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公开(公告)号：CN116315608A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310204173.4
申请日：2023-03-06
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种高功率浸没式水冷螺旋天线，包括壳体，所述壳体两端设置前端板和后端板，一内石英管穿过壳体，内石英管的上套设天线；前端板的外侧设置外石英管；后端板的外侧设置第一后密封板，第一后密封板上设置有连通所述壳体内腔的进水水路和出水水路，进水水路连接进水管用以给向壳体内输送冷却液，出水水路连接出水管以排放所述冷却液，天线浸没在所述冷却液中。本发明的有益效果是：通过循环水对天线进行冷却，从而解决了螺旋波天线高功率稳态长时间放电的难题；且装配简单、体积小。
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公开(公告)号：CN105755449B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610328633.4
申请日：2016-05-18
Applicant: 苏州大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/505
Abstract: 本发明涉及一种采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法，包括如下步骤：（1）将Ar气和H2气通入到放电腔室内，在轴向磁场的环境下，通过射频调制的螺旋波等离子体实现Ar和H2混合气体放电，清洗基片台和Si衬底；（2）关闭H2气，通入Ar气和CH4气体，在轴向磁场的环境下，通过射频调制的螺旋波等离子体在Si衬底上形成纳米晶金刚石薄膜；（3）清洗纳米晶金刚石薄膜表面吸附的CH4气体。本发明通过螺旋波等离子体技术成功地制备了纳米晶金刚石薄膜，所用设备更加简单，工业生产上更容易实现，沉积速率更快，不存在灯丝性能衰减的问题，而且工艺步骤更简单，工艺参数更易控制。
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公开(公告)号：CN115074689A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210856476.X
申请日：2022-07-21
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种螺旋波等离子体反应溅射沉积制备氮化钛薄膜的方法。包括以下步骤：（1）溅射前样品处理；（2）氩螺旋波等离子体预溅射；（3）溅射镀膜。本发明的制备方法通过调节加热基片台温度，调制氮化钛薄膜的结晶质量；可以实现不锈钢基片表面氮化钛薄膜的高速制备，薄膜厚度、化学组分、结晶度可控，内应力小，薄膜无明显的开裂及脱落。
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公开(公告)号：CN115074689B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210856476.X
申请日：2022-07-21
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种螺旋波等离子体反应溅射沉积制备氮化钛薄膜的方法。包括以下步骤：（1）溅射前样品处理；（2）氩螺旋波等离子体预溅射；（3）溅射镀膜。本发明的制备方法通过调节加热基片台温度，调制氮化钛薄膜的结晶质量；可以实现不锈钢基片表面氮化钛薄膜的高速制备，薄膜厚度、化学组分、结晶度可控，内应力小，薄膜无明显的开裂及脱落。
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公开(公告)号：CN115110025A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210851191.7
申请日：2022-07-20
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种螺旋波等离子体溅射沉积氮化钨薄膜的方法。包括以下步骤：（1）基片预处理：将基片置于等离子溅射沉积装置内，在氩气和氮气存在的条件下，控制磁场强度为50‑1000高斯，对基片进行预处理；（2）溅射沉积：对钨靶板施加0‑300v的直流负偏压，调节输入功率为100‑1000w，进行等离子体溅射沉积，时间为5‑30；（3）真空退火：将基片置于马弗炉中进行真空退火处理，得到最后的氮化钨薄膜。本发明通过基片预处理再进行溅射沉积可以实现硅基片表面高质量氮化钨薄膜的快速制备，薄膜厚度、化学组分、结晶度可控，内应力小，薄膜无明显的开裂及脱落。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110106492A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910367340.0
申请日：2019-05-05
Applicant: 苏州大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/503 , C23C16/505 , C01B32/186
Abstract: 本发明涉及一种快速制备垂直石墨烯的方法，包括以下步骤：（1）将衬底置于螺旋波等离子体化学气相沉积装置内的基片台上；（2）将螺旋波等离子体化学气相沉积装置内的真空抽至本底真空；（3）往螺旋波等离子体化学气相沉积装置内通入Ar，Ar的流量为10-80sccm，打开射频电源和直流电源，调节射频电源的射频频率为2MHz-60 MHz、射频功率为300-5000W，调节直流电源使轴向磁场强度为100-10000 Gs；（4）继续通入Ar，Ar的流量为10-80sccm，同时往螺旋波等离子体化学气相沉积装置内通入CH4，CH4的流量为50-200sccm，在衬底上沉积垂直石墨烯。本发明制备步骤简单，无需加热，对衬底的适用范围宽，能够在衬底上沉积不同形态的垂直石墨烯，制备速度快，制备质量高，且便于实际应用。
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公开(公告)号：CN115110025B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202210851191.7
申请日：2022-07-20
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种螺旋波等离子体溅射沉积氮化钨薄膜的方法。包括以下步骤：（1）基片预处理：将基片置于等离子溅射沉积装置内，在氩气和氮气存在的条件下，控制磁场强度为50‑1000高斯，对基片进行预处理；（2）溅射沉积：对钨靶板施加0‑300v的直流负偏压，调节输入功率为100‑1000w，进行等离子体溅射沉积，时间为5‑30；（3）真空退火：将基片置于马弗炉中进行真空退火处理，得到最后的氮化钨薄膜。本发明通过基片预处理再进行溅射沉积可以实现硅基片表面高质量氮化钨薄膜的快速制备，薄膜厚度、化学组分、结晶度可控，内应力小，薄膜无明显的开裂及脱落。
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公开(公告)号：CN116723621A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310704341.6
申请日：2023-06-14
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种螺旋波等离子体粒子注入辅助容性耦合等离子体放电装置，其包括螺旋波等离子体粒子发生系统、多级容性耦合等离子体放电系统、以及粒子筛；本发明的目标粒子前驱体通过右螺旋半波长天线和永磁铁的作用，形成放电气体，通过粒子筛对其进行粒子筛选，其进入反应腔体，泵组对反应腔体抽真空，调节CCP上极板与CCP下极板之间的间距并通电形成电压，在CCP上极板或CCP下极板间形成反应等离子体。本发明在CCP上极板或CCP下极板上设置衬底，可对衬底进行刻蚀、沉积和改性。
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公开(公告)号：CN115110049A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210739991.X
申请日：2022-06-28
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种螺旋波等离子体石英玻璃管内壁镀膜装置。包括底座，所述底座上放置有真空石英管和与真空石英管配合的永磁体，所述真空石英管的一侧设置有螺旋天线，另一侧设置有溅射靶板；所述螺旋天线连接有射频功率系统；所述溅射靶板连接有一传送杆，所述传送杆连接有一驱动装置，所述驱动装置带动所述传送杆转动且带动所述传送杆沿真空石英管的轴向移动。本发明的镀膜装置，可以根据不同的镀膜需求，更换具有不同材料组分的溅射靶板，从而实现多类型薄膜涂覆。
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公开(公告)号：CN116251577A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310263006.7
申请日：2023-03-17
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直石墨烯纳米片负载二氧化钛异质结及其制备方法，其包括衬底，所述衬底上垂直间距设置有若干个石墨烯纳米片，所述石墨烯纳米片的顶部通过磁控溅射包覆有二氧化钛纳米层，所述石墨烯纳米片的厚度为100～200nm、高度为1000～1300nm，相邻所述石墨烯纳米片之间的间距为150～250nm；所述二氧化钛纳米层的厚度为150～250nm。本发明具有微腔结构、高比表面积的特点，形成具有异质结的VGs/TiO2光催化剂，以提升太阳光的利用率和光生载流子的输运速率；本发明的制备方法可于室温条件下进行沉积垂直石墨烯(VGs)，降低了制备难度，垂直石墨烯生长速率更高，生成的垂直石墨烯质量更高。
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