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公开(公告)号：CN108712165B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201810551711.6
申请日：2018-05-31
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03K19/0175 , G06F13/40
Abstract: 本发明通过一种用于异步交互接口监测的管脚复用电路，监测信号为异步时钟域1和时钟域2间交互的信号，寄存器配置模块对监测管脚和功能管脚复用进行寄存器配置；监测管脚控制模块根据寄存器配置模块输出的N个监测使能对异步时钟域1和时钟域2的N个监测信号进行选择，最终输出1个监测信号为监测输出信号；功能管脚控制模块根据寄存器配置模块输出的功能管脚配置对M个功能管脚的复用进行控制管理，最终获取1个功能信号；管脚选择复用模块根据寄存器配置模块输出的监测功能选择信号，对监测管脚控制模块输出的监测输出信号，以及功能管脚控制模块的功能输入信号、功能输出信号和功能方向选择信号进行管脚复用判定，完成最终的管脚复用功能。
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公开(公告)号：CN111913097A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010872819.2
申请日：2020-08-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种用于测试SoC功能的测试电路、测试方法和SoC，当测试模式控制寄存器配置SoC为测试模式时，管脚复用选择模块切换并行PROM复用管脚选择片外测试用并行PROM接口，此时：片内测试加载程序控制器用于通过片外测试用并行PROM接口加载SoC功能测试程序，并用于将加载的SoC功能测试程序搬运至片内存储器控制器中的片内SRAM；处理器用于执行片内SRAM中的SoC功能测试程序，进行SoC功能测试。本发明可在不增加SoC管脚数的情况下，实现测试程序并行加载，从而可在ATE测试机台上快速完成SoC功能测试，降低电路测试成本。
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公开(公告)号：CN108829373B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201810533118.9
申请日：2018-05-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G06F5/06
Abstract: 本发明一种异步fifo实现电路，包括fifo控制模块，以及基于异步时钟clk1和clk2设置的基于clk1的同步fifo1和基于clk2的同步fifo2；同步fifo1和同步fifo2中的数据宽度相同；fifo控制模块包括与基于clk1的同步fifo1交互的fifo1状态控制模块，与基于clk2的同步fifo2交互的fifo2状态控制模块，以及跨时钟域脉冲转换模块；fifo1状态控制模块和fifo2状态控制模块用于根据电路的输入信号分别对同步fifo1和同步fifo2进行状态控制；状态控制包括IDLE态、WR态和RD态；跨时钟域脉冲转换模块用于clk1时钟域和clk2时钟域之间脉冲信号的转换。
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公开(公告)号：CN109960664A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201910208863.0
申请日：2019-03-19
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G06F12/02
Abstract: 本发明公开了一种多模块共享的容量统一分配并独立使用的FIFO控制装置，该装置包括N个block、K个小容量FIFO和配置共享FIFO单元；block用于发送和接收数据实现与外部的通信；配置共享FIFO单元用于读取各block对K个小容量FIFO的读写访问信号，实现为各block配置FIFO容量、分发和收集各block对FIFO的控制；其中，block为功能模块；FIFO的上限地址回环边界根据配置的FIFO容量变化。该装置能够减小芯片面积和降低芯片成本；该装置结构简单，易于实现，具有较高的可移植性。
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公开(公告)号：CN113946368B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202111275421.1
申请日：2021-10-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于RISC‑V指令集的三级流水线架构，包括取指级模块、译码级模块、执行级模块和寄存器文件；将原来第二级流水，分成了第二级和第三级流水，使第二级流水逻辑降低，有利于主频的提升。本发明通过对当前指令的源、目的寄存器与流水线中目的寄存器进行相关性译码，控制到达后续执行级的指令流，如相关，停顿流水线，如无关，将译码级指令发送至执行级，保证乱序交付下，处理器功能执行的正确性。本发明的架构采用长周期指令并行执行、乱序交付的快速执行方式，允许load/store及除法等执行时间较长的长周期指令，在资源不冲突情况下，可以与ALU，以及其他长周期指令并行执行，加快处理器执行性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111913097B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202010872819.2
申请日：2020-08-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种用于测试SoC功能的测试电路、测试方法和SoC，当测试模式控制寄存器配置SoC为测试模式时，管脚复用选择模块切换并行PROM复用管脚选择片外测试用并行PROM接口，此时：片内测试加载程序控制器用于通过片外测试用并行PROM接口加载SoC功能测试程序，并用于将加载的SoC功能测试程序搬运至片内存储器控制器中的片内SRAM；处理器用于执行片内SRAM中的SoC功能测试程序，进行SoC功能测试。本发明可在不增加SoC管脚数的情况下，实现测试程序并行加载，从而可在ATE测试机台上快速完成SoC功能测试，降低电路测试成本。
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公开(公告)号：CN110008162B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201910232887.X
申请日：2019-03-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G06F13/40
Abstract: 本发明的缓冲接口电路，包括通道一访问控制模块、通道二访问控制模块、通道选择寄存器、MUX单元、同步一模块、同步二模块、双端口缓冲区和外设访问缓冲区控制模块；通道一访问控制模块和通道二访问控制模块一端分别对应连接片内一级总线和片内二级总线，另一端通过MUX单元选择后与双端口缓冲区连接；通道一访问控制模块和通道二访问控制模块分别通过同步一模块和同步二模块与外设访问缓冲区控制模块进行控制信息交互；外设访问缓冲区控制模块的一端连接双端口缓冲区，另一端连接外设模块；实现片内多级总线和外设的高效率数据交互，在保证传输正确可靠的前提下提升性能和效率，有效的解决了内部多级总线主机和外设接口之间数据高效率传输的问题。
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公开(公告)号：CN108763760B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201810533154.5
申请日：2018-05-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G06F30/398 , G06F13/16
Abstract: 本发明公开了一种基于两级BOOT结构的系统级芯片，包括存储器控制器，存储控制器通过片内总线连接处理器，片内总线连接片内ROM；其中存储器控制器连接存储区一和存储区二；其中存储区一包括串行PROM和并行MRAM，且存储器控制器同一时刻访问串行PROM或并行MRAM；存储区二为并行SRAM；其中片内ROM存储一级BOOT指令，且处理器访问片内ROM存储的内容；其中存储区一中存储二级BOOT指令和用户程序；其中处理器接入BOOTSEL控制引脚；存储器控制器接入ROMSEL控制引脚。采用硬件控制的方式选择上电复位的启动地址和访问的片外存储体类型，并且基于两级BOOT结构实现系统级芯片的三种上电启动方式。
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公开(公告)号：CN113946368A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111275421.1
申请日：2021-10-29
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于RISC‑V指令集的三级流水线架构，包括取指级模块、译码级模块、执行级模块和寄存器文件；将原来第二级流水，分成了第二级和第三级流水，使第二级流水逻辑降低，有利于主频的提升。本发明通过对当前指令的源、目的寄存器与流水线中目的寄存器进行相关性译码，控制到达后续执行级的指令流，如相关，停顿流水线，如无关，将译码级指令发送至执行级，保证乱序交付下，处理器功能执行的正确性。本发明的架构采用长周期指令并行执行、乱序交付的快速执行方式，允许load/store及除法等执行时间较长的长周期指令，在资源不冲突情况下，可以与ALU，以及其他长周期指令并行执行，加快处理器执行性能。
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公开(公告)号：CN111740743A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010555072.8
申请日：2020-06-17
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种支持串行和并行模式的低开销AD控制器电路，AD控制器连接3个AD转换器，AD控制器内部包括1个串行控制器、3个并行子控制器、1套全局寄存器、3套子控制器寄存器、1个FIFO控制模块、1个MUX单元和1个片内访问接口；AD控制器通过片内访问接口接收SoC片内主控处理器的访问请求，实现全局寄存器以及子控制器的配置，实现AD控制器对AD转换器的控制，并将转换的数字结果存储到FIFO控制模块内，转换结束后SoC片内主控单元判断全局寄存器中的转换完成状态位置位或根据接收中断输出信号从FIFO中读取转换结果。本发明设计结构清晰、控制逻辑简单，且具有较高的可移植性和可复用性，可应用于不同架构的多种芯片中。
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