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公开(公告)号：CN114051107B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202111264687.6
申请日：2021-10-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N25/76
Abstract: 本发明提供一种CMOS图像传感器的双模式精细增益配置装置及方法，可变采样电容阵列输入侧连接采样信号，输出侧连接反馈运算阵列，实现多种倍数的增益补偿，配合可变反馈电容和恒定反馈电容，能够实现1以下倍数的增益补偿，解决了现有增益配置的步进粗和仅支持正向配置的缺陷，实现精细步进增益和正负增益双向调整，根据实际情况增加可变采样电容阵列中开关电容的数量进而能够实现更高倍数的增益补偿，提高了通用性和精度；本方法，满足高质量成像对光线微弱变化的增益校准需求，提出增益校准算法流程，根据图像输出实际灰度值，通过对比本发明中真值表，确定增益校准配置和校准方法，步骤简单，可快速选择需要得可变采样电容阵列，实现增益补偿。
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公开(公告)号：CN114885108A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210550326.6
申请日：2022-05-20
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H04N5/374 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种低功耗CMOS图像传感器结构及其实现方法，包括像元阵列、采样放大单元、比较单元、DAC码值产生器、DAC斜坡产生器、寄存处理单元和输出电路单元；对像元阵列的模拟信号采样放大后得到输入信号，将其传输至比较单元一输入端，DAC码值产生器的数字码值传输至DAC斜坡产生器，将斜坡信号传输至比较单元另一输入端，斜坡信号大于输入信号时，比较单元产生翻转信号，寄存处理单元存储此时的数字码值，对其进行处理后，将结果输出。码值产生器兼具数码产生和计数功能，避免传统计数器在A/D转换时产生大量翻转和计数，有效降低图像传感器整体功耗和由于高功耗而产生的热量聚集现象，提升了温度敏感型图像传感器性能。
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公开(公告)号：CN110049263A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910469549.8
申请日：2019-05-31
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于超大面阵CMOS图像传感器的高速高精度锁相环电路，属于图像传感器技术领域。该锁相环电路，三级交叉耦合互补振荡单元依次反向级联；NM5的栅端接PD信号，NM5的漏端、NM2的栅端、NM3的栅端、NM4的栅端均与输入电压端相连接，NM2的源端、NM3的源端、NM4的源端均与的NM5源端相连，NM2的漏端输出Ictrl1，Ictrl1作为频率调节电流输入第一级；NM3的漏端输出Ictrl2，Ictrl2作为频率调节电流输入第二级；NM4的漏端输出Ictrl3，Ictrl3作为频率调节电流输入第三级。该锁相环电路，提高锁相环内压控振荡器的频率调节范围，并能调节锁相环的振荡器中心频率。
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公开(公告)号：CN118714474A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410754751.6
申请日：2024-06-12
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种应用于CMOS图像传感器的读出电路及控制方法，属于CMOS图像传感器领域，包括：像素信号采样模块、采样保持读出模块和模数转换模块，像素信号采样模块采集每行像元的复位信号和光电信号；采样保持读出模块包括MOS电容将像素信号采样模块所采集的每行像元的复位信号和光电信号以高帧频模式或低噪声模式的工作方式分别存储至不同的MOS电容；模数转换模块将MOS电容中存储的复位信号和光电信号进行模数转换得到数字码。本发明能够解决现有技术的读出噪声较大的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116567441A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310179255.8
申请日：2023-02-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供一种面向品拼接工艺的可复用版图和拼接补偿校准装置，包括多级依次连接的拼接块，每一级拼接块一一对应连接有斜坡生成补偿电路，斜坡生成补偿电路连接有A/D转换电路；拼接块中均排列设置有多级电路组，每级电路组中包括两根信号电路；拼接块中的首级电路组接入对应的斜坡生成补偿电路组，仅其余级电路组与下一级拼接块的多级电路组依次连接，且首级拼接块之后的所有拼接块的多级电路组接入信号的数量逐级递减；本申请每一级拼接块为可复用版图，通过可复用版图将光刻版数目降低为一套，有效解决了超大面阵图像传感器采用多套光刻版的高成本问题，以及不同拼接块之间的工艺差异问题，同时，斜坡生成补偿电路能够大幅优化成像质量。
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公开(公告)号：CN115694471A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211339506.6
申请日：2022-10-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03K19/0185 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种用于超大面阵超低温红外图像传感器的电平移位结构，包括转换信号输入管；电平钳位管的栅端接收电平VREF，电平钳位管的源端分别连接反馈管的源端、反向N管的栅端、反向P管的栅端；电平钳位管的漏端连接转换信号输入管的源端；转换信号输入管的漏端接地；转换信号输入管的栅端接IP；反馈管的漏端与上拉管的源端相接，上拉管的栅端接IP，上拉管的漏端接电源VDD；反向P管的源端接电源VDD，反向P管的漏端连接反向N管的源端，反向N管的漏端接地；电平VREF由电平VREF钳位匹配电压产生电路产生。保证转换信号输入管(低阈值管)的源漏电压不超过1.2V，确保该器件工作在正常的电压区间，避免击穿风险。
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公开(公告)号：CN115050768A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210737686.7
申请日：2022-06-27
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种增强吸收的背照式抗辐照PPD像元结构及其实现方法，像元结构中阱注入区、传输管阈值调整注入层和PD注入区设置在外延层上，传输管阈值调整注入层的一侧设置有栅氧化层和栅极，FD区位于阱注入区内部，高k介质层覆盖器件表面，钝化层淀积在器件表面。通过淀积高k介质层与反射金属层，利用金属与半导体之间的功函数差，在半导体PD注入区的表面感应出空穴，并通过将金属层与外延层共同接到电源地，实现对PPD表面感生空穴层的电位钳制，从而避免了通过高剂量离子注入的方式形成光电二极管表面的钳位层，有效的减少了PPD表面由于注入损伤引入的缺陷，减少了光电二极管中光电子在表面的复合，提升了像素单元的量子效率。
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公开(公告)号：CN114979522A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210550325.1
申请日：2022-05-20
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种自适应像素级高动态CMOS图像传感器及其实现方法，由像素阵列输出光电信号，将光电信号分别输入至列级ADC读出电路和像素级ADC电路；列级ADC读出电路中的比较器分别接收光电信号和斜坡信号，比较结果通过计数器传输至数据合成器；像素级ADC电路中的比较单元分别接收光电信号和参考信号，比较结果通过寄存器单元处理后，分别输送至控制单元和数据合成器，控制单元生成控制时长数据并将其反馈至像素阵列，数据合成器中产生最终结果输出。将像素级ADC电路的高实时性特点和列级ADC读出电路的高精度特点有机结合，由数据合成器输出最终结果，在光线快速变化时，实现高动态成像需求。
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公开(公告)号：CN111351589B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202010158583.6
申请日：2020-03-09
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G01K7/01
Abstract: 本发明公开了一种集成于CMOS图像传感器的温度传感器及其控制方法，温度传感器包括温度转电压模块以及单积分型ADC模块；温度转电压模块包括比例电流生成电路，比例电流生成电路将电流源转换成两路具有固定比例的偏置电流，分别输入核心感温模块中两个NPN型双极晶体管的集电极，两个NPN型双极晶体管的基极‑发射极电压分别经过开关电容放大器采样后输入单积分型ADC模块，单积分型ADC模块将采样放大之后的模拟电压值进行量化并输出。本发明温度传感器的控制方法通过采用两次采样两次转换的方法，在不增加电路复杂程度的前提下提高了片上温度传感器的精度。
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