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公开(公告)号：CN116648121A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310918941.2
申请日：2023-07-26
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 垂直钙钛矿异质结薄膜及其连续大面积制备方法和应用。本发明属于光电子器件新材料领域。本发明为解决现有钙钛矿异质结制备方法复杂，不利于大规模生产以及所得钙钛矿异质结光电性能不高的技术问题。本发明分别对底层和上层钙钛矿前驱体溶液的溶剂进行选取，以过饱和的乙氰和甲胺的乙醇溶液构成的混合溶液作为上层钙钛矿前驱体溶液的溶剂，既保持顶层钙钛矿的结晶浓度，又保持底层不被其溶解；此外，通过设计垂直钙钛矿异质结薄膜各层厚度，构建出一种上层钙钛矿薄膜厚度远超底层钙钛矿薄膜厚度的垂直钙钛矿薄膜异质结，本发明的方法更加的简便快速，易于大面积制备，便于工业化生产。
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公开(公告)号：CN116551176A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310847178.9
申请日：2023-07-12
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明涉及一种红外探测窗口激光焊接装置及焊接方法，激光经过激光焊接装置后发出两路同心交叠的激光，一路激光为环形匀化光斑，聚焦在焊料所在区域，环形匀化光斑根据待焊接区域的位置进行连续扩大或缩小的调节直至达到使用需求；另一路激光为面型匀化光斑，面型匀化光斑照射在待焊接区域，以此对待焊接区域的母材工件进行预热；焊接时将激光采用逐层逐级递进式进行扫描照射，焊料的熔化能够跟随激光移动，焊料遇到凹坑、间隙等能够进行从一侧向另一侧流动填充，推挤出气体，避免焊料同时熔融或随机熔融时把气体包裹住，无法排出，形成空洞孔隙。
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公开(公告)号：CN112421375B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202011298766.4
申请日：2020-11-18
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明提供了一种中红外波段激光器外延结构、中红外波段微腔激光器及其制备方法和应用、检测器件，涉及半导体器件技术领域，包括依次设置于衬底上的过滤缓冲层、n型波导层、n型限制层、有源区、p型限制层、p型波导层和p型覆盖层；过滤缓冲层包括InxGa1‑xAsySb1‑y，其中，0
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公开(公告)号：CN108470674B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201810039796.X
申请日：2018-01-16
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明公开了一种利用应力调控实现纯相GaAs纳米线的制备方法。该方法通过在GaAs纳米线外包覆GaAsSb外壳，利用GaAs和GaAsSb之间晶格失配产生的应力使GaAs纳米线晶体结构由WZ/ZB(纤锌矿/闪锌矿)结构转变为ZB(闪锌矿)纯相结构，解决现有GaAs纳米线材料生长技术中所制备的GaAs纳米线材料为WZ/ZB混相结构的难题。本发明中GaAs材料是在优化的生长温度、V/III束流比条件下通过V‑L‑S(气‑液‑固)生长机制获得，在进行GaAsSb生长时保持GaAs材料的生长温度及V/III束流比，加入V族元素Sb完成V‑S(气‑固)机制生长的GaAsSb包覆层，在轴向利用GaAsSb和GaAs两种合金由于晶格失配存在的应力实现GaAs纳米线由混相转变为纯相，实现纯ZB结构GaAs纳米线制备，为高质量、高性能GaAs纳米线器件奠定材料基础。
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公开(公告)号：CN107069423B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201710352038.9
申请日：2017-05-19
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直腔面发射半导体激光器电极，该电极可有效解决垂直腔面发射半导体激光器电极制备工艺复杂、光面积小的问题。该电极为石墨烯材料，用化学气相沉积(CVD)方法将石墨烯薄膜制备在铜箔上，然后通过有胶迁移的方式将石墨烯薄膜迁移到垂直腔面发射半导体激光器芯片衬底和P‑DBR侧的外表面，最后在出光侧石墨烯薄膜层上制备金接触点并引出金属导线。这种电极利用石墨烯材料零带隙、高的导电导热特性，有效的提高了垂直腔面发射半导体激光器的出光面积，同时具有较好的导电特性和散热特性，使器件在较大出光口径时保持电流均匀注入，器件产生的热量能够快速有效散失，实现器件输出功率的提高并保持较好的光斑质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111082308A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911413369.4
申请日：2019-12-31
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明提供了一种免焊料高导热半导体衬底及其制备方法，属于半导体技术领域。采用本发明提供的方法制备的半导体衬底中，背面设置有孔洞，且通过蒸镀法将延展性较好的金属材料填充在孔洞内，在孔洞填充满后继续利用蒸镀法继续在刻蚀衬底的背面制备金属材料层，使用该半导体衬底时，所述金属材料层可以充当焊料层，加热热沉后，即可实现半导体衬底与热沉直接粘附，省去了额外在热沉上制备焊料层的工艺，减少器件制备工艺步骤。此外，本发明在衬底基体背面设置孔洞，且孔洞中填充延展性好、导热能力强的金属材料，芯片受热膨胀时，不会由于过大的应力而造成芯片损坏以及与热沉脱离的问题，提升了半导体激光器芯片的寿命和半导体激光器的性能。
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公开(公告)号：CN105019027B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201410165012.X
申请日：2014-04-23
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明涉及一种用新工艺方法制备GaSb纳米线的方法，以分子束外延(MBE)为基础，使用全新方法在GaSb衬底上制备GaSb纳米线，属于纳米材料制备领域。在无催化剂、无模板的条件下利用MBE的超高真空环境，制备出高纯度优质的GaSb纳米线。最重要的步骤是在氧化层去除后，关闭Sb束流，使GaSb表面形成Ga富集区，形成新的纳米线生长界面，然后再开启Ga和Sb的挡板生长GaSb，由于表面状态的不同而使GaSb区域性的三维生长，从而形成纳米线结构，制备出GaSb衬底上的GaSb纳米线。
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公开(公告)号：CN109560163A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811405317.8
申请日：2018-11-26
Applicant: 长春理工大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种基于量子点修饰的GaAs纳米线探测器及这种探测器的制备方法，该方法是用Sb2S3量子点修饰采用(NH4)2S钝化液钝化处理后的GaAs纳米线，然后用这种硫钝化处理且包覆有Sb2S3量子点的GaAs纳米线进行探测器器件的制备。对GaAs纳米线进行表面硫钝化处理，降低了GaAs纳米线的表面态密度，提高探测器中载流子寿命，进而提高GaAs纳米线探测器的响应度，用量子点对GaAs纳米线包覆这使量子点与GaAs纳米线材料间构成Ⅱ型能带结构，光照下量子点的光载流子注入到GaAs纳米线中，提高GaAs纳米线探测器器件响应度，同时防止了钝化层被再次氧化，进而提高GaAs纳米线探测器的探测性能，解决现有GaAs纳米线探测器器件响应度较差的问题。
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公开(公告)号：CN109557040A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811228022.8
申请日：2018-10-22
Applicant: 长春理工大学
IPC: G01N21/3563 , G01N21/59
Abstract: 本发明涉及一种调节表面等离子体共振频率的方法，该方法是在ITO薄膜的上表面和下表面之间施加恒定电场，通过施加的恒定电场调节ITO材料表面的载流子浓度，ITO材料的表面等离子体频率与该材料表面的载流子浓度决定，利用对ITO材料的载流子浓度的调节间接改变重掺杂ITO材料的改变表面等离子体共振频率，最终实现对ITO材料表面等离子体共振频率实时动态调节的目的。本发明提出的这种方法简单且对表面等离子体共振频率能够实时动态调节，解决现有技术中对表面等离子体共振频率不能实时动态调节、调节技术复杂的难题。
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公开(公告)号：CN109534279A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811411998.9
申请日：2018-11-26
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明涉及一种纳米线阵列器件的制备方法，该方法通过在生长纳米线的衬底上制备AlxGa1-xAs薄膜作为牺牲层，纳米线生长在AlxGa1-xAs上，用溶于丙酮溶液中的PMMA材料旋涂在纳米线样品表面完成PMMA对纳米线的固定。将被PMMA固定的纳米线样品放入HF酸腐蚀液中，利用HF酸对AlxGa1-xAs具有腐蚀作用，而HF酸对GaAs或InAs、PMMA没有腐蚀作用，从而使衬底表面的AlxGa1-xAs被腐蚀掉，GaAs纳米线及PMMA材料不与HF酸反应被完整的保留而得到可迁移的GaAs或InAs纳米线阵列。随后，在可迁移的纳米线阵列材料上表面制备p型金属电极，下表面制备n型金属电极，完成电极制备后将样品放进丙酮或甲苯溶液中浸泡除去PMMA并清洗干净后自然风干，获得GaAs或InAs纳米线阵列器件，解决现有技术中获得纳米阵列器件存在工艺困难的难题。
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