPC: C01B19/00 ,  B22F1/00 ,  B22F9/08 ,  C22C9/00 ,  C22C28/00 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/14 ,  C01B19/002 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/61 ,  C04B35/547 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/407 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C22C1/0491 ,  C22C9/00 ,  C22C28/00 ,  C22C30/00 ,  C22C30/02 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明提供一种在烧结时或加工时不会发生破损的、含有Cu、In、Ga及Se的Cu-In-Ga-Se系粉末、以及使用该粉末的烧结体及溅射靶。本发明涉及含有Cu、In、Ga及Se元素的粉末，其中，Cu-In-Ga-Se系化合物和/或Cu-In-Se系化合物共计含有60质量％以上。本发明的粉末优选含有20质量％以下的In-Se系化合物和/或20质量％以下的Cu-In系化合物。

公开(公告)号：CN101842724B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200880114248.3

申请日：2008-10-31

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上野友之 ,  长谷川干人

IPC: G02B5/18

CPC classification number: G02B5/1814 ,  B28B11/003 ,  B28B11/005 ,  C04B35/14 ,  C04B35/443 ,  C04B35/486 ,  C04B35/547 ,  C04B35/553 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/945 ,  C04B2235/963 ,  C04B2235/9653 ,  G02B5/1847

Abstract: 其中通过增强加工精度而增强了光学特性的、一种由陶瓷构成的衍射光学元件(1)由红外透射性陶瓷构成，并且在衍射光学元件(1)的表面上重复地形成突出部(11)和沟部(12)。在衍射光学元件的表面的光学有效区域(10)内的表面粗糙度Ra的平均值是0.05μm或者更小，并且在表面的光学有效区域(10)内的表面粗糙度Ra的差异是0.02μm或者更小。

公开(公告)号：CN102132430A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200980131220.5

申请日：2009-08-11

Applicant: 三星电子株式会社 ,  加利福尼亚大学董事会

Inventor： 李相睦 ,  普拉布哈卡·班达鲁 ,  陈成浩

IPC: H01L35/02 ,  H01L35/28 ,  H01L35/32 ,  H01L35/34

CPC classification number: H01L35/34 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/547 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/781 ,  H01L35/22 ,  H01L35/26

Abstract: 各向异性伸长的热电纳米复合材料包括热电材料。

公开(公告)号：CN101253128A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200680031653.X

申请日：2006-07-18

Applicant: 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司

Inventor： B·拉库尔斯 ,  M·赞迪

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/645 ,  G01T1/202 ,  C09K11/77

CPC classification number: C09K11/7771 ,  C04B35/547 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/784 ,  C04B2235/786

Abstract: 一种生产稀土氧硫化物闪烁陶瓷体的方法，包括热处理形成一种固结体，然后对所述固结体进行气体热等静压(GHIP)处理。首先提供一种具有通式(M1－xLnx)2O2S的粉末，其中M是稀土元素，Ln是选自Eu、Ce、Pr、Tb、Yb、Dy、Sm和Ho的至少一种元素，并且1×10－6＜x＜2×10－1。对该粉末进行热处理以生成一种具有封闭孔隙的固结体，其中热处理过程在Tht温度下进行。在具有Thip温度的气体热等静压环境中对该固结体进行气体热等静压处理直到其密度不小于理论密度的99％，其中1100℃＜Thip＜1500℃，从而形成一种致密化体。

公开(公告)号：CN101208451A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200680022785.6

申请日：2006-03-24

Applicant: 日矿金属株式会社

Inventor： 高见英生 ,  矢作政隆

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/547 ,  C04B35/453 ,  G11B7/26 ,  G11B7/257 ,  G11B7/254

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/453 ,  C04B35/547 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9646 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/2585 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/25708 ,  G11B2007/25715 ,  G11B2007/25716 ,  Y02T50/67

Abstract: 本发明涉及一种溅射靶，其中，以硫化锌与由氧化铟、氧化锌及其它三价阳性元素A构成的氧化物为主要成分，相对于全部构成成分的硫的比率为5至30重量％，XRD测定的立方晶系ZnS的(111)峰强度I1与六方晶系ZnS的(100)峰强度I2共存并且满足I1＞I2。本发明的目的在于提供在靶制造时或者通过溅射形成膜时可以防止靶破裂的高强度溅射靶及其制造方法，以及得到最适合作为保护膜使用的光信息记录介质用薄膜及其制造方法。

公开(公告)号：CN100390940C

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200480000319.9

申请日：2004-04-23

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 川副博司 ,  柳田裕昭 ,  折田政宽

IPC: H01L21/28 ,  H01L33/00 ,  H01B1/06

CPC classification number: H01L31/0224 ,  C04B35/547 ,  H01L21/44 ,  H01L29/22 ,  H01L29/45 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0682 ,  H01L33/28 ,  H01L33/40 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/547 ,  H01L2924/00

Abstract: 作为在Ⅱ～Ⅵ族化合物半导体中形成p型欧姆接触电极的技术，提供了一种用于形成低电阻、稳定、无毒且产率优异的电极的材料，从而提供了一种优异的半导体元件。该半导体元件具有由组成式AXBYCZ表示的材料的形式(A：选自IB族金属元素的至少一种元素，B：选自Ⅷ族金属元素的至少一种元素，C：选自S和Se的至少一种元素)，其中X、Y和Z满足X+Y+Z＝1，0.20≤X≤0.35，0.17≤Y≤0.30，且0.45≤Z≤0.55。

公开(公告)号：CN1864266A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200480025477.X

申请日：2004-09-03

Applicant: 纳诺卢门斯收购公司

Inventor： 阿德里安·基泰 ,  相英伟 ,  布莱恩·J.·考克斯

IPC: H01L29/00 ,  H01L33/00 ,  H05B33/14 ,  H05B33/26 ,  G09F9/33

CPC classification number: H05B33/22 ,  C04B35/01 ,  C04B35/16 ,  C04B35/44 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/547 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/528 ,  C04B2235/5436 ,  C09K11/595 ,  C09K11/621 ,  C09K11/662 ,  C09K11/666 ,  C09K11/7734 ,  H01L25/0753 ,  H01L2924/0002 ,  H05B33/26 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种电致发光显示装置，所述装置使用嵌入在柔性电绝缘基质中的介电球。每一球状介电颗粒具有从所述基质顶面凸出的第一部分和从所述基质底面凸出的第二部分。在每一球状介电颗粒的第一部分上沉积电致发光的无机发光材料层，并且连续导电的、基本上透明的电极层位于在所述电致发光的无机发光材料层的顶面上和位于所述电致发光的无机发光材料层的顶面之间的柔性电绝缘基质区域上。连续导电的电极层涂布于所述球状介电颗粒的第二部分上和位于所述球状介电颗粒的第二部分之间的柔性电绝缘基质区域上。

公开(公告)号：CN1738776A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN03825912.5

申请日：2003-06-27

Applicant: 大和电子株式会社 ,  吉田昌弘 ,  幡手泰雄

Inventor： 吉田昌弘 ,  幡手泰雄 ,  皿田二充 ,  上村芳三 ,  本田知之 ,  福永裕之 ,  岩下正弘

IPC: C03C8/24 ,  C03C27/04 ,  C03C27/10 ,  C03C29/00 ,  C04B37/00

CPC classification number: C04B35/547 ,  C03C3/122 ,  C03C3/14 ,  C03C8/04 ,  C03C8/14 ,  C03C8/24 ,  C03C27/044 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/495 ,  C04B35/653 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/9607

Abstract: 本发明的封接加工用无铅玻璃材料具有包括如下成分的玻璃组成：20～80重量％由B2O3和V2O5的任意一者或者两者组成的网络形成氧化物，0～60重量％ZnO，0～80重量％BaO，且ZnO与BaO至少一者为必要成分。本发明作为封接加工用玻璃材料，属于无铅类，可以在低加工温度和较宽的温度范围内进行封接加工，热膨胀系数小，接合性、密闭加工性、密封性、化学稳定性和强度等优越，能够替代含铅玻璃，具有充分的实用性能。