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公开(公告)号:CN116666464A
公开(公告)日:2023-08-29
申请号:CN202310799049.7
申请日:2023-07-03
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/108
Abstract: 本发明公开了一种基于双硅层光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器,包括:上方硅薄膜、顶部导电电极、金属光栅、钛薄膜、硅基底、底部导电电极;所述钛薄膜、金属光栅、钛薄膜、上方硅薄膜依次设置于所述硅基底上;所述底部导电电极连接于硅基底下方;所述顶部导电电极与所述金属光栅固定连接;所述钛薄膜作为粘附层连接所述硅基底和所述金属光栅以及所述金属光栅和所述上方硅薄膜;本发明采用金属材料作为吸光层,通过基于双硅层进一步地提高了金的光吸收效率、热电子产生率,提高了热电子转移到硅中的收集效率,通过改变金属光栅宽度可调节探测器的响应波长,进而实现窄带的光电探测。
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公开(公告)号:CN112816443A
公开(公告)日:2021-05-18
申请号:CN202110166204.2
申请日:2021-02-04
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N21/552 , G01N21/01
Abstract: 本发明属于电子信息领域,涉及一种电信号直接读出的光学传感装置及其制备方法,激发光照射至周期性金属纳米结构阵列层,待测物注入流通池并浸没传感芯片,之后,传感芯片将具有特征反射谷的反射光谱;当待测物的浓度或种类变化时,反射光谱特征反射谷的中心位置将发生变化;进而导致传感装置的光响应度谱的特征峰位发生位移,直接表现为两根引线间的光电流发生变化。通过装置输出光电流的变化,可反演出待测物的浓度或种类。本装置无需外置半导体光电探测单元,即可实现电信号直接读出的工作特性;此外,可工作在自驱动工作模式下,所采用的光源在传感测试过程中无需改变入射角度、功率和波长。
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公开(公告)号:CN109638086A
公开(公告)日:2019-04-16
申请号:CN201811575199.5
申请日:2018-12-21
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/054 , H01L31/068
Abstract: 本发明公开了一种纯平面结构的色控非晶硅太阳能电池,该色控非晶硅太阳能电池包括从上至下依次设置的抗反射涂层、DBR层、缓冲层和非晶硅太阳能电池层,抗反射涂层用于增加透射率,DBR层由高折射率材料和低折射率材料交替组合而成,DBR层用于使反射光谱在可见光波段显示RGB三基色,缓冲层用于降低反射光干扰,并提高显示颜色的纯度,非晶硅太阳能电池层包括从上至下依次设置的前接触电极层、非晶硅活性层、后接触电极层和基底层。本发明纯平面结构的色控非晶硅太阳能电池通过引入了DBR层作为颜色控制元件,引入抗反射涂层作为色彩优化元件,可以得到高纯度色彩,使太阳能电池达到的色域可以与标准红绿蓝三基色体系的色域相媲美。
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公开(公告)号:CN104064619B
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201410242634.8
申请日:2014-06-03
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/076 , H01L31/0352 , H01L31/0368 , H01L31/0376
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种微晶硅非晶硅径向双结纳米线太阳能电池,包括内核、外壳和导电电极,其特征在于:内核包括p型微晶硅纳米线型核,和由内向外依次沉积在p型微晶硅纳米线型核外的微晶硅本征层和重掺杂n+型微晶硅层,外壳包括由内向外沉积在重掺杂n+型微晶硅层外的重掺杂p+型非晶硅层,非晶硅本征层和n型非晶硅层,重掺杂n+型微晶硅层和重掺杂p+型非晶硅层之间形成隧穿结,而n型非晶硅层和p型微晶硅纳米线型核的伸出端外均沉积作为导电电极用且相互隔断的透明氧化物导电层。该电池通过将微晶硅/非晶硅构筑成叠层结构,实现了对更宽太阳能波段(300~1100nm)更加充分地吸收,从而有效提高了纳米线太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号:CN104157714A
公开(公告)日:2014-11-19
申请号:CN201410323443.4
申请日:2014-07-08
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/054 , H01L31/0352 , H01L31/0392
CPC classification number: Y02E10/52 , H01L31/0352 , H01L31/02168 , H01L31/03921 , H01L31/202
Abstract: 本发明公开了一种非晶/微晶硅叠层太阳能电池,该电池的顶电池采用纳米光栅结构化的非晶硅薄膜层,并且纳米光栅结构间隙内填充有透明绝缘层,而中间反射层为类光子晶体结构化且具有波长选择性反射/透射功能的选择性反射层;类光子晶体结构是指将两种不同折射率的介质按准周期性交替排列而成的光子晶体结构,准周期性是指介质绝大部分层的排列呈周期性,只在靠近整个晶体表面的n层介质的尺寸逐渐减小,n<N/10,N为类光子晶体结构的总层数。本发明通过将顶电池构筑为纳米光栅结构,使整个电池具有良好的光减反效应,结合中间反射层的波长选择性反射/透射功能,较大幅度地提高了非晶硅层的光吸收,同时保证微晶硅层的光吸收不受影响,以此来提高电池的转换效率。
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公开(公告)号:CN104064619A
公开(公告)日:2014-09-24
申请号:CN201410242634.8
申请日:2014-06-03
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/076 , H01L31/0352 , H01L31/0368 , H01L31/0376
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/076 , H01L31/035272 , H01L31/03685 , H01L31/03762
Abstract: 本发明公开了一种微晶硅非晶硅径向双结纳米线太阳能电池,包括内核、外壳和导电电极,其特征在于:内核包括p型微晶硅纳米线型核,和由内向外依次沉积在p型微晶硅纳米线型核外的微晶硅本征层和重掺杂n+型微晶硅层,外壳包括由内向外沉积在重掺杂n+型微晶硅层外的重掺杂p+型非晶硅层,非晶硅本征层和n型非晶硅层,重掺杂n+型微晶硅层和重掺杂p+型非晶硅层之间形成隧穿结,而n型非晶硅层和p型微晶硅纳米线型核的伸出端外均沉积作为导电电极用且相互隔断的透明氧化物导电层。该电池通过将微晶硅/非晶硅构筑成叠层结构,实现了对更宽太阳能波段(300~1100nm)更加充分地吸收,从而有效提高了纳米线太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号:CN114927582A
公开(公告)日:2022-08-19
申请号:CN202210698129.9
申请日:2022-06-20
Applicant: 苏州大学 , 苏州矩阵光电有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/108
Abstract: 本发明涉及光电传感技术领域,为解决现有技术中存在的光电探测器响应度不高的问题,公开了一种完全嵌入式光栅结构的窄带近红外热电子光电探测器,包含底部导电电极、金属光栅和顶部导电电极;金属光栅和底部导电电极之间有一层钛薄膜作为粘附层;金属光栅连接到顶部导电电极;硅背面设有底部导电电极;通过将金属光栅完全嵌入硅基底的方式进一步地提高了金属的光吸收效率和热电子产生率,其中光吸收率能达到接近100%,减少了热电子的热化损失,进而提升了光电探测器的响应度;调节金属光栅周期可改变探测器的响应波长,实现了波长可调的近红外光电探测器。
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公开(公告)号:CN109638086B
公开(公告)日:2020-04-10
申请号:CN201811575199.5
申请日:2018-12-21
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/054 , H01L31/068
Abstract: 本发明公开了一种纯平面结构的色控非晶硅太阳能电池,该色控非晶硅太阳能电池包括从上至下依次设置的抗反射涂层、DBR层、缓冲层和非晶硅太阳能电池层,抗反射涂层用于增加透射率,DBR层由高折射率材料和低折射率材料交替组合而成,DBR层用于使反射光谱在可见光波段显示RGB三基色,缓冲层用于降低反射光干扰,并提高显示颜色的纯度,非晶硅太阳能电池层包括从上至下依次设置的前接触电极层、非晶硅活性层、后接触电极层和基底层。本发明纯平面结构的色控非晶硅太阳能电池通过引入了DBR层作为颜色控制元件,引入抗反射涂层作为色彩优化元件,可以得到高纯度色彩,使太阳能电池达到的色域可以与标准红绿蓝三基色体系的色域相媲美。
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公开(公告)号:CN108982416A
公开(公告)日:2018-12-11
申请号:CN201810946779.4
申请日:2018-08-20
Applicant: 苏州大学
IPC: G01N21/41 , G01N21/552
Abstract: 本发明公开了一种新的超窄带、大角度的高性能折射率传感器件设计方案,并进一步提出该传感器件的灵敏度测试方法,该测试方法成本较低,在生物、医学、食品等领域具有广泛应用。基于表面等离子体共振的传感技术,具有设计方案简单、结构简单、加工技术要求低、制备成本低、无需标定、实时检测、非接触、无损伤、超窄带、大角度等突出特点,较高的灵敏度可用于气体、液体和生物膜等的分析检测,展示了巨大的应用前景,有望发展为具有超高检测灵敏度的新型表面等离子体传感器件及其测试方法。
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公开(公告)号:CN118281106B
公开(公告)日:2025-04-29
申请号:CN202410358352.8
申请日:2024-03-27
Applicant: 苏州大学
IPC: H10F30/225 , H10F30/227 , H10F71/00
Abstract: 本发明公开了一种硅基红外波段雪崩光电探测器及其制备方法,包括依次叠层设置的底部电极层、硅膜层以及顶部金属膜层,其中,底部电极层与硅膜层形成欧姆接触,顶部金属膜层与硅膜层形成肖特基接触;该光电探测器通过顶部金属膜层吸收近红外光,产生热载流子注入到硅膜层中,然后被底部电极层收集形成光电流,从而实现了对低于硅能量带隙的红外光的探测;且通过调整硅膜层的厚度以及顶部金属膜层的种类,可实现不同红外波长处的宽带或窄带光学高吸收。此外,该光电探测器在施加3V以下偏压时,可产生光电导增益和雪崩效应,将光电响应度提高3‑4个数量级,在1200‑2000nm波段的响应度达到0.1‑0.35A/W,与商用锗和铟镓砷红外光电探测器性能相当。
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