公开(公告)号：CN103065954B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201310015631.6

申请日：2013-01-16

Applicant: 苏州大学

Inventor： 诸葛兰剑 ,  余涛 ,  金成刚 ,  黄天源 ,  吴明智 ,  吴雪梅

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明公开了一种HfO2薄膜/HfSiNO界面层/Si衬底栅介质的制备方法，包括如下步骤：(a)清洗，在Si衬底上沉积HfO2栅介质薄膜，形成HfO2栅介质薄膜/Si衬底的结构；(b)采用多频电容耦合/电感耦合混合型等离子体放电，在室温下，使HfO2薄膜氮化为HfNO薄膜；得到HfNO薄膜/Si衬底的结构；(c)退火，形成HfO2薄膜/HfSiNO界面层/Si衬底的结构，即可得到HfO2薄膜/HfSiNO界面层/Si衬底栅介质。本发明采用多频电容耦合（CCP）/电感耦合（ICP）放电技术，在室温下即可实现HfO2薄膜的氮化，与现代半导体工业的兼容性更好，具有积极的现实意义。

公开(公告)号：CN104689692A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201510144834.4

申请日：2015-03-31

Applicant: 苏州大学

Inventor： 金成刚 ,  吴磊 ,  王心韵 ,  田润 ,  杨东谨 ,  胡一波 ,  诸葛兰剑 ,  吴雪梅

IPC: B01D53/32

Abstract: 本发明涉及一种空气等离子体处理废气的装置，包括高压交流电源、壳体、安装在所述壳体上的两个第一介质板以及设置在所述壳体内的接地电极，所述壳体的两端分别设置有废气进口和废气出口，每个所述第一介质板上均安装有高压电极，所述高压电极包括导电管、一端伸入所述导电管内的毛细管，所述导电管的至少一端设置有空气进口，所述导电管与所述高压交流电源的高压端相连接，所述接地电极与所述高压交流电源的接地端相连接，所述毛细管的另一端与所述壳体相通。本发明还涉及一种空气等离子体处理废气的方法。使用本发明的装置及方法，具有高效分解且处理能耗低的特点，为工业废气的处理开辟了一条新的思路。

公开(公告)号：CN103311104A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310233173.3

申请日：2013-06-13

Applicant: 苏州大学

Inventor： 诸葛兰剑 ,  金成刚 ,  余涛 ,  徐轶君 ,  杨燕 ,  黄天源 ,  吴明智 ,  吴雪梅 ,  叶超

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯的制备方法，包括如下步骤：(a)碳化硅基片的清洗；(b)采用感应耦合增强双频激发容性耦合等离子体源来刻蚀上述清洗好的碳化硅基片；(c)刻蚀完成后，冷却，取出碳化硅基片，经低温退火，得到以碳化硅为衬底的石墨烯。本发明开发了一种新的石墨烯的制备方法，利用氟等离子体去除碳化硅表面硅原子并产生易挥发反应物质的性质制备石墨烯材料，所制备的石墨烯材料无需剥离，而是以广泛应用于电子学的宽禁带半导体碳化硅为绝缘衬底，与当前的与半导体工艺完全兼容。

公开(公告)号：CN102185032B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201110092542.2

申请日：2011-04-13

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王飞 ,  金成刚 ,  吴雪梅 ,  诸葛兰剑 ,  吴明智 ,  王岩岩 ,  俞友明

IPC: H01L31/18 ,  C30B33/10

CPC classification number: H01L31/02363 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明公开了一种单晶硅太阳能电池绒面的制备方法，包括如下步骤：(1)硅片的清洗；(2)将清洗好的硅片放入双频容性耦合等离子体设备中进行刻蚀，得到纳米柱状的绒面结构；(3)冷却，取出硅片；所述步骤(2)中，刻蚀气体为C2F6和Ar2的混合气体，流量分别为5~10sccm和0.4~0.5sccm；本底真空为2~3×10-3Pa；工作气压为20~30Pa；高频频率和功率为60MHz，300w，低频频率和功率为2MHz，250w，刻蚀时间为10~15min。本发明得到了呈纳米柱状结构的单晶硅太阳能电池绒面结构，该绒面结构可以将光线反射损失低于9%，具有意想不到的效果。

公开(公告)号：CN102218422A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110092723.5

申请日：2011-04-13

Applicant: 苏州大学

Inventor： 诸葛兰剑 ,  金成刚 ,  叶超 ,  葛水兵 ,  吴雪梅

IPC: B08B9/027

Abstract: 本发明公开了一种用于清洗管道的螺旋波等离子体清洗装置，包括真空系统、放电系统和传送系统，所述真空系统包括设于待清洗管道两端的密封盖，以及抽真空装置；管道一端的密封盖上设有的排气口，排气口与所述抽真空装置连接，管道另一端的密封盖上设有进气口；所述放电系统包括射频电源、天线和磁场线圈；所述传送系统包括密封管和传送杆；所述密封管设于带有进气口的密封盖的中央，并与密封盖密封固定连接，所述传送杆插接于密封管内并与密封管密封连接；所述天线设于待清洗管道的内部并与传送杆的一端固定连接；所述磁场线圈设于待清洗管道的外部并与天线处于同一平面内；所述射频电源与天线电连接。本发明可以在管道内引入，这是其他等离子体装置所不能实现的。

公开(公告)号：CN102185032A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110092542.2

申请日：2011-04-13

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王飞 ,  金成刚 ,  吴雪梅 ,  诸葛兰剑 ,  吴明智 ,  王岩岩 ,  俞友明

IPC: H01L31/18 ,  C30B33/10

CPC classification number: H01L31/02363 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明公开了一种单晶硅太阳能电池绒面的制备方法，包括如下步骤：(1)硅片的清洗；(2)将清洗好的硅片放入双频容性耦合等离子体设备中进行刻蚀，得到纳米柱状的绒面结构；(3)冷却，取出硅片；所述步骤(2)中，刻蚀气体为C2F6和Ar2的混合气体，流量分别为5~10sccm和0.4~0.5sccm；本底真空为2~3×10-3Pa；工作气压为20~30Pa；高频频率和功率为60MHz，300w，低频频率和功率为2MHz，250w，刻蚀时间为10~15min。本发明得到了呈纳米柱状结构的单晶硅太阳能电池绒面结构，该绒面结构可以将光线反射损失低于9%，具有意想不到的效果。

公开(公告)号：CN107968240B

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201711472734.X

申请日：2017-12-29

Applicant: 苏州大学

Inventor： 谭海云 ,  金成刚 ,  诸葛兰剑 ,  吴雪梅 ,  王钦华

IPC: H01P1/20

Abstract: 本发明涉及一种可调的等离子体光子晶体选频滤波器，包括支撑箱、设于支撑箱内的等离子体发生装置，支撑箱的顶面和底面分别设置有第一接口和第二接口，第一接口的内部和第二接口的内部均与等离子体发生装置相连接，第一接口的外部和第二接口的外部其中之一与驱动电源相连接，另一个与地相连接，支撑箱的左侧面设置有矩形波导，支撑箱的右侧面设置有光电信号转换装置，光电信号转换装置包括光电探测器、与光电探测器相连接的信号输出接口。本发明等离子体光子晶体制成的滤波器，在禁带范围内，滤波效果良好，透射的频率成分单一性好，且实际效果与设计吻合度高；制作成本低；通过等离子体的调节，实现了可调的窄带选频。

公开(公告)号：CN109989048A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201910367381.X

申请日：2019-05-05

Applicant: 苏州大学

Inventor： 吴雪梅 ,  陈佳丽 ,  金成刚 ,  季佩宇 ,  诸葛兰剑

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/517

Abstract: 本发明涉及一种利用螺旋波等离子体技术制备碳化硅薄膜的方法，包括以下步骤：（1）将衬底置于真空沉积室内的基片台上；（2）将真空放电室和真空沉积室内的真空抽至本底真空；（3）从螺旋波天线尾部将Ar气通入到放电腔室内，Ar气的流量为20‑100sccm，打开射频电源和直流电源，调节射频电源的射频频率为2MHz‑60 MHz、射频功率为200‑3000W，调节直流电源使轴向磁场强度为200‑5000 Gs；（4）将有机硅烷液体加热蒸发成气体，通入到真空沉积室内，在衬底上沉积碳化硅薄膜。本发明碳化硅薄膜制备的速度非常快，达到了0.93 mm/h，且制备的碳化硅薄膜均匀致密，具有粗糙度低、高的杨氏模量及显微硬度优势，且制备方法操作简单，成本低廉。

公开(公告)号：CN108085657A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711472724.6

申请日：2017-12-29

Applicant: 苏州大学

Inventor： 陈佳丽 ,  钱嘉伟 ,  金成刚 ,  吴雪梅 ,  诸葛兰剑

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/505

Abstract: 本发明涉及一种基于螺旋波等离子体技术制备氮掺杂类金刚石薄膜的方法，包括以下步骤：（1）清洗Si衬底，将清洗后的Si衬底固定在沉积室内的基片台上；（2）将高纯Ar气体从放电室的左端通入到放电室内，实现螺旋波等离子体放电，形成Ar等离子体；（3）向沉积室内通入高纯CH4气体和高纯N2气体，Ar等离子体将高纯CH4气体和高纯N2气体离化，在Si衬底上形成氮掺杂类金刚石薄膜；（4）关闭射频电源和所有气源。本发明氮掺杂类金刚石薄膜沉积速度快；沉积的薄膜氮掺杂类金刚石薄膜表面平整、均匀、致密，沉积质量好；氮掺杂类金刚石薄膜的纯度高，薄膜的内应力降低，提高了薄膜与基体之间的附着力，提高了薄膜强度；设备简单，工业生产上容易实现。

公开(公告)号：CN106048531A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610604584.2

申请日：2016-07-28

Applicant: 苏州大学

Inventor： 杨佳奇 ,  胡一波 ,  金成刚 ,  吴雪梅 ,  诸葛兰剑

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35

CPC classification number: C23C14/352 ,  C23C14/083 ,  C23C14/358

Abstract: 本发明涉及一种ICP增强多靶磁控溅射装置，包括真空室、设于真空室顶部的三个溅射靶、设于真空室内的ICP线圈和基片台以及与真空室相连通的泵机组，三个溅射靶的直径均为60mm，三个溅射靶的轴线与水平面之间的夹角均为20°‑50°，三个溅射靶沿周向均匀间隔分布，三个溅射靶均聚焦于基片台的中心，三个溅射靶分别与第一射频电源、第二射频电源、第三射频电源相连接，ICP线圈设于溅射靶与基片台之间，ICP线圈连接有第四射频电源，基片台连接有直流稳压电源。本发明还涉及一种使用该装置制备TiO2薄膜的方法。本发明拥有三个溅射靶，三个溅射靶靶位中心聚焦于基片台中心，实现了共聚焦磁控溅射，可获得均匀、较大面积的薄膜，制备出的薄膜致密、纯度高。