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公开(公告)号：CN103311104A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310233173.3
申请日：2013-06-13
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯的制备方法，包括如下步骤：(a)碳化硅基片的清洗；(b)采用感应耦合增强双频激发容性耦合等离子体源来刻蚀上述清洗好的碳化硅基片；(c)刻蚀完成后，冷却，取出碳化硅基片，经低温退火，得到以碳化硅为衬底的石墨烯。本发明开发了一种新的石墨烯的制备方法，利用氟等离子体去除碳化硅表面硅原子并产生易挥发反应物质的性质制备石墨烯材料，所制备的石墨烯材料无需剥离，而是以广泛应用于电子学的宽禁带半导体碳化硅为绝缘衬底，与当前的与半导体工艺完全兼容。
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公开(公告)号：CN103311104B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201310233173.3
申请日：2013-06-13
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯的制备方法，包括如下步骤：(a)碳化硅基片的清洗；(b)采用感应耦合增强双频激发容性耦合等离子体源来刻蚀上述清洗好的碳化硅基片；(c)刻蚀完成后，冷却，取出碳化硅基片，经低温退火，得到以碳化硅为衬底的石墨烯。本发明开发了一种新的石墨烯的制备方法，利用氟等离子体去除碳化硅表面硅原子并产生易挥发反应物质的性质制备石墨烯材料，所制备的石墨烯材料无需剥离，而是以广泛应用于电子学的宽禁带半导体碳化硅为绝缘衬底，与当前的与半导体工艺完全兼容。
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公开(公告)号：CN103898458A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410125282.8
申请日：2014-03-31
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种采用螺旋波等离子体溅射技术制备硅纳米晶薄膜的方法，包括：在硅衬底上热生成二氧化硅层；将一定配比的硅粉末和二氧化硅粉末的混合物，高温烧结成靶材，以螺旋波等离子体溅射技术，沉积至所述的二氧化硅层上。通过控制衬底的温度，不需要再经高温退火，即可在上述二氧化硅层上，制得4-6nm直径的硅纳米晶薄膜。本发明所涉及的方法与成熟的硅基光电子工艺相兼容，在半导体材料的制备与加工领域，有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN104241061B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201410507722.6
申请日：2014-09-28
Applicant: 苏州大学
IPC: H01J1/14
Abstract: 本发明涉及一种抑制二次电子发射的材料，包括石墨壁和碳纤维，所述碳纤维垂直均匀分布在所述石墨壁表面上。本发明电子轰击石墨壁产生二次电子，且二次电子从石墨壁表面以不同角度发射出来，经过碳纤维的多次发射与吸收，能够返回真空的数目所剩无几，这样二次电子的发射系数远小于1，接近于零，那么就起到抑制二次电子发射的作用，低二次电子发射明显增加了壁电势，降低了从等离子体到壁的电子热通量，抑制了壁加热、壁蒸发和等离子体冷却，不会改变壁的特性和等离子体性质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103898458B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410125282.8
申请日：2014-03-31
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种采用螺旋波等离子体溅射技术制备硅纳米晶薄膜的方法，包括：在硅衬底上热生成二氧化硅层；将一定配比的硅粉末和二氧化硅粉末的混合物，高温烧结成靶材，以螺旋波等离子体溅射技术，沉积至所述的二氧化硅层上。通过控制衬底的温度，不需要再经高温退火，即可在上述二氧化硅层上，制得4-6nm直径的硅纳米晶薄膜。本发明所涉及的方法与成熟的硅基光电子工艺相兼容，在半导体材料的制备与加工领域，有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN104241061A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410507722.6
申请日：2014-09-28
Applicant: 苏州大学
IPC: H01J1/14
Abstract: 本发明涉及一种抑制二次电子发射的材料，包括石墨壁和碳纤维，所述碳纤维垂直均匀分布在所述石墨壁表面上。本发明电子轰击石墨壁产生二次电子，且二次电子从石墨壁表面以不同角度发射出来，经过碳纤维的多次发射与吸收，能够返回真空的数目所剩无几，这样二次电子的发射系数远小于1，接近于零，那么就起到抑制二次电子发射的作用，低二次电子发射明显增加了壁电势，降低了从等离子体到壁的电子热通量，抑制了壁加热、壁蒸发和等离子体冷却，不会改变壁的特性和等离子体性质。
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公开(公告)号：CN103266302A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310057206.3
申请日：2013-02-22
Applicant: 苏州大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/02 , C23C14/08 , H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于薄膜太阳能电池的AZO薄膜绒面结构的制备方法，包括如下步骤：(1)清洗玻璃基板，然后采用双频容性耦合等离子体放电技术对所述玻璃基板的表面进行刻蚀，使玻璃基板表面具有绒面结构；(2)采用磁控溅射技术在上述玻璃基板的绒面结构上沉积AZO薄膜，即可得到AZO薄膜绒面结构。实验证明，采用本发明的方法制备得到的薄膜太阳能电池的绒面结构的光线反射损失低于9%，完全满足太阳能电池对前电极陷光结构的要求。
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公开(公告)号：CN206026309U
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201620730548.6
申请日：2016-07-12
Applicant: 苏州大学附属第一医院
IPC: A61B5/00
Abstract: 本实用新型公开了一种咳嗽能力评估器，包括筒状结构的本体，本体一端开口，本体内部设置有支撑放置检测滤纸的支撑结构，检测滤纸置于支撑装置上并朝向开口端设置。该评估器内设置有检测滤纸，通过患者咳出至滤纸上的湿迹程度和范围初步判断患者是否具备咳嗽能力及咳嗽能力的强弱，提高评估的准确性，降低主观因素的影响，准确判断患者病情，减少康复成本。该评估器结构组成简单，使用方便，且可更换不同滤纸检测多个病患，成本较低。
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公开(公告)号：CN206026308U
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201620730531.0
申请日：2016-07-12
Applicant: 苏州大学附属第一医院
IPC: A61B5/00
Abstract: 本实用新型公开了一种咳嗽强度评估器，包括透明状本体，本体为筒形结构，本体上端开口，本体内部设置有支撑放置检测滤纸的支撑结构，检测滤纸置于支撑结构上并朝向开口端设置，本体自上至下标注有刻度线，支撑结构位于本体内部的位置可调。评估时，可将检测滤纸设置于支撑结构上，通过患者咳出至检测滤纸上的湿迹程度和范围初步判断患者是否具备咳嗽能力，后通过调整伸缩杆的长度调节内部支撑架的位置，从而调节检测滤纸至不同距离检测患者咳嗽能力的强弱，提高评估的准确性，降低主观因素的影响，准确判断患者病情，减少康复成本。
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